[发明专利]一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法在审
| 申请号： | 201711071283.9 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107910255A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 王喜龙 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，晶圆具有一键合界面，键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置晶圆；包括以下步骤步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理，使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合。其技术方案的有效果在于，效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度，减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 界面 悬挂 键键合 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其特征在于，所述晶圆具有一键合界面，所述键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置所述晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理，使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。
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- 硅与III-V族化合物硅键合材料及其键合方法-201710225967.3
- 柳清超;李捷;高文琳;刘洋 - 沈阳硅基科技有限公司
- 2017-04-08 - 2018-10-23 - H01L21/18
- 一种硅与III‑V族化合物硅键合材料的键合方法，包括硅激活步骤、III‑V族化合物激活步骤、键合步骤、退火步骤、磨削抛光步骤，所述硅激活步骤、键合步骤、退火步骤、磨削抛光步骤依次进行，所述硅激活步骤、III‑V族化合物激活步骤同时进行。其有益效果是：通过键合的方式，制造硅与III‑V族化合物键合的材料，较容易实施、加工，位错密度低、易于选择不同厚度。
- 用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法-201780011255.X
- 汉斯·凡肯尼尔 - G射线瑞士公司
- 2017-02-16 - 2018-10-23 - H01L21/18
- 当界面缺陷被从浅注入扩散到界面的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片键合准许电流穿过共价键合界面，而不受陷阱、复合中心和无意的缺陷引起的阻隔屏障的阻碍。包括与钝化界面状态的不含氧化物的低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子捕获以及跨越键合界面的有效电荷收集的各种应用中。
- 一种氮化镓/金刚石的直接键合方法-201810732475.8
- 王宏兴;刘璋成;吴胜利;胡文波;赵丹;王艳丰 - 西安交通大学
- 2018-07-05 - 2018-09-28 - H01L21/18
- 本发明公开了一种氮化镓/金刚石的直接键合方法，由以下方法制备:在金刚石衬底上生长一层金刚石外延层；对该金刚石外延层表面进行氮等离子体处理，在其表面形成一层氮终端；利用等离子体轰击氮化镓衬底无器件表面，形成氮空位表面；进行键合：在真空条件下，使金刚石氮终端和氮化镓氮空位表面相对，对两者施加压力，使氮原子和镓原子直接键合，形成Ga‑N化学键。解决采用键合剂键合引入的不稳定性和热阻问题，提高了散热效率，从而提高氮化镓功率电子器件的性能和可靠性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
