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[发明专利]一种基于电气数据集成的模块化封装系统及方法-CN202310956168.9在审
发明人：李中清;张政 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于电气数据集成的模块化封装系统及方法，从电气数据库中获取电气各个模态的类，所述类包括功能块和结构体，用所述类创建对象，以将所述类实例化，从而为所述类开辟内存空间；实例化后的所述对象包括关联有所述功能块中的各个功能数据的所述输入引脚和所述输出引脚。封装库包括若干个模组封装功能单元，每个所述模组封装功能单元对应电气系统的若干功能部件中的一个；所述模组封装功能单元包括若干组引脚，所述引脚包括输入引脚和输出引脚，所述输入引脚对应电气控制动作，所述输出引脚对应电气控制结果；同组的所述输入引脚与一个或多个所述输出引脚相对应。
一种基于电气数据集成模块化封装系统方法

[发明专利]一种快速链式退火设备-CN202310893673.3在审
发明人：刘奇尧;陆凡 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速链式退火设备，用于对硅片进行退火处理，包括前过渡区、升温区、恒温区、降温区、后过渡区、传输轴，所述传输轴延水平方向依次穿过上述各区，硅片在所述传输轴上依次经过上述各区以完成退火处理。所述恒温区内底部设置有第二加热装置，顶部设置有光源装置，所述第二加热装置对硅片进行加热，所述光源装置对硅片提供光照以使硅片进一步升温，所述光源装置下方设置有单向透光隔热材料层，用于减少所述恒温区内的光反射以保持温度稳定。采用上述技术方案后，能够结合使用加热装置与光源装置使硅片快速升温，减少高温工艺时间对硅片的负面影响，并减少恒温区的光反射以保持温度稳定。
一种快速链式退火设备

[发明专利]一种太阳能电池片回填方法及装置-CN202310818332.X在审
发明人：张政;黄立根;范恒灵;臧凯 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池片回填方法及装置。涉及太阳能电池制备工艺领域，包括：调整平衡腔和卸载腔之间的回填管路至预设管径；同步根据指令控制平衡腔至卸载腔的下平衡阀选择执行第一控制，和/或第二控制，和/或第三控制，使得太阳能电池片位于由平衡腔至卸载腔的过程中，作用于太阳能电池片的压力由真空气压以动态梯度变化至大气压；其中，所述第一控制包括开时间10‑100ms，关时间100‑500ms，次数5‑30次；所述第二控制包括开时间30‑300ms，关时间100‑500ms，次数5‑30次；所述第三控制包括开时间100‑500ms，关时间100‑500ms，次数5‑30次，解决现有太阳能电池片制备过程中回填时间长且产生碎片率较高的问题。
一种太阳能电池回填方法装置

[发明专利]一种太阳能电池真空镀膜载板-CN202310847948.X有效
发明人：刘奇尧;范恒灵 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及载板技术领域，尤其涉及一种太阳能电池真空镀膜载板，包括载板本体，所述载板本体包括面板、相对设置在所述面板两侧的载板导条、相对设置在所述面板另外两侧的加强筋和开设在所述面板上的若干适于放置硅片的承载区，其中，所述承载区包括固定设置在所述面板上的第一台阶面，所述第一台阶面向所述承载区中心处延伸，且所述第一台阶面上间隔设置有若干卡点。本发明中的加强筋能根据载板本体使用场景变化位置以解决所述加强筋边缘效应问题；载板导条能引导载板本体循环运动；卡点能保证硅片不会因为高温变形陷落，载板本体和承载硅片的面板采用非连续性设计，既保证了承载稳定性又缩小了未镀膜面积。
一种太阳能电池真空镀膜

[发明专利]基于封装库文件的PLC控制系统、方法及计算机可读存储介质-CN202310956163.6在审
发明人：李中清;张政 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于封装库文件的PLC控制系统，包括设备层、属性层和操作层；所述设备层包括若干个所控制的设备，每个所述设备连接所述属性层；所述属性层包括设备组和控制组，所述设备组记载了设备的固有属性数据，包括变量部分和控制部分；所述控制组包括逻辑控制数据，包括变量部分和控制部分；所述变量部分包括全局变量和局部变量，所述全局变量包括人机交互变量和非人机交互变量；所述控制部分用于配置封装库文件。本发明的基于封装库文件的PLC控制系统高扩展性、高效性、高内聚、低风险、低成本、低耦合、维护便捷。
基于封装文件 plc 控制系统方法计算机可读存储介质

