[实用新型]一种准分子激光退火装置有效
| 申请号： | 201720202711.6 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN206480599U | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;李小龙 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种准分子激光退火装置，该准分子激光退火装置包括激光产生单元和工艺腔室，所述工艺腔室内设置有用于检测待处理基板上各位置的实际厚度的厚度检测单元；所述准分子激光退火装置还包括与所述厚度检测单元连接、用于根据厚度检测单元检测到的所述待处理基板上各位置的实际厚度来判断所述待处理基板是否为异常基板的基板判断单元。本实用新型提供的准分子激光退火装置可在激光退火工艺开始之前有效识别出异常基板，并自动将异常基板运输出工艺腔室外，从而避免异常基板进行激光退火工艺。本实用新型的技术方案可降低激光退火工艺中待处理基板发生碳爆的概率，从而有效避免准分子激光退火设备被污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准分子激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种准分子激光退火装置，包括：激光产生单元和工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室内设置有用于检测待处理基板上各位置的实际厚度的厚度检测单元；所述准分子激光退火装置还包括：与所述厚度检测单元连接、用于根据厚度检测单元检测到的所述待处理基板上各位置的实际厚度来判断所述待处理基板是否为异常基板的基板判断单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720202711.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 激光退火装置及方法-201610516604.0
- 崔国栋;马明英;朱树存;孙刚 - 上海微电子装备（集团）股份有限公司
- 2016-07-01 - 2019-10-25 - H01L21/268
- 本发明提供了一种激光退火装置及方法，该退火装置包括：所述激光光源分系统，被所述主机控制，生成并输出激光；所述温度监测分系统，监测硅片表面所述激光照射位置处的温度，并反馈至所述主机；所述光学分系统，被所述主机控制，对所述激光光源分系统输出的激光进行整形和传输，得到光强均匀分布的光斑；所述空间光强调制分系统，被所述主机控制对所述光学分系统出射的激光进行调制，使入射至所述硅片表面处的光斑的光强分布与所述硅片表面的反射率相对应，从而使得所述硅片表面各光斑位置处所吸收能量相一致，且该能量能够依据所监测的温度确定；所述主机依据所述温度监测分系统的反馈控制所述激光光源分系统、光学分系统和空间光强调制分系统。
- 一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统-201920483229.3
- 叶昱均 - 陕西坤同半导体科技有限公司
- 2019-04-11 - 2019-10-18 - H01L21/268
- 一种用于制作多晶硅薄膜的激光照射系统，包括：激光光源，提供连续式固体激光；准分子激光光源，提供准分子激光；控制单元，控制激光光源提供连续式固体激光经过反射镜反射至聚焦透镜，经由聚焦透镜将连续式固体激光照射设置在基板上的非晶硅薄膜的表面，使得部份非晶硅薄膜的表面形成结晶以及在部份非晶硅薄膜形成结晶之后，控制单元再控制准分子激光光源提供准子激光照射非晶硅薄膜的其余表面，使得非晶硅薄膜完全形成多晶硅薄膜；以及退火反应腔，用以容置激光光源，准分子激光光源及光学组件，据此，采用分段式的激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜，可以有效增加多晶硅的结晶率。
- 基板制造方法-201910177308.6
- 池野顺一;山田洋平;铃木秀树;野口仁 - 信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学
- 2019-03-08 - 2019-09-17 - H01L21/268
- 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
- 一种具有能量补偿的激光退火装置及退火方法-201510140856.3
- 兰艳平;宋春峰 - 上海微电子装备（集团）股份有限公司
