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[发明专利]一种AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体-CN202310834469.4在审
发明人： 刘明睿;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科;吕顺鹏;臧行;贾玉萍 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体，在氮气氛围下，对AlScN薄膜进行热退火处理，通过在氮气氛围下的热退火处理后的AlScN薄膜结晶质量有所提升，漏电流相比于退火之前降低了4个数量级，铁电性能得到明显增强。该方法退火温度低、操作流程简单，具有广阔应用前景，对基于AlScN的半导体器件性能提升及大规模应用具有重要意义。
一种 alscn 薄膜处理方法改性氮化物铁电体

[外观设计]电动车车筐（Super73 S2）-CN202330183375.6有效
发明人： 刘明睿 -专利权人：深圳市月玺海洋文化传播有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： 12-11 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电动车车筐（Super73 S2）。2.本外观设计产品的用途：用于电动车的车筐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电动车车筐 super73 s2

[发明专利]一种厨房烹饪区的高压蒸汽自动化清洁装置-CN202310637526.X在审
发明人：杨林君;陈建勇;魏健骦;宋春晖;刘明辰;杨勇军;张祉祺;刘明睿;周荃睿 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A47L11/34 文献下载
摘要：本发明涉及清洁设备技术领域，公开了一种厨房烹饪区的高压蒸汽自动化清洁装置，包括移动装置、清洁装置、驱动装置与控制系统；所述移动装置包括水平导轨、竖直滑轨与水平移动架；所述清洁装置包括高压蒸汽机、传感器组件与清洁组件；所述驱动装置包括用于驱动所述竖直滑轨在所述水平导轨上移动的第一电机、驱动所述水平移动架在所述竖直滑轨上移动的第二电机、驱动所述清洁装置在所述水平移动架上移动的第三电机；所述高压蒸汽机、传感器组件、第一电机、第二电机与第三电机均与所述控制系统电连接。本发明装置通过各结构的配合，共同实现对污渍的清洁，本装置集智能、便捷与高效清洁为一体的自动清洁装置，大大提高清洁效率。
一种厨房烹饪高压蒸汽自动化清洁装置

[发明专利]一种AlScN/nGaN异质结忆阻器及制备方法-CN202310834481.5在审
发明人：孙晓娟;刘明睿;黎大兵;吕顺鹏;蒋科;臧行;贾玉萍;贲建伟 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN/nGaN异质结忆阻器及其制备方法，包括自下至上依次设置的衬底、氮化物成核层、氮化物外延层、n型氮化物底电极、AlScN铁电层及顶电极，以及与所述n型氮化物底电极接触的金属电极，AlScN作为一种新型氮化物铁电材料，兼具优异的铁电性能以及宽禁带半导体特性，结合AlScN材料的铁电极化对铁电/半导体异质结界面势垒的调控以及氮化物半导体中陷阱辅助的导电机制，在不改变AlScN铁电极化方向的基础上实现忆阻功能，实现非破坏性读取，并通过调控铁电极化的大小实现多级存储，且该忆阻器具有典型的双极性阻抗开关特性，开关比大于103，符合忆阻器的应用需求。该两端器件结构制备方法简单、性能稳定、且与主流的CMOS工艺具有更大的兼容性。
一种 alscn ngan 异质结忆阻器制备方法

[外观设计]电动车车筐（Super73 RX）-CN202330183376.0有效
发明人： 刘明睿 -专利权人：深圳市月玺海洋文化传播有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： 12-11 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电动车车筐（Super73 RX）。2.本外观设计产品的用途：用于电动车的车筐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
电动车车筐 super73 rx

[发明专利]一类1,4-二氢萘结构的化合物的合成方法-CN202310288439.8在审
发明人：徐文刚;陶娟;吴明铂;张巧;刘明睿;邵琦;夏丛剑;张洪晨 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本公开涉及由以下反应式(1)表示的一类1,4‑二氢萘结构的化合物的合成方法，所述合成方法在Ir(dF(CF3)ppy)2(dtbbpy)PF6、巯基乙酸乙酯、碳酸铯的存在下，采用蓝色光辐照2‑萘衍生物和N杂环卡宾类硼烷发生光催化反应，得到1,4‑二氢萘结构的化合物。根据本公开的合成方法操作安全简单、成本较低、反应条件温和，同时有着较广的底物范围，为1,4‑二氢萘结构类化合物的合成提供了一条绿色、高效、安全的途径。
一类二氢萘结构化合物合成方法

