[发明专利]一种三元化合物半导体材料及其制作方法在审
| 申请号： | 202010987923.6 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112201581A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 何高航;李政成;冯博渊;丁孙安 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/22;H01L29/221;H01L29/225 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三元化合物半导体材料的制作方法，制作方法包括：提供彼此层叠设置的氧化铝材料层和氧化镓材料层；对氧化铝材料层和氧化镓材料层进行退火处理，使氧化铝材料层的铝原子扩散到氧化镓材料层中，以获得三元化合物半导体材料。本发明还公开了一种三元化合物半导体材料，该三元化合物半导体材料通过上述的制作方法来制作。本发明解决了通过现有的制作方法来制作的三元化合物半导体材料质量较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 化合物 半导体材料 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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- 陈鸿奎;田三河;牛健;靳颖 - 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2020-03-13 - 2023-04-07 - H01L21/324
- 本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过在立式退火炉的反应腔的上端通入少量氧气，达到控制立式退火炉的反应腔中的氧气浓度较为均匀的效果。避免了装载过程中进件口附近的空气中存在残余氧气导致反应腔底部存在氧气，而反应腔顶部没有氧气，使反应腔内的氧气浓度不一致以及各前端器件装载时间不同导致的氧化层厚度不均一。使各前端器件的多晶硅薄膜表面都形成较为一致的氧化层。避免退火过程中离子溢出而导致多晶硅薄膜的阻值的一致性差的缺陷。因此，能够提高各多晶硅薄膜的阻值的一致性，进而能够提高半导体器件的性能。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