- 2015-03-27 - 2019-09-17 - H01L21/268
- 本发明公开了一种具有能量补偿的激光退火装置，包括控制系统、载片台，红外激光器和脉冲激光器，所述红外激光器发出红外激光采用布儒斯特角对硅片进行预热，所述脉冲激光器发出脉冲激光，采用布儒斯特角对所述硅片进行退火；所述红外激光和所述脉冲激光二者能量可调可叠加。本发明还公开了一种激光退火方法。本发明提供的具有能量补偿的激光退火装置，采用布儒斯特角对硅片进行退火，温度驻留时间在微秒量级，驻留时间短，可降低离子热扩散；不需要对工件台预热，热预算较小，避免带来热应变，减小热应力变形，减小对套刻精度的影响。红外激光和脉冲激光二者能量可调可叠加，可以避免图案效应问题，简化了机械结构，节约成本。
- 一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法-201610591886.0
- 刘铎;贾冉;赵东方;高乃坤;颜为山;张玲 - 山东大学
- 2016-07-26 - 2019-09-17 - H01L21/268
- 本发明涉及一种利用半导体极性场提高热电子注入效率的方法。该方法的具体步骤包括：选取合适的极性半导体并判断其极性场的方向，在有利于电子注入的极性面上制备可以产生热电子的结构，选取合适方法激发热电子的产生，在半导体极性场的作用下促进热电子的注入。本发明所采用的方法谱适性高，可以适用于各种热电子的应用领域。本发明还大大扩展了热电子产生材料的选择性，不仅仅局限于必须与半导体形成肖特基接触的金属。另外，由于半导体极性场一般都远大于肖特基结的电场，也大大提高了热电子的注入效率。
- 热处理装置、热处理方法和半导体装置的制造方法-201880007204.4
- 物种武士;川濑佑介;南竹春彦;巽裕章;金田和德 - 三菱电机株式会社
- 2018-01-18 - 2019-09-06 - H01L21/268
- 热处理装置(21)具备：振荡出激光(L)的激光振荡部(1)、保持被激光(L)照射的照射对象物(31)的工件台、将从激光振荡部(1)振荡出的激光(L)引导至照射对象物(31)的光学系统(2)、以及使光学系统(2)与照射对象物(31)的位置关系相对地变化的移动部。另外，热处理装置(21)具备：检测部(9)，检测激光(L)在照射对象物(31)的表面被反射后的第一反射光(R1)的功率；以及判定部(10)，基于由检测部(9)检测出的第一反射光(R1)的功率的检测值，判定在照射对象物(31)中被激光(L)照射的区域的表面温度有无变化。
- 激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-201780079804.7
- 水村通伸 - 株式会社V技术
- 2017-12-27 - 2019-08-09 - H01L21/268
- 玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性有可能产生偏差。本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，该非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设置于该投影透镜上，具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与该规定方向平行设置的多个列，该投影透镜经由该投影掩模图案而照射该激光，该投影掩模图案的该规定数量的开口部的至少一部分在各个该多个列中未被配置在与该规定方向平行的一条直线上。
- 一种精密选区激光退火装置-201920153030.4
- 安海岩;王威;徐豪;于海 - 武汉锐晶激光芯片技术有限公司
- 2019-01-29 - 2019-07-26 - H01L21/268
- 本实用新型提供了一种精密选区激光退火装置，包括：本体，所述本体包括上下两个容置空间，为第一、第二容置空间；激光发射装置在所述第一容置空间内部顶端，发射出不同波段的激光光源；振镜单元位于所述第一容置空间内，接收激光光源并进行传输；透镜单元设置在所述第一容置空间与所述第二容置空间的连接面上，样品台设置在所述第二容置空间内部底面的基座上，用于放置样品，所述样品接收从所述透镜单元透射的激光，且，所述基座的高度可进行调节。解决退火位置不能精确选择，退火过程复杂且不可控，工作效率低的技术问题。达到自由空间区域的精密选择，通过激光聚焦直接加热的方式在退火温度及退火速率方面获得更高的提升的技术效果。
- 一种激光退火装置及其退火方法-201510149021.4
- 王成才;兰艳平;徐建旭 - 上海微电子装备（集团）股份有限公司
- 2015-03-31 - 2019-07-23 - H01L21/268
