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[发明专利]用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法-CN202310231779.7在审
发明人： U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及用于在存储器中执行连续阵列操作的设备和方法。存储器可包含控制器，所述控制器被配置成使所述存储器进行以下操作：使存储器单元块的第一多个存储器单元准备从所述存储器单元块的初始化状态进行编程；将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元；和响应于在成功地验证所述第一数据到所述第一多个存储器单元的编程之前接收到与对应于所述存储器单元块的第二地址相关联并与第二数据相关联的写入命令，使所述存储器单元块中对应于所述第二地址的第二多个存储器单元准备进行编程且无需在将所述第一数据编程到所述第一多个存储器单元之后使所述存储器单元块返回到所述初始化状态。
用于存储器执行连续阵列操作设备方法

[发明专利]功率完整性监测-CN202310070359.5在审
发明人： S·扬帕腊拉;F·罗里;M·D·蒂布尔齐;W·迪·弗朗西斯可;C·切拉福利;T·欧帕斯特拉库恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开涉及功率完整性监测。本公开的各个实施例涉及监测存储器系统内的功率信号的完整性。一种方法可包含在存储器组件处接收功率信号及经由所述存储器组件的功率信号监测组件来监测所述功率信号的完整性特性。响应于所述完整性特性满足特定准则，所述方法可包含将状态指示提供到所述存储器组件外部的控制组件。
功率完整性监测

[发明专利]字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间-CN202211657120.X在审
发明人： V·莫斯基亚诺;S·S·瑞胡那森;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开是针对字线或立柱状态检测以实现更快读取存取时间。存储器装置包含配置成子块的存储器胞元阵列。子块的存储器胞元耦合到所述阵列的立柱，且与多个字线相关联。为执行读取操作，与所述阵列耦合的控制逻辑执行操作，所述操作包含：跟踪选定字线在能够从与所述选定字线相关联的存储器胞元读取数据之前达到通过电压所花费的时间长度；响应于所述时间长度满足第一阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第一延迟时间；及响应于所述时间长度满足比所述第一阈值准则长的第二阈值准则，致使在读取所述数据之前经过第二延迟时间，所述第二延迟时间比所述第一延迟时间长。
立柱状态检测实现读取存取时间

[发明专利]单层级单元存储器编程缩短-CN202211376019.7在审
发明人： L·雷蒙多;F·保利尼;U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;G·法拉利;D·埃斯波西托;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本申请涉及缩短的单层级单元存储器编程。存储器装置包含被配置为单层级单元存储器的存储器单元阵列和以操作方式耦合到所述存储器单元阵列的控制逻辑。所述控制逻辑执行包含以下各项的操作：致使所述存储器单元阵列内的待编程子块集的硬件初始化；致使预调节所述子块集中的第一子块以用于编程操作；致使多个数据页编程到所述子块集中的相应子块集；和在编程所述多个数据页之后，选择性地致使对所述子块集的存储器单元执行编程校验。
层级单元存储器编程缩短

[发明专利]多个并发存储器存取操作的优先化功率预算仲裁-CN202211111221.7在审
发明人： L·努比莱;W·迪·弗朗西斯可;顾福敏;A·摩哈马萨德;B·约里奥;于亮 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请涉及多个并发存储器存取操作的优先化功率预算仲裁。一种存储器装置包含存储器裸片，每一存储器裸片包含：存储器阵列；存储器，其用以存储数据结构；以及控制逻辑，其包含：多个处理线程，其用以在所述存储器阵列上并发地执行存储器存取操作；优先级环形计数器，所述数据结构用以存储所述优先级环形计数器的值与所述多个处理线程的子集之间的关联；线程管理器，其用以在功率管理循环之前使所述优先级环形计数器的所述值递增且识别对应于所述多个处理线程的所述子集的一或多个优先化处理线程；以及峰值功率管理器，其与所述线程管理器耦合且用以在所述功率管理循环期间优先化功率到所述一或多个优先化处理线程的分配。
并发存储器存取操作优先功率预算仲裁

[发明专利]连续存储器编程操作-CN202211053843.9在审
发明人： V·莫斯基亚诺;A·摩哈马萨德;W·迪·弗朗西斯可;D·斯里尼瓦桑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及连续存储器编程操作。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列。所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。
连续存储器编程操作

[发明专利]存储器子系统中的使用提前高速缓存寄存器释放的快速编程-CN202211055172.X在审
发明人： W·迪·弗朗西斯可;V·莫斯基亚诺;U·西奇利亚尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器子系统中的使用提前高速缓存寄存器释放的快速编程。存储器装置中的控制逻辑启动快速编程操作来将一组存储器单元编程到一组编程电平中的目标编程电平。与所述快速编程操作相关联的一组数据存储于高速缓存寄存器中。在所述快速编程操作的执行期间的第一时间，执行预测操作以确定对应于所述一组存储器单元的编程状态的预测结果。比较所述预测结果与阈值电平以确定是否满足一条件。响应于满足所述条件而致使从所述高速缓存寄存器释放所述一组数据。
存储器子系统中的使用提前高速缓存寄存器释放快速编程

