专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201811363863.X有效
  • 金台勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-11-16 - 2023-09-12 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种存储器装置,该存储器装置包括:存储器单元阵列,包括联接到多个字线和多个位线的多个存储器单元;读取/写入电路,包括联接到多个位线的多个页面缓冲器;电源电路,生成待施加到存储器单元阵列和读取/写入电路的电压;以及控制电路,从外部装置接收读取命令和地址信号,并且基于读取命令和地址信号控制存储器单元阵列、读取/写入电路和电源电路。
  • 存储器装置及其操作方法
  • [发明专利]用于液化天然气储罐的拐角部分的热绝缘结构-CN201980086559.1有效
  • 金台勋;朴成祐;权升慜;方康济 - 大宇造船海洋株式会社
  • 2019-12-19 - 2023-07-04 - B63B25/16
  • 公开一种用于液化天然气储罐的拐角部分的热绝缘结构。根据本发明,在液化天然气储罐中,具有:二级热绝缘壁,布置在船体的内壁中的每一个上且包括多个二级热绝缘板;二级密封壁,安装在二级热绝缘壁;一级热绝缘壁,布置在二级密封壁上且包括多个一级热绝缘板;及一级密封壁,安装在一级热绝缘壁,液化天然气储罐包括拐角部分组件,拐角部分组件在储罐的拐角部分处修整一级密封壁的边缘,从而完成储罐的密封。拐角部分组件包括端盖片,端盖片修整和密封安装在储罐的相应表面上的一级密封壁的四个边缘,在端盖片中,形成有端盖褶皱和长褶皱,端盖褶皱修整形成于一级密封壁中的褶皱且具有端盖形状,长褶皱在与端盖褶皱延伸的方向垂直的方向上延伸。
  • 用于液化天然气拐角部分绝缘结构
  • [发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN202310166882.8在审
  • 元炯植;金台勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-08-14 - 2023-06-23 - G11C11/408
  • 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路,其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器,所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器,所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器,所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器,所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
  • 电平电路包括半导体存储器件
  • [发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN202211466590.8在审
  • 元炯植;金台勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-08-14 - 2023-03-03 - G11C11/408
  • 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路,其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器,所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器,所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器,所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器,所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
  • 电平电路包括半导体存储器件
  • [发明专利]多电平感测电路及包括其的半导体存储器件-CN201810923300.5有效
  • 元炯植;金台勋 - 爱思开海力士有限公司
  • 2018-08-14 - 2023-02-03 - G11C11/408
  • 本发明提供一种多电平感测电路及包括其的半导体存储器件。一种用于多电平存储器件的多电平感测电路,其被配置为识别多于两个的不同电压。多电平电压感测电路可以包括预充电控制器,所述预充电控制器被配置为在感测模式期间响应于均衡信号以位线预充电电压电平将一对位线预充电。多电平电压感测电路可以包括读取控制器,所述读取控制器被配置为在感测操作期间响应于读取控制信号将所述一对位线的电压保持在位线预充电电压电平。多电平电压感测电路可以包括感测放大器,所述感测放大器被配置为在感测模式期间产生所述一对位线的数据。多电平电压检测电路可以包括电压传感器,所述电压传感器被配置为通过比较位线电压与参考电压来产生均衡信号。
  • 电平电路包括半导体存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202210812817.3在审
  • 姜钟仁;崔峻荣;洪润基;金台勋;吕晟溱;韩相然 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-11 - 2023-01-24 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底,包括单元区和核心区;边界元件分隔膜,设置在衬底内部并将单元区和核心区分开;以及位线,设置在单元区和边界元件分隔膜上并沿第一方向延伸,其中边界元件分隔膜包括第一区域和第二区域,以边界元件分隔膜的下侧为基准,边界元件分隔膜的第一区域的上侧的高度与边界元件分隔膜的第二区域的上侧的高度不同,位线设置在边界元件分隔膜的第一区域和第二区域上方。
  • 半导体器件
  • [发明专利]包括浮置导电图案的半导体发光装置-CN201810030167.0有效
  • 成永圭;金载润;金台勋;龙戡翰;李东烈;李守烈 - 三星电子株式会社
  • 2018-01-12 - 2023-01-03 - H01L33/44
  • 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括:第一半导体层,其包括凹陷区和突出区;布置在突出区上的有源层和第二半导体层;布置在第二半导体层上的接触结构;下绝缘图案,其覆盖第一半导体层和接触结构,并且具有第一开口和第二开口;第一导电图案,其布置在下绝缘图案上,并且延伸至第一开口中;第二导电图案,其布置在下绝缘图案上,并且延伸至第二开口中;以及浮置导电图案,其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
  • 包括导电图案半导体发光装置
  • [发明专利]半导体发光器件-CN201711274926.X有效
  • 金台勋;金载润;成永圭;龙戡翰;李东烈;李守烈 - 三星电子株式会社
  • 2017-12-06 - 2021-08-31 - H01L33/38
  • 半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
  • 半导体发光器件

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