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[发明专利]车辆后部结构-CN202211135182.4在审
发明人：金永恩;金俊亨;咸成勋 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚株式会社
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B62D25/08 文献下载
摘要：提供了一种车辆后部结构。根据实施例的车辆后部结构包括后柱，包括后柱内件和安装在后柱内件上的多个加强件，以及附接到后柱并具有接纳部的部件安装支架，车辆部件的一部分接纳在该接纳部中，其中，多个加强件设置为围绕部件安装支架。
车辆后部结构

[发明专利]用于控制用于智能家居服务的装置的方法和设备-CN202010705135.3有效
发明人： 金俊亨;孔栋建;金世勳;裵恩希;千宰翊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G05B15/02 文献下载
摘要：本公开提供了用于控制用于智能家居服务的装置的方法和设备。方法包括：从注册至智能家居服务的装置中将用于同时接收至少一个命令的装置分组到用于每个模式的组；生成用于每个模式的模式配置信息，其包括用于该模式的分组的装置和用于该模式的至少一个命令；将用于每个模式的模式配置信息传输至注册的装置；选择模式配置信息已经针对其被生成的每个模式中的一个；以及将用于激活所选模式的模式激活请求传输至注册的装置。
用于控制智能家居服务装置方法设备

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910762891.7有效
发明人： 金俊亨;金洸秀;崔凤贤;金是完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括沿第一方向布置的单元阵列区域和第一连接区域；以及衬底上的第一块结构，第一块结构包括：下叠层，包括竖直堆叠在衬底上的多个下电极；以及暴露下叠层的中间叠层，中间叠层包括竖直堆叠在下叠层上的多个中间电极，其中，在单元阵列区域上，第一块结构在与第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度，并且其中，在第一连接区域上，第一块结构在第二方向上具有大于第一宽度的第二宽度。
三维半导体存储器件

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN202310108587.7在审
发明人： 金俊亨;曺荣敏;张偶石 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10K50/844 文献下载
摘要：提供了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括显示面板、盖窗、粘合剂层和保护层，显示面板包括显示区域和围绕显示区域的外围区域，其中，外围区域包括从其一侧延伸的弯曲区域，盖窗排列在显示面板的显示区域上，粘合剂层在显示面板与盖窗之间，保护层覆盖弯曲区域并且与粘合剂层接触，其中，粘合剂层的模量小于保护层的模量。
显示装置制造方法

[发明专利]激光剥离装置及使用其的显示装置制造方法-CN202310071641.5在审
发明人： 金俊亨;金佑玹;朴大王;张胜壹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：提供了一种激光剥离装置及使用其的显示装置制造方法。所述激光剥离装置包括：激光照射部，用于发射多个固态激光束；光学系统，用于将所述多个固态激光束转换为输出光；以及台，用于容纳将用输出光照射的照射目标。输出光的短轴具有2阶至2.4阶的亚超高斯(semi‑super Gaussian profile)分布。
激光剥离装置使用显示装置制造方法

[发明专利]多层电子组件-CN202310082856.7在审
发明人：朴珍受;曺义铉;金俊亨;金厦廷;具贤熙;成佑庆;朴明俊;全炳俊;李哲承 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括在第一方向上堆叠的介电层和内电极，且所述介电层介于所述内电极之间；以及外电极，包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层连接到所述内电极并且包括Ni，所述第二电极层设置在所述第一电极层上并且包括Ni‑Cu合金。相对于所述第二电极层中总含量为100mol的Ni和Cu，所述第二电极层中的Cu含量为70mol至90mol。
多层电子组件

[发明专利]显示面板-CN202310465961.9在审
发明人：宋丞基;刘承素;河真珠;金俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：显示面板包括：第一衬底，具有顶表面和侧表面，顶表面包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；第二衬底，面对第一衬底；第一绝缘结构，设置在第二衬底和第一衬底之间，第一绝缘结构与非显示区域重叠而不与显示区域重叠；有机发光二极管，在第一衬底和第二衬底之间，并且与显示区域重叠；薄膜封装层，在有机发光二极管上；信号线，具有与第一衬底的侧表面对齐的侧表面，信号线设置在第一衬底上；第二绝缘结构，与信号线重叠并且设置在第一衬底和第一绝缘结构之间，第二绝缘结构具有与第一衬底的侧表面对齐的侧表面；以及连接焊盘，与信号线的侧表面接触，其中，第二绝缘结构包括与信号线和非显示区域重叠而不与显示区域重叠的有机图案。
显示面板

[发明专利]可折叠显示装置-CN202211509288.6在审
发明人： 金俊亨 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种可折叠显示装置，它包括：壳体框架，其包括第一框架和第二框架；铰链组件，其耦接至第一框架和第二框架以实现第一框架和第二框架的折叠和展开运动；以及设置在第一框架和第二框架上的显示面板。铰链组件包括耦接至第一框架和第二框架的多个铰链臂；铰链壳体，其设置在多个铰链臂下方并容纳多个铰链臂；以及臂盖，其与铰链壳体紧固以设置在多个铰链臂上方，并包括凹入以与多个铰接臂对应的多个导引单元。
可折叠显示装置