- 本发明公开了一种激光退火装置及其退火方法，该退火装置包括第一退火光路系统、第二退火光路系统和合束光路系统，第一退火光路系统包括可见激光光源、与可见激光光源对应的可见激光光路系统和第一能量监测单元；第二退火光路系统包括近红外激光光源、与近红外激光光源对应的近红外激光光路系统、第二能量监测单元和能量调节单元；近红外激光光路系统包括近红外激光光源位置调节单元；合束光路系统设于可见激光光路系统和近红外激光光路系统之后，工件台之前。本发明通过能量调节单元和近红外激光光源位置调节单元分别对两束退火光斑的相对尺寸和位置进行调整以控制退火的驻留时间和退火温度，达到硅片不同位置的退火需求，提高了系统的退火性能。
- 激光退火装置和激光退火方法-201680091147.3
- 中川英俊 - 堺显示器制品株式会社
- 2016-09-28 - 2019-07-09 - H01L21/268
- 一种激光退火装置，用于处理基板，所述激光退火装置具备照射部，所述照射部中，由1个以上透镜构成的透镜列以第一间隔配置若干列，所述基板具有若干列第一区域列和若干列第二区域列，所述第一区域列是由1个以上照射对象区域构成的区域列并以所述第一间隔进行配置，从所述第一区域列开始，沿着与所述区域列垂直的方向向一侧离开小于所述第一间隔的第二间隔，在该处配置所述第二区域列，所述照射部在对所述基板进行扫描时，通过所述透镜对所述照射对象区域进行激光照射，在由含有第一和第二区域列的若干个区域列构成的一列像素单元列内，对于其中至少1种区域列，与其它种类的区域列相比，所述激光退火装置使用不同的透镜列进行激光照射。
- 一种改善闪存器件数据保存能力的方法-201910157171.8
- 蔡彬;陈昊瑜;王奇伟 - 上海华力微电子有限公司
- 2019-03-01 - 2019-06-14 - H01L21/268
- 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善闪存器件数据保存能力的方法，包括：步骤S1，提供已完成前段工艺的晶圆；步骤S2，于晶圆的表面生长可透射紫外光的保护层；步骤S3，对晶圆进行紫外光照射；步骤S4，进行第一层金属互连层工艺，并以保护层作为第一层金属互连层工艺的刻蚀停止层；步骤S5，对晶圆进行后续工艺。本发明技术方案的有益效果在于：通过对晶圆进行紫外光照射，有效地降低存储单元内部及周围的移动电荷密度，使闪存器件的初始阈值电压保持较好的均匀性，改善存储单元的数据保存能力，尤其对于金属层次较多或者存储容量较大的闪存器件效果明显。
- 激光晶化装置-201810454536.9
- 朴喆镐;芮相宪;秋秉权 - 三星显示有限公司
- 2018-05-14 - 2019-06-11 - H01L21/268
- 本发明公开一种激光晶化装置。激光晶化装置包括：激光发生器，用于产生入射激光束；光学系统，通过对入射激光束进行光转换来生成出射激光束；相移掩模(phase shift mask)，用于使出射激光束的相位在已设定的移动角度范围内移动；以及平台，用于安装包含对象薄膜的基板，所述对象薄膜通过被照射出射激光束来被激光晶化。
- 一种多晶硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和阵列基板-201710300589.0
- 田雪雁 - 京东方科技集团股份有限公司
- 2017-05-02 - 2019-06-07 - H01L21/268
- 本发明实施例公开了一种多晶硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和阵列基板。该多晶硅薄膜的制作方法包括：对基板上的非晶硅层进行第一次激光照射，结晶形成多晶硅层；在该多晶硅层上形成栅极绝缘层；采用连续激光器发出的激光对多晶硅层进行第二次激光照射，将该多晶硅层的近表面或浅表面融化并实现再次结晶。本发明实施例解决了采用现有技术制作的多晶硅薄膜，由于形成的晶粒较小，存在众多分布不均的晶粒间界，以及晶粒间界间存在较为严重的凸起，而导致将该多晶硅薄膜应用于薄膜晶体管时，薄膜晶体管的阈值电压不均匀以及漏电流较大的问题。
- 半导体层-201821715301.2
- 林建宏;刘振宇 - 宸鸿光电科技股份有限公司
- 2018-10-23 - 2019-06-07 - H01L21/268
- 一种半导体层包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光区域与透光区域，部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分。第二结晶部分是由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分而形成。第一结晶部分是第一部分的晶格重新排列而形成。利用闪光灯搭配光罩照射而达成较大面积的结晶，且半导体层的不同部分可具有不同的结晶特性。
