[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201880088497.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111670502A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 内田光亮;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/302;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅衬底的第一主表面设置有第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽由第一侧表面和第一底表面限定。第二沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区和第四杂质区。第一绝缘膜与第一侧表面和第一底表面中的每一个接触。栅电极设置在第一绝缘膜上。第二绝缘膜与第二侧表面和第二底表面中的每一个接触。第二杂质区具有电连接到第四杂质区并且沿着第二侧表面朝向第四杂质区延伸的连接区。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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