[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201910524384.X | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110718520A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 任京彬;金圣协;金孝柱;李镐昌;罗正玟 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768 |
代理公司: | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞,其中,通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至‑100MPa。 | ||
搜索关键词: | 通孔 绝缘膜 衬底 半导体器件 残余应力 内壁 芯塞 填充 穿透 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:/n衬底;/n通孔,穿透所述衬底;/n通孔绝缘膜,沿着所述通孔的内壁形成;以及/n芯塞,填充所述通孔,/n其中,所述通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。/n
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