- 激光处理装置和激光处理方法-201780064615.2
- 郑石焕;町田政志 - 株式会社日本制钢所
- 2017-10-10 - 2019-06-04 - H01L21/268
- 本发明提供一种激光处理装置和激光处理方法。激光处理装置包括使被处理体和激光中的一方或双方移动的扫描移动部；将激光照射到被处理体的激光照射部；以及对被处理体上被激光照射的照射区域至少释放第一气体的气体释放部，气体释放部在面向正在被激光照射的被处理体的位置上具有整流面，在整流面上设置有释放第一气体的第一气体释放口；以及至少在扫描方向上在第一气体释放口的双边外侧设有第二气体释放口和气体前后吸引口中的一方或双方，该第二气体释放口对正在被激光照射的被处理体释放第二气体。
- 一种碳化硅表面微结构白光发光图案的加工方法-201610312525.8
- 季凌飞;王思聪;吴燕;胡莉婷;闫胤洲;蒋毅坚 - 北京工业大学
- 2016-05-11 - 2019-05-31 - H01L21/268
- 本发明涉及一种碳化硅表面微结构白光发光图案的加工方法，该方法包括：使用皮秒激光对原材料进行扫描辐照，得到具有特定波纹状表面微结构图案；再使用紫外光辐照微结构图案获得激发的白光发光。本发明的有益效果为：激光能量、离焦量和扫描次数等参数的组合可以实现对SiC表面白光发光图案发光光谱较高的可控性，能在一定范围内对其发光光谱进行调制，实现接近太阳光的白光发光；采用编程语言及脚本语言，如VBScript脚本程序设计激光直写扫描路径，实现任意指定图案的激光直写，控制制备白光发光图案的形状；使用的激光扫描系统可对加工图案进行精确定位，且扫描速度可达2000mm/s，便于进行批量、大面积的加工。
- 半导体晶粒退火方法-201810605779.8
- 叶昕豪 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-06-13 - 2019-05-28 - H01L21/268
- 本公开提供一种半导体晶粒退火方法。在此方法中，接收与一半导体晶粒的布局相关的信息。根据所接收的信息，获得在半导体晶粒上的至少一退火轨迹。根据所接收的信息，对半导体晶粒的多个对准记号执行一对准程序。根据对准记号，定位半导体晶粒。沿着退火轨迹投射具有一第一激光参数的一激光束至所定位的半导体晶粒上，以退火所定位的半导体晶粒的一第一部分，第一部分由退火轨迹所覆盖。再者，所定位的半导体晶粒通过退火轨迹被部分地覆盖。
- 激光退火装置及激光退火方法-201580044475.3
- 城户淳二 - 城户淳二
- 2015-08-19 - 2019-05-28 - H01L21/268
- 一种激光退火装置及激光退火方法，其在短时间内有效地进行是否适当地进行了激光退火处理的确认工序。激光退火装置(1)具备：激光源(2)；激光照射光学系统(3)，将从激光源(2)射出的激光照射至处理对象基板(W)的处理区域(Sn)；照明光源(4)，射出可见光区的照明光；照明光学系统(5)，将从照明光源(4)射出的光照射至处理区域(Sn)；及光谱检测部(6)，检测出在用激光进行了退火处理的处理区域(Sn)反射的可见光区的光，并输出其光谱特征。
- 一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件-201811474382.6
- 罗志鹏;罗家俊;赵发展 - 中国科学院微电子研究所
- 2018-12-04 - 2019-05-24 - H01L21/268
- 本发明公开一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件，方法包括：在SiC衬底上形成氧化层；对形成氧化层后的SiC衬底进行紫外辐照，并在辐照的过程中，采用含N元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火，其中，紫外辐照能打断SiC与氧化层的界面缺陷的化学键，并且在紫外辐照的协助下能使N元素与界面C原子的反应更易进行，使钝化效果更彻底；在退火后的SiC衬底上完成SiC器件制备。本发明提供一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件，减少了SiC器件的界面缺陷，提高了器件的可靠性。
- 一种硅片的处理装置-201821404008.4
- 尹海鹏;黄卓;周艳方 - 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
