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[发明专利]短路耐量与反向耐压高的沟槽型功率器件及其制备方法-CN202310638355.2在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及短路耐量与反向耐压高的沟槽型功率器件及其制备方法，短路耐量与反向耐压高的沟槽型功率器件包括衬底层、漂移层、基极层、沟槽、简并半导体、源极、栅极氧化层、栅极电极、绝缘膜层、源极电极和漏极电极，其中，简并半导体位于所述漂移层内沟槽底部的两侧，半导体掺杂第一导电类型杂质形成，杂质的掺杂浓度高于所述漂移层，所述简并半导体的电阻率与温度呈正相关。通过漂移层内沟槽底部简并半导体，简并半导体高温时的导通电阻远高于漂移区的高温电阻，既可以提高功率器件的短路耐量又可以提高反向耐压还可以兼顾不牺牲常温的导通电阻。
短路反向耐压沟槽功率器件及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片-CN202310953187.6在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种碳化硅基FINFET功率器件及其制备方法、芯片，通过在碳化硅衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层，P型开关隔离层被电压信道层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成电流扩散层，并在电流扩散层两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层、多个隔离结构以及多个栅区沟道结构，在栅区沟道结构上形成栅极金属层，通过栅极金属层以及鳍状结构的栅区沟道结构感应得到多条电流通道达到源极，并通过在电流扩散层上形成肖特基金属层，以最低的成本和芯片占用面积在器件中集成肖特基二极管，提升了碳化硅基FINFET功率器件的开关速度和可靠性。
一种碳化硅 finfet 功率器件及其制备方法芯片

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310579935.9在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：MOS结构；漂移区，环绕MOS结构设置且具有第一导电类型；异质结构，环绕漂移区设置；漏极区，环绕异质结构设置且具有第一导电类型。通过上述方式，本申请提供的半导体器件能够有效地提升耐压能力和降低导通电阻。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种具备SJ SBD的SJ VDMOS及制备方法-CN202311035966.4在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具备SJ SBD的SJ VDMOS及制备方法，该SJ VDMOS包括：SJ SBD；所述SJ SBD的阳极与SJ VDMOS的源极连接；所述SJ SBD的阴极与所述SJ VDMOS的漏极连接。本发明的SJ VDMOS不仅具有常规超结功率器件的高耐压和低导通电阻的特性，还能够通过与SJ SBD的整合，使得本发明的SJ VDMOS的开关速度远远大于常规SJ VDMOS，并且由于关闭时的浪涌电流不经过本发明的SJ VDMOS的体二极管，还能够增加本发明的SJ VDMOS的可靠度。
一种具备 sj sbd vdmos 制备方法

[发明专利]改进型沟槽终端提高耐压的双沟槽SiC MOSFET及制备方法-CN202310602046.X在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进型沟槽终端提高耐压的双沟槽SiC MOSFET及制备方法，所述方法包括：刻蚀第一沟槽，并在第一沟槽的上方掺杂金属电极，所述第一沟槽包括源极沟槽和栅极沟槽；所述源极沟槽和所述栅极沟槽用于平滑电场分布；其中，所述源极沟槽和所述栅极沟槽的深度不同。本发明通过深度不同的源极沟槽和栅极沟槽进行平滑电场，从而能够达到与JTE终端结构中利用渐变宽度的P+平滑电场的效果，最终提高了双沟槽SiC MOSFET器件的耐压能力，并能保证其稳定性。
改进型沟槽终端提高耐压 sic mosfet 制备方法

[发明专利]一种基于N-BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008082.X在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于N‑BAL提高电流密度的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：N‑BAL层；所述N‑BAL层位于P pillar和N+衬底之间；N‑drift层与所述N‑BAL层和所述N+衬底形成导电通道。本发明在传统的超结肖特基二极管中的P pillar的下方引入了N‑BAL层（N型底部辅助层），使得原本从N‑drift层流向N型衬底的电流有部分通过N‑BAL层再流向N型衬底，这样能够增加电流密度，同时提高了器件耐压与导通电阻的比值，使本发明的新型结构的超结肖特基二极管能够接近甚至超越硅材料的理论值。
一种基于 bal 提高电流密度超结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法-CN202311008130.5在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改进型P柱的超结肖特基二极管及制备方法，该超结肖特基二极管包括：P型掺杂层；所述P型掺杂层位于P柱和N‑漂移层之间；所述P型掺杂层与所述N‑漂移层的接触面与超结肖特基二极管的中轴线的夹角大小为5‑15°。本发明通过在传统的超结肖特基二极管中的P柱的不平滑的边缘掺杂一层P型材料，使P柱的边缘变得平滑，P型掺杂层的存在能够使电荷平衡得到优化的同时还具有很高的耐压能力和较低的导通电阻，使超结肖特基二极管的性能大大增强。
一种具有改进型超结肖特基二极管制备方法