[发明专利]一种智能载板的自动化工作的控制方法及系统-CN202310338432.2在审
发明人：李中清;赵风明;上官泉元 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能载板的自动化工作的控制方法及系统，包括：获取所述智能载板的运行轨迹图，所述轨迹图中包括若干智能载板所构成的预设排列形式，所述预设排列形式包括折回式；获取目标智能载板在所述轨迹图中的位置；统计在预设时间段内上料过程段的所述智能载板的上料量和下料过程段的所述智能载板的下料量；获取所述智能载板的的实时温度并显示；获取所述智能载板在每个位置的掉片、卡片和漏吸情况并显示；分别获取上料过程段和下料过程段的报警情况并显示。
一种智能自动化工作控制方法系统

[发明专利]一种太阳能电池发射极制备方法-CN202211567518.4在审
发明人：刘奇尧;上官泉元 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池发射极制备方法，制备步骤包括：1）、采用等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射物理气相沉积法在N型晶硅衬底的正面沉积硼掺杂非晶硅层；2）、采用等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射物理气相沉积法在硼掺杂非晶硅层的表面沉积覆盖保护层；3）、对完成硼掺杂非晶硅层、覆盖保护层沉积的N型晶硅衬底进行退火处理后，清洗去除N型晶硅衬底表面残留的硼掺杂非晶硅层、覆盖保护层。本方案无绕扩问题、扩散过程温度低、时间短、扩散质量均匀可控，能耗成本大大降低，利于生产成本的控制，制备过程无氧气介入，彻底解决了硼氧复合体导致组件功率衰减的问题，进一步提升电池效率。
一种太阳能电池发射极制备方法

[发明专利]硼掺杂选择性发射极的制备方法及N型晶体硅太阳能电池-CN202211531239.2在审
发明人：上官泉元;刘奇尧 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及电池制造技术领域，具体涉及一种硼掺杂选择性发射极的制备方法及N型晶体硅太阳能电池，具有以下步骤：S1，N型硅片清洗制绒；S2，沉积掺硼非晶硅层B1作为轻掺杂区硼源；S3，沉积氮化硅层；氮化硅覆盖层可以替换为碳化硅，氮氧化硅等。S4，沉积掺硼非晶硅层B2；S5，使用激光按照一定图形，烧熔部分硅基体、B1层、氮化硅层和B2层；S6，将硅片放置于高温退火炉管退火；S7，清洗掉B1层、氮化硅层和B2层，完成选择性发射极制备。本发明，氮化硅层作为掺硼非晶硅阻挡层，提升非晶硅扩散速度，降低推进步温度和时间，同时实现无氧工艺，改善同心圆问题；使用退火炉结合激光的方法实现掺杂剂的扩散和推进，避免了高能耗问题。
掺杂选择性发射极制备方法晶体太阳能电池

[实用新型]一种护板-CN202223210119.0有效
发明人：范恒灵 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种护板，包括基板，所述基板连接有平行设置的多个护板主体，每两个所述护板主体之间用以放置旋转靶材，所述护板主体的两端连接有挡板。本实用新型基片镀膜速度快的区域增加护板主体遮挡区域，降低基片上的沉积厚度使得旋转靶材所有工艺位置的膜厚均匀性。其次，由于护板主体的存在大量镀膜副产物会被护板主体收集，可以使工艺气体较为均匀的到达旋转靶材表面。由于旋转靶材两端镀膜速度较快，本实用新型在护板主体上还设有挡板，使得沉积物溅射镀在护板主体表面而不是基片表面，减少沉积到基片上的膜层，可以改善纵向镀膜位置的均匀性。
一种

[发明专利]一种具有氮化钛层的钝化接触电池金属化结构-CN202211581218.1在审
发明人：刘奇尧;上官泉元 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有氮化钛层的钝化接触电池金属化结构。本发明的技术方案是：包括在晶硅衬底上依次沉积的隧穿氧化层、掺杂晶硅层、氮化钛层、氮化硅层以及铝电极，所述铝电极采用丝网印刷工艺制备，烧结时，铝浆烧穿氮化硅层后到达至氮化钛层，所述氮化钛层采用物理气相沉积法制备，以钛靶材或氮化钛靶材为溅射源，通入NH3或H2使得氮化钛薄膜富氢。本发明提供的方案解决了现有技术中钝化接触电池的隧穿氧化层易被浆料烧穿的难题且可以使用更薄的掺杂非晶硅层，降低镀膜成本和吸光损失；还可以匹配价格低廉的铝浆料，大大降低制造成本。
一种具有氮化钝化接触电池金属化结构