- 2018-08-29 - 2019-05-21 - H01L21/268
- 本实用新型公开了一种硅片的处理装置，包括工作台、一个或多个用于放置硅片的样品台、光学系统和激光发生器，所述样品台和所述光学系统设置在所述工作台上，所述激光发生器设置在所述工作台的上方。该处理装置设备体积小、能耗低，安全性高、无环境危害。
- 芯片的制造方法-201811200560.6
- 淀良彰;赵金艳 - 株式会社迪思科
- 2018-10-16 - 2019-04-30 - H01L21/268
- 提供芯片的制造方法，不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤：第1激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第1深度的位置的方式沿着分割预定线仅对芯片区域照射激光束，沿着芯片区域的分割预定线形成第1改质层；第2激光加工步骤，按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于第2深度的位置的方式沿着分割预定线照射激光束，形成端部与外周剩余区域重叠的第2改质层；以及分割步骤，对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片，在分割步骤中，赋予超声波振动而将被加工物分割成各个芯片。
- 激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法-201780055165.0
- 三上贵弘;藤贵洋;铃木祐辉;山口芳広 - 株式会社日本制钢所
- 2017-06-02 - 2019-04-26 - H01L21/268
- 根据本发明一种实施方式的激光照射装置(1)具有：生成激光束的激光生成装置(14)；使待由所述激光束照射的工件(16)浮起的浮起单元(10)；以及对所述已浮起工件(16)进行传送的传送单元(11)。所述传送单元(11)在不与所述激光束的照射位置(15)交叠的位置处将所述工件(16)保持于其上的同时，对该工件(16)进行传送。采用本发明一种实施方式的激光照射装置(1)可减小激光束的不均匀照射。
- 一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法-201810037474.1
- 陈凯;潘志豪;朱文欣 - 西安交通大学
- 2018-01-15 - 2019-04-23 - H01L21/268
- 本发明公开了一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法，涉及集成电路制造领域；该方法包括以下步骤：合成出一个Si/SiO2双层复合结构体系，其结构为上表面覆盖有二氧化硅层的硅薄膜，使用高能微束X射线按照一定先后顺序依次照射Si/SiO2双层复合结构体系中预期产生应变的区域以制备局部应变的应变硅；本发明首次使用了高能微束X射线的方法，利用微束X射线束斑面积极小的特点，实现精准选择与控制应变硅应变区域，并在不同应变区域产生大小可控的应变量的目的；该方法具有应变区域和大小精准可控，工作温度低，无引入中杂质，工艺简单，应变量范围大，对硅无损伤等优点，有望在半导体集成电路、微纳电子器件等领域广泛应用。
- 一种高能X射线制备应变硅的方法-201810037473.7
- 陈凯;潘志豪;朱文欣 - 西安交通大学
- 2018-01-15 - 2019-04-09 - H01L21/268
- 本发明公开了一种高能X射线制备应变硅的方法，涉及集成电路制造领域；该方法包括以下步骤：(1)合成一个Si/SiO2双层复合结构体系，其结构为上表面覆盖有二氧化硅层的硅薄膜，(2)若要产生局部应变，则在Si/SiO2双层复合结构体系上方放置一个遮挡层，并将硅薄膜所需应变区域上方的遮挡层开出相应尺寸与形状的槽孔；若要产生全局应变，则不放置遮挡层，(3)使用高能X射线通过遮挡层照射Si/SiO2双层复合结构体系制备应变硅；本发明首次使用了高能X射线的方法，结合了选区遮盖的方法，利用X射线束斑面积大于硅晶片尺寸的特点，实现快速制备应变硅的目的；该方法具有工作温度低，应变区域可控，无引入中杂质，工艺简单，应变量范围大，生产效率高，对硅无损伤等优点，有望在半导体集成电路、微纳电子器件等领域广泛应用。
- 激光照射装置-201410236015.8
- 金俊亨;李惠淑;金成坤;丁一荣;韩圭完;柳济吉;赵庚石 - 三星显示有限公司
- 2014-05-29 - 2019-03-26 - H01L21/268
