[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
申请号: | 201910899412.6 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN112542506A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 王楠 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐嘉 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法,其形成方法包括:提供衬底,衬底上形成有鳍部,鳍部包括密集区和稀疏区;在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构和源漏掺杂层,源漏掺杂层位于栅极结构两侧的鳍部内;在衬底上形成介质层,介质层覆盖栅极结构的顶部;在稀疏区的栅极结构一侧的介质层内形成第一通孔,第一通孔的底部暴露出栅极结构的顶部侧壁。本发明由于形成的第一通孔的深度变浅,后续在第一通孔内填充的金属层时,能够在第一通孔内填充金属层的体积量减少,从而使得栅极结构与源漏掺杂层连接处产生的寄生电容得到减少,使得形成的半导体器件的使用性能和质量得到提高,使用的灵敏度得到提升。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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