[发明专利]一种消息通知方法以及相关装置-CN202111584481.1在审
发明人：陈家宝;麦才坚;刘明睿 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H04L41/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种消息通知方法以及相关装置，通过对用户角色的推理，将同一主题消息进行动态过滤，将合适的内容发送给不同的用户，从而不需要在同一主题消息的情况下给不同用户提供多种模板，减少用户订阅出错，也减少消息缓存量。该消息通知方法，主要应用于消息通知装置，该消息通知装置接收第一主题消息；然后该消息通知装置根据用户特征和通知规则对该第一主题消息进行裁剪得到第一通知消息，其中，该用户特征为订阅该第一主题消息的第一用户的用户特征，该通知规则用于指示用户特征与通知消息之间的对应关系；最后该消息通知装置将该第一通知消息发送至该第一用户对应的第一终端设备。
一种消息通知方法以及相关装置

[发明专利]一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法-CN202111508237.7在审
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;谢智伟;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机铁电增强中子辐射探测器及其制备方法，该探测器包括底电极、半导体中子辐射探测器、有机铁电增强层和顶电极；本发明的有机铁电增强中子辐射探测器，突破传统聚乙烯中子转化层只能实现中子转化的固有属性，有机铁电增强层的材料为含有氢元素的有机铁电材料，不仅能实现中子转化，同时还具有铁电强极化特性，同时具备中子转化和铁电场增强的双重功能，在中子转化的同时给半导体探测器提供高的电场，在低偏压下实现高的探测效率。
一种有机增强中子辐射探测器及其制备方法

[发明专利]一种异质结高能粒子探测器及其制备方法-CN202111508220.1在审
发明人：贾玉萍;黎大兵;孙晓娟;刘明睿;石芝铭 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/118 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结高能粒子探测器及其制备方法，该异质结高能粒子探测器，包括底电极、衬底、半导体材料层、高原子序数二维材料层和顶电极，选择具有高原子序数的二维材料层可以实现高能粒子的有效碰撞，提高粒子响应效率，结合高能粒子在半导体材料中产生高能粒子碰撞，产生载流子，两个区域的载流子同时形成探测电荷信号，大幅增强了探测器的探测能力，同时，二维材料层和半导体材料层可以形成异质结甚至PN结，通过异质结内建电场实现载流子进行分离和传输，再次提高探测器的探测性能。
一种异质结高能粒子探测器及其制备方法

[发明专利]碳点及其制备方法、光催化硼氢化方法-CN202310136347.8在审
发明人：徐文刚;刘明睿;吴明铂;张巧;陶娟 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明公开一种碳点及其制备方法、光催化硼氢化方法。具体地，本发明涉及一种集光催化与氢原子转移催化于一体的双功能碳点及其制备方法，以及以所述碳点为催化剂的光催化硼氢化方法。本发明采用廉价易得的柠檬酸、乙二胺以及少量的硫醇为原料，通过水热加热及后续处理即可得到碳点，合成过程极其简单且易操作。所述双功能碳点中有含S‑H的官能团，使其具有氢原子转移催化功能，在室温条件下，即可对含不饱和键类化合物如肉桂酸乙酯或其衍生物进行光催化硼氢化反应，为有机硼化合物的合成提供了一条绿色、高效、安全的途径。
及其制备方法光催化氢化

[发明专利]一种工业厂区用流水线产品检测设备-CN202111375251.4有效
发明人：代仕悦;王文杰;戴君豪;刘明睿 -专利权人：湖北工业大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B65G43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业厂区用流水线产品检测设备，包括检测单元、基座、移送单元与排料单元，检测单元左端设置有基座，基座上表面设置有移送单元，移送单元上方设置有排料单元；所述检测单元包括机架，机架左部分设置有基座，机架右部分上设置有链传动机构，链传动机构上均匀设置有若干个用于吸附灯泡灯头的吸盘，链传动机构的右部分依次设置有三个检测组件，所述检测组件上设置有用于给灯泡供电的电源；本发明可以解决目前对于组装完成的灯泡进行夹取移送时，存在以下问题：现有的灯泡组装后，是通过人工对灯泡进行排列规整，这样不仅无法规则排列灯泡，还会影响灯泡的检测效率。
一种工业厂区流水线产品检测设备

