[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构的制造方法包含提供半导体基底，在半导体基底中形成沟槽，以第一半导体材料填满沟槽，第一半导体材料不具有掺杂物，在第一半导体材料上形成第二半导体材料，第二半导体材料中含有掺杂物，以及实施热处理，使得第二半导体材料中的掺杂物扩散至第一半导体材料中，以形成掺杂的第三半导体材料于该沟槽内。通过本发明的半导体结构制造方法所形成的半导体结构，孔隙或管道不会形成于沟槽内的半导体材料中，并且在热处理之后形成掺杂的半导体材料于沟槽内，藉此避免在后续工艺中所使用的材料流入沟槽内的掺杂的半导体材料的孔隙或管道中所引起的问题，因此提升了半导体装置的可靠度。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底中形成一沟槽；以一第一半导体材料填满该沟槽，其中该第一半导体材料不具有掺杂物；在该第一半导体材料上形成一第二半导体材料，其中该第二半导体材料中含有一掺杂物；以及实施一热处理，使得该第二半导体材料中的该掺杂物扩散至该第一半导体材料中，以形成一掺杂的第三半导体材料于该沟槽内。