[发明专利]单层级单元存储器的混合并行编程-CN202210864087.1在审
发明人： U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及单层级单元存储器的混合并行编程。存储器装置包含具有高速缓冲寄存器和数据寄存器的页缓冲器、具有配置为单层级单元SLC存储器的存储器单元的子块集的存储器阵列，以及控制逻辑。所述控制逻辑执行包含以下操作的操作：致使SLC数据的第一页存储于所述高速缓冲寄存器中；致使所述SLC数据的所述第一页从所述高速缓冲寄存器移动到第一数据寄存器；致使所述SLC数据的后一页存储于所述高速缓冲寄存器中；致使存储于所述高速缓冲寄存器中的所述SLC数据和存储于所述数据寄存器中的所述SLC数据同时编程到所述子块集，其中所述第一页编程到第一子块且所述后一页编程到后一子块；和致使并行地执行用于编程所述子块集的所述操作的子集。
层级单元存储器混合并行编程

[发明专利]存储器装置中的部分块擦除操作-CN202210729702.8在审
发明人： V·莫斯基亚诺;S·S·瑞胡那森;陈海欧;W·迪·弗朗西斯可 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：描述了用于执行部分块擦除操作的系统和方法。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线的多个存储器单元；以及控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：在存储器装置中识别包括多个存储器单元的块；在所述块中估计具有预定义编程状态的页的数目；基于具有所述预定义编程状态的页的所述数目而确定待应用于所述块的擦除验证电压；致使相对于所述块执行擦除操作；以及致使使用所述擦除验证电压来相对于所述块执行擦除验证操作。
存储器装置中的部分擦除操作

[发明专利]用于单层级单元的设置切换-CN202210676918.2在审
发明人： U·西奇利亚尼;刘涛;罗婷;D·米诺波力;G·德利塞奥;G·费拉里;W·迪·弗朗西斯可;A·波利奥;L·埃斯波西托;A·斯卡莱塞;A·J·奥尔森;A·C·西维耶罗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及用于单层级单元SLC的设置切换。一种存储器系统可从主机接收存取命令。所述存取命令可对应于SLC块或多层级单元块。如果所述存取命令对应于SLC块，则所述存储器系统可修改所述存取命令以包含一或多个位，所述一或多个位指示用于执行对应于所述存取命令的所述存取操作的设置的一或多个位。所述设置可限定用于执行所述存取操作的一或多个操作参数。所述存储器系统可使用位来指示用于指示多层级单元块的页地址的所述设置。所述存储器系统可将所述存取命令发到存储器装置，所述存储器装置可使用所述存储器系统包含的所述一或多个位中指示的所述设置来执行所述存取操作。
用于层级单元设置切换

[发明专利]全局-局部读取校准-CN202111245357.2在审
发明人： V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可;K·K·姆奇尔拉;V·P·拉亚普鲁;J·S·小麦克尼尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本申请涉及全局‑局部读取校准。一种用以校准用于读取存储器单元群组的电压的存储器装置。举例来说，所述存储器装置通过在以第一电压间隔彼此隔开的第一测试电压下读取存储器单元群组来测量所述存储器单元群组的第一信号和噪声特性。基于所述第一信号和噪声特性来确定所述存储器单元群组的读取电平的估计。所述存储器装置接着通过在以第二电压间隔彼此隔开的第二测试电压下读取所述存储器单元群组来测量所述存储器单元群组的第二信号和噪声特性，所述第二电压间隔小于所述第一电压间隔。根据所述第二信号和噪声特性来计算所述读取电平的优化读取电压。
全局局部读取校准

[发明专利]用于存储器装置中的多个并发存取操作的功率预算仲裁-CN202111091887.6在审
发明人： L·努比莱;A·摩哈马萨德;B·约里奥;W·迪·弗朗西斯可;曹远航;L·德桑蒂斯;顾福敏 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本公开涉及用于存储器装置中的多个并发存取操作的功率预算仲裁。存储器装置包含多个存储器裸片，所述多个存储器裸片中的每一存储器裸片包括存储器阵列及控制逻辑。所述控制逻辑包括：多个处理线程，其用于对所述存储器阵列并发执行存储器存取操作；线程选择组件，其用于在所述相关联存储器裸片的功率管理循环内识别所述多个处理线程中的一或多个处理线程；及功率管理组件，其用于确定与所述一或多个处理线程相关联的功率量及在所述功率管理循环期间请求所述功率量。
用于存储器装置中的并发存取操作功率预算仲裁

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