[发明专利]一种多色探测器及制备方法-CN202310064034.6在审
发明人：孙晓娟;贾玉萍;黎大兵;蒋科;刘明睿;吕顺鹏;石芝铭;臧行;陈洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供的多色探测器及制备方法，包括：导电衬底、置于导电衬底上表面的宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层、置于宽禁带半导体雪崩放大光电探测结构层上表面的可见‑红外吸收层、置于可见‑红外吸收层上的透明电极及置于导电衬底下表面的底电极层，本申请提供的多色探测器，将宽禁带半导体的载流子雪崩性能与二维材料的可见和红外吸收相结合，利用二维材料作为吸收层，再通过外电场使得在二维材料中产生的光生载流子输运到宽禁带半导体中，实现倍增，获得高响应度可见‑红外探测；且在一个探测单元通过宽禁带半导体自身的雪崩倍增效应实现紫外倍增探测，利用二维材料结合宽禁带半导体倍增效应实现可见‑红外倍增探测，得到高性能多色探测器。
一种多色探测器制备方法

[实用新型]一种电缆沟自动排水系统-CN202220460214.7有效
发明人：张猛;刘明睿;杨国;万里;蒲会双;朱学明;张建;张斌 -专利权人：山东莱钢永锋钢铁有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： E03F5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电缆沟自动排水系统，包括电缆沟和集水池，电缆沟和集水池分别位于配电室墙体内外两侧，还包括过渡水箱、水泵和液位球开关，水泵固定安装在过渡水箱内底部，水泵的进水端和出水端分别连通连接有支管和出水管，出水管一端与集水池连通连接，电缆沟底部通过引水管与过渡水箱连通连接，液位球开关固定安装在过渡水箱顶部。本实用新型自动化程度高，无需工作人员手动操作，节省人力，当电缆沟中积水多时，过量的积水进入到过渡水箱，过渡水箱中水位将逐渐增高，当触碰到液位球开关的浮球时，浮球上浮将开启水泵，水泵能够同时抽取引水管和过渡水箱中的水，通过出水管排入集水池，提高了排水的效率。
一种电缆沟自动排水系统

[发明专利]一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用-CN202310064004.5在审
发明人：孙晓娟;臧行;黎大兵;石芝铭;蒋科;贲建伟;吕顺鹏;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种长程铁磁性GaN材料及其制备方法和应用。本发明的制备方法，方波脉冲温度对应的低温为500～700℃，在低温沉积时在衬底形成堆垛失配闪锌矿GaN结构层，方波脉冲温度对应的高温为800～1000℃，在高温沉积时在堆垛失配闪锌矿GaN结构层上沉积形成纤锌矿结构的GaN层，并掩埋堆垛失配闪锌矿GaN结构层。本发明通过控制温度呈周期性方波脉冲变化，在GaN中形成具有长程铁磁序的堆垛失配晶界，不引入其它磁性杂质，对反应腔室不存在污染；对堆垛失配闪锌矿GaN结构的能带进行模拟，确认自旋极化性质存在，在此基础上，根据平均场近似，预测居里温度，确认在温度高于室温条件下，长程磁序仍能保持。
一种长程铁磁性 gan 材料及其制备方法应用

[发明专利]一种MOCVD反应腔及材料生长的方法-CN202310064077.4在审
发明人：张山丽;黎大兵;孙晓娟;吕顺鹏;贲建伟;蒋科;石芝铭;刘明睿 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本申请提供的MOCVD反应腔及材料生长的方法，包括：反应腔本体、设置于所述反应腔本体内的排气环、激光单元及激光控制单元，所述排气环包括外排气环及套设所述外排气环的内排气环，所述内排气环的内表面上安装有所述激光单元，所述外排气环的内部安装有所述激光控制单元，所述激光单元的激光有紫外和红外两个波段，所述激光控制单元用于控制所述激光的开关、激光功率、及光斑大小，上述MOCVD反应腔及材料生长的方法，通过探测衬底表面温度，同时，将该温度信号反馈给激光控制单元，激光控制单元根据分析结果，改变激光光斑的大小和激光功率的大小，进而实现提高反应室的生长温度和温场的均匀性的目的，最终提高外延材料的晶体质量，不但可以实现高效的p型掺杂，同时还可以实现精准控温，提高设备的温场均匀性和材料的生长温度。
一种 mocvd 反应材料生长方法

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