[发明专利]一种TOPCon电池选择性发射极和钝化接触结构的制备方法-CN202211531689.1在审
发明人：上官泉元;刘奇尧 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及电池制造技术领域，具体涉及一种TOPCon电池选择性发射极和钝化接触结构的制备方法，使用板式工艺在电池正面和背面分别制备硼掺杂和磷掺杂层，正面的硼掺杂层，氮化硅覆盖层和背面的隧穿氧化层、磷掺晶硅薄层可以同一台设备进行工艺，并且两者的高温杂质激活可以同步进行；板式工艺下镀膜制备掺杂层具有良好的“选择性”避免绕镀；在硼掺杂层之外覆盖氮化硅层，解决硼难以激活的问题。
一种 topcon 电池选择性发射极钝化接触结构制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202211430889.8在审
发明人：上官泉元;刘奇尧 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及TOPCon电池制造技术领域，具体涉及一种TOPCon电池及其制备方法，由上至下具有隧穿氧化层、第一掺杂晶硅层、至少一层第一氮化硅、第二掺杂晶硅层、至少一层第二氮化硅、介质层。制备时在电池背面设置多组膜层，其中隧穿氧化层和第一掺杂晶硅层和第二掺杂晶硅层之间使用第一氮化硅隔绝，使得第一掺杂晶硅层可以用低掺杂浓度匹配超薄隧穿氧化层。第二掺杂晶硅层掺杂高浓度降低多晶硅传输电阻。第一氮硅保护层也可以在多晶硅热处理过程中提供H钝化，隧穿氧化截面的悬挂键。第二氮化硅和复合在第二氮化硅的介质层形成增透减反结构，提升电池电流。同时这两层膜也可以作为浆料阻挡层，阻挡浆料烧穿背面钝化结构。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种N型TOPCon电池超薄隧穿钝化结构和快速退火的方法-CN202211429759.2在审
发明人：上官泉元;刘奇尧 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型TOPCon电池超薄隧穿钝化结构，包括氧化层和掺杂晶硅层。所述氧化层的厚度为0.8‑1.2nm，所述掺杂晶硅层的厚度为30‑120nm。本发明制作的N型TOPCon电池超薄隧穿钝化结构氧化层薄，隧穿接触电阻低，载流子传输速率高。开压相较厚氧化层可以提升2mV。本发明采用的方法退火时间短，降低能耗，工艺时间缩短15分钟以上。
一种 topcon 电池超薄钝化结构快速退火方法

[实用新型]一种硅片载板升降系统-CN202222943072.2有效
发明人：曹振华 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-11-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B66F7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及自动化设备技术领域，具体涉及一种硅片载板升降系统。本实用新型涉及一种硅片载板升降系统，包括：机座、升降模组载板承载台和升降模组，所述机座为矩形框架结构，所述载板承载台固定在所述升降模组活动端；其中载板水平移动到载板承载台上后，所述升降模组能够驱动载板承载台向上滑动。本实用新型结构简单，操作简便，通过单电机驱动两侧同步带同步运动，运行平稳、快速、静音，不会出现卡死和抖动的问题，提高了工作效率。
一种硅片升降系统

[实用新型]一种用于真空镀膜承载硅片的载板-CN202222631687.1有效
发明人：庄正军;范恒灵;上官泉元 -专利权人： 江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池生产设备技术，具体涉及一种用于真空镀膜承载硅片的载板。本实用新型涉及一种用于真空镀膜承载硅片的载板，所述拼接板的至少一侧设置有若干锯齿；相邻两锯齿之间设置有一齿槽，所述齿槽与所述锯齿相适配，其中相邻两拼接板拼接时，所述加强筋覆盖在拼接处用于固定连接相啮合的两锯齿条。本实用新型结构解决了碳纤维材料原料由于制造技术限制宽度不够，无法满足真空镀膜载板宽度要求的问题。通过本实用新型技术拼接，简化了生产加工，降低了生产成本，同时加强筋和锯齿条的设置不仅增加了两拼接拼接板的稳定性，还保证了拼接板的整体刚性。
一种用于真空镀膜承载硅片

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