- 提供了激光照射装置。该激光照射装置包括：激光束生成器，配置为生成激光束；狭缝单元，配置为选择性地透过激光束；镜单元，配置为改变选择性透过的激光束的第二部分的路径，以将选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标上；第一光学系统，选择性透过的激光束的第一部分穿过镜单元并被投射到第一光学系统；以及第二光学系统，选择性透过的激光束的第二部分穿过镜单元并被投射到第二光学系统。
- 一种晶圆切割方法-201710777285.3
- 黄涛 - 晶能光电（江西）有限公司
- 2017-09-01 - 2019-03-05 - H01L21/268
- 本发明提供了一种晶圆切割方法，包括：S1提供待切割晶圆片，晶圆片中包括生长衬底和外延结构；S2沿晶圆片的切割槽，从晶圆片正面对外延结构进行一次切割直至露出生长衬底；S3沿一次切割的切痕，从晶圆片正面对生长衬底进行二次切割至预设深度；S4沿二次切割的切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。以此避免现有技术中采用激光一次切割至指定深度的生长衬底的过程中，由大功率激光在晶圆沟槽表面聚集大量热量，因沟槽各类材料差异导致热量分布不均/散热异常等情况破坏管芯表面结构使芯片失效的情况出现。
- 吸气层形成方法-201310426431.X
- 森数洋司;服部奈绪 - 株式会社迪思科
- 2013-09-18 - 2019-02-15 - H01L21/268
- 本发明提供吸气层形成方法，能够在不降低半导体器件的抗折强度的情况下再现性良好地形成吸气层。在表面形成有器件的半导体晶片的背面形成捕获金属离子的吸气层的吸气层形成方法中，将具有使得热扩散长度为10nm～230nm的脉宽的脉冲激光光线照射到半导体晶片的背面来形成吸气层。
- 一种硅片沟槽开槽方法-201710615645.X
- 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;陈亚彬 - 天津环鑫科技发展有限公司
- 2017-07-26 - 2019-02-05 - H01L21/268
- 一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层、激光开槽、腐蚀、去除表面保护层、清洗、烘干。本发明相较于原工艺的有益效果是采用先激光开槽再沟槽腐蚀的沟槽制作方式，可以防止因腐蚀时间长导致硅片表面保护层脱落，大大缩短沟槽制作的时间，确保保护层与硅片表面的粘附性，避免保护层脱落的不良现象。
- 一种硅片激光制绒工艺-201710615674.6
- 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;董文一 - 天津环鑫科技发展有限公司
- 2017-07-26 - 2019-02-05 - H01L21/268
- 本发明提供一种硅片激光制绒工艺，包括采用玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃；激光双面制绒：清洗后的硅片使用激光在硅片表面扫描；制绒后清洗：采用酸溶液浸泡清洗，酸溶液清洗后进行两级溢水清洗并甩干。本发明的有益效果是采用按一定比例配置的玻璃腐蚀液去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为激光制绒做好准备，采用激光制绒工艺，其制作过程简便快捷；在制绒过程中不会产生有毒气体，避免了对工人的身体健康和环境带来的不利影响；其能大大提升工艺过程的速度，具有很好的产业化前景；通过激光制绒，在光滑的硅片表面形成凹凸不平的熔融多晶硅，提高硅片表面的粗糙度。
- 一种半导体硅片双面退火方法及装置-201410043848.2
- 周炯;闻人青青;孟春霞 - 上海微电子装备（集团）股份有限公司
- 2014-01-29 - 2019-02-05 - H01L21/268
- 本发明属于半导体制造设备和技术领域，具体涉及一种半导体硅片双面退火方法及装置。所述方法，先进行硅片正面和背面离子注入，然后进行硅片正面和背面同时退火，最后完成硅片正面金属连接层、金属层和钝化层工艺。所述装置包括正面退火设备、背面退火设备和设置在两者之间用于承载硅片的环状硅片夹具。本发明提供的技术方案与现有技术相比具有以下优点：采用退火发射极原理，将两次退火合并为一次退火完成，相应金属和钝化层最后完成；避免了传统单次背面退火工艺硅片不能自动翻转问题，目前技术由人工借助吸笔完成；除了有效提高硼和磷的激活率外，还可以调节缓冲区的深度和宽度；简化了生产工序，同时提高了设备利用率，也降低了制造成本。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