[发明专利]多层电子组件-CN202211393661.6在审
发明人：金厦廷;李冈夏;金俊亨;曺义铉;朴明俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面以及连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面；第一外电极，包括设置在所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸至所述第一表面的一部分上的第一带部；第二外电极，包括设置在所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸至所述第一表面的一部分上的第二带部；绝缘层，设置在所述第二表面上并延伸至所述第一连接部的一部分和所述第二连接部的一部分；第一镀层，设置在所述第一带部上；以及第二镀层，设置在所述第二带部上。所述绝缘层包括聚合物树脂。
多层电子组件

[发明专利]半导体装置和包括其的数据存储系统-CN202211710689.8在审
发明人：禹映范;任峻成;金俊亨;李昇珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供一种半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括形成将位线或字线与上连接图案彼此电连接的信号路径的接触插塞，下绝缘结构包括第一绝缘部分和第二绝缘部分；接触插塞穿透第二绝缘部分并接触上连接图案；第一绝缘部分包括第一下层和第二下层，第二下层具有小于第一下层的厚度；第二绝缘部分包括接触第二下层并覆盖上连接图案的上表面的一部分的第一上层以及在第一上层上的第二上层，第二上层具有大于第一上层的厚度；并且第二下层和第一上层的材料不同于第一下层和第二上层的材料。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]多层电子组件-CN202211706782.1在审
发明人：李忠烈;李有淨;崔亨综;元光渊;安昭贞;成佑庆;李冈夏;朴明俊;李种晧;金俊亨 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01G4/232 文献下载
摘要：本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，并且具有第一表面至第六表面；第一外电极，包括位于所述第三表面上的第一连接部和位于所述第一表面上的第一带部；第二外电极，包括位于所述第四表面上的第二连接部和位于所述第一表面上的第二带部；绝缘层，位于所述第二表面以及所述第一连接部和所述第二连接部上；以及镀层，位于所述第一带部和所述第二带部上。所述镀层延伸到所述第一连接部和所述第二连接部上并与所述绝缘层接触。所述绝缘层的端部的厚度朝向所述镀层减小。所述镀层的端部包括：第一区域，位于所述绝缘层与所述第一连接部和所述第二连接部之间；以及第二区域，覆盖所述绝缘层。
多层电子组件

[发明专利]三维半导体存储器件和包括其的电子系统-CN202211531855.8在审
发明人：李昇珉;金俊亨;申智秀;俞炳益;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：讨论了一种三维半导体存储器件和包括其的电子系统。该器件可以包括：堆叠结构，包括交替堆叠在基板上的电极层和电极间绝缘层；一个或更多个垂直半导体结构，延伸到堆叠结构中并与基板相邻；一个或更多个垂直导电结构，在第一方向上排列在所述一个或更多个垂直半导体结构中的相邻垂直半导体结构之间，并且延伸到堆叠结构中且与基板相邻；以及在堆叠结构上的导电线部分，在第一方向上延伸以将所述一个或更多个垂直导电结构彼此连接。导电线部分和垂直导电结构可以被连接以形成单个单元。
三维半导体存储器件包括电子系统

[发明专利]显示面板-CN201811066081.X有效
发明人：宋丞基;刘承素;河真珠;金俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：显示面板包括：第一衬底，具有顶表面以及在与顶表面交叉的方向上延伸的侧表面；第二衬底；绝缘层，设置在第一衬底和第二衬底之间；第一绝缘结构，设置在绝缘层和第一衬底之间并且与绝缘层接触；像素；信号线，具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面并且设置在第一衬底上；第二绝缘结构，与信号线重叠、与第一绝缘结构接触并且具有与第一衬底的侧表面基本对齐的侧表面；以及连接焊盘，与第一衬底的侧表面、信号线的侧表面和第二绝缘结构的侧表面接触。
显示面板

[发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211285735.4在审
发明人： 金俊亨;李昇珉;韩相凡;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。每个栅极接触结构包括栅极接触插塞和第一绝缘间隔物。栅极接触插塞包括第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，第一栅极接触插塞穿透第二栅电极并接触第一栅电极，第二栅极接触插塞接触第二栅电极。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]具有可加工性和切削性的铜合金材料的制备方法及由此制备的铜合金材料-CN202211312594.0在审
发明人：朴哲民;金俊亨;文瑄英;南孝文 -专利权人：株式会社丰山
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：公开了制造具有优异的可加工性和切削性的基于铜‑镍‑锌(Cu‑Ni‑Zn)的铜合金材料的方法，以及使用该方法制造的铜合金材料。
具有可加工切削铜合金材料制备方法由此

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