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[发明专利]加工方法-CN201810921439.6有效
发明人： 服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：提供加工方法，与以往相比能够不对被加工物赋予冲击而对被加工物进行分割。本发明的加工方法具有：激光加工步骤，沿着分割预定线(2)对被加工物(1)实施激光加工；以及分割步骤，在实施了激光加工步骤之后，对被加工物(1)的厚度方向的一部分进行切削而进行分割，因此与使用断开装置等的以往的加工方法相比，能够减小对被加工物(1)的冲击，能够将被加工物(1)良好地分割成各个芯片。另外，在分割步骤中，仅利用切削刀具(26)对被加工物(1)的厚度方向的一部分进行切削即可，因此与利用切削刀具(26)在厚度方向上将被加工物(1)完全切断的情况相比，能够提高加工进给速度，提高芯片的生产率。
加工方法

[发明专利]基板处理方法-CN201711336976.6有效
发明人：森数洋司;卡尔·海因茨·普利瓦西尔;服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
处理方法

[发明专利]器件的制造方法-CN202110642440.7在审
发明人： 服部奈绪;武田昇 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供器件的制造方法，能够抑制从基板剥离时对光器件层造成损伤。器件的制造方法包含：带粘贴步骤(101)，在光器件晶片的光器件层的正面上粘贴具有伸缩性的带；分割起点形成步骤(102)，将聚光点定位于光器件层的内部而照射对于光器件层具有透过性的波长的激光束，从而形成分割起点；缓冲层破坏步骤(103)，从光器件晶片的外延基板的背面侧照射对于外延基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而将缓冲层破坏；剥离步骤(104)，将外延基板从光器件层剥离；以及分割步骤(105)，通过对带施加外力而沿着分割起点将光器件层分割。
器件制造方法

[发明专利]加工衬底的方法-CN201610806581.7有效
发明人：森数洋司;卡尔·海因茨·普利瓦西尔;服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工衬底的方法。该衬底具有第一表面(2a)以及与该第一表面(2a)相对的第二表面(2b)，在所述第一表面上形成有至少一条分割线(22)。该方法包括：从所述第一表面(2a)的那侧向所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB)，至少施加在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置，从而在所述衬底(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第一表面(2a)朝所述第二表面(2b)延伸。每个孔区域(23)由改变区域(232)和在该改变区域(232)中向所述第一表面(2a)敞开的空间(231)组成。所述方法还包括沿已形成有所述多个孔区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除衬底材料。
加工衬底方法

[发明专利]吸气层形成方法-CN201310426431.X有效
发明人：森数洋司;服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供吸气层形成方法，能够在不降低半导体器件的抗折强度的情况下再现性良好地形成吸气层。在表面形成有器件的半导体晶片的背面形成捕获金属离子的吸气层的吸气层形成方法中，将具有使得热扩散长度为10nm～230nm的脉宽的脉冲激光光线照射到半导体晶片的背面来形成吸气层。
吸气形成方法

[发明专利]分割方法-CN201810304990.6在审
发明人： 服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种分割方法，该分割方法不使芯片彼此接触，而能够更可靠地对被加工物整体进行分割。本发明的分割方法是用于分割板状的被加工物的分割方法，其包括下述步骤：起点区域形成步骤，沿着设定于被加工物的分割预定线形成作为分割的起点的起点区域；加热步骤，在实施起点区域形成步骤之后，对被加工物进行加热；冷却步骤，在实施加热步骤之后，将被加工物冷却；分割步骤，在实施冷却步骤之后，对被加工物施加力，沿着起点区域对被加工物进行分割；以及片粘贴步骤，在实施分割步骤之前，在被加工物上粘贴扩展片，在分割步骤中，通过对该扩展片的扩展而对被加工物施加力。
被加工物分割起点区域加热步骤冷却步骤施加力粘贴分割预定线分割板加热冷却芯片

[发明专利]基板处理方法-CN201810038835.4在审
发明人：森数洋司;服部奈绪;卡尔·海因茨·普利瓦西尔 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。
第一表面改性区域基板材料分割线基板脉冲激光束第二表面基板处理熔化处理基板位置处熔融固化去除施加延伸

[发明专利]光器件晶片的加工方法-CN201510162332.4在审
发明人：森数洋司;小柳将;田畑晋;服部奈绪 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光器件晶片的加工方法，其无需将外延基板的背面加工成镜面。一种光器件晶片的加工方法，其是夹着缓冲层在外延基板的表面层叠有光器件层的光器件晶片的加工方法，所述加工方法包括：移设基板接合工序，借助接合材料在光器件晶片的光器件层的表面接合移设基板；缓冲层破坏工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧对缓冲层照射外延基板对其有透过性且缓冲层对其有吸收性的波长的脉冲激光光线，对缓冲层进行破坏；光器件层移设工序，实施上述缓冲层破坏工序后，将外延基板从光器件层剥离，从而将光器件层移设至移设基板。实施该缓冲层破坏工序前，实施树脂覆盖工序，在外延基板的背面覆盖透过激光光线的树脂，进行平坦化。
器件晶片加工方法

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