[发明专利]双沟槽MOSFET器件及其提高耐压能力的制备方法-CN202310613457.9在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种双沟槽MOSFET器件及其提高耐压能力的制备方法，所述方法包括：刻蚀源极沟槽；在位于元胞区的源极沟槽的开口处填充第一氧化层；在所述第一氧化层上方掺杂金属电极。所制备出的双沟槽MOSFET器件包括：源极沟槽；第一氧化层，位于元胞区的源极沟槽的开口处上方；金属电极，位于所述第一氧化层上方。本发明通过在元胞区的源极沟槽的开口处上方掺杂氧化物形成第一氧化层，使得源极沟槽与金属电极不会直接接触，在不需要额外增加成本的情况下，提高了双沟槽MOSFET器件的耐压能力。
沟槽 mosfet 器件及其提高耐压能力制备方法

[发明专利]一种集成型功率芯片的制备方法及芯片-CN202211640489.X在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种集成型功率芯片的制备方法及芯片，通过在半导体衬底的正面生长N型外延层，然后在N型外延层表面的第一预设区域通过离子注入工艺形成中低压器件，然后在N型外延层的第二预设区域形成第二P型隔离层，然后通过形成电压信道层将第二P型隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成N型连接区，并在N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构，在P型掺杂结构上形成栅极层，从而在同一工艺流程中制备高压器件和中低压器件，经过适当的联机即可完成各种应用的拓扑结构，实现同时兼顾低成本与器件应用场景扩展的目的。
一种集成功率芯片制备方法

[发明专利]一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片-CN202211640507.4在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了鳍状结型场效应晶体管及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底形成N型漂移层，在N型漂移层上形成连接区，在连接区两侧形成鳍状结构的P型掺杂层，并在P型掺杂层表面依次形成介电层、功函数金属层以及栅极金属层，在两侧的P型掺杂层的外侧形成第一源极掺杂层和第二源极掺杂层，从而使得由半导体衬底背面的漏极流出的电流经由N型漂移层以及鳍状区域的连接区，通过鳍状结构的第一P型掺杂层和第二P型掺杂层结构感应出的电流通道达到源极，由鳍状结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，实现兼顾高击穿电压、高电流密度以及较小的器件面积的目的。
一种鳍状结型场效应晶体管及其制备方法芯片

[发明专利]一种鳍状MOS开关器件及其制备方法、芯片-CN202211648676.2在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种鳍状MOS开关器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底形成N型漂移层，在N型漂移层上形成连接区，在连接区两侧形成井字形鳍状结构的P型掺杂层，并在P型掺杂层上形成栅极金属层，以及在P型掺杂层的鳍状结构间形成N型掺杂材料层，在两侧的P型掺杂层的外侧形成第一源极掺杂层和第二源极掺杂层，从而在连接区两侧形成JFET结构，使得由半导体衬底背面的漏极流出的电流经由N型漂移层以及鳍状区域的连接区，通过JFET结构的电流通道达到源极，由鳍状结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，实现兼顾高击穿电压、高电流密度以及较小的器件面积的目的。
一种 mos 开关器件及其制备方法芯片

[发明专利]共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片-CN202211659393.8在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本申请涉及一种共源共栅结构的多层氮化镓开关器件及芯片。共源共栅结构的多层氮化镓开关器件包括第一N型漂移层、第一缓冲层、第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、开关漏极、连接金属层、HEMT栅极、P型漂移层、第二N型漂移层、开关栅极和开关源极，从而构造出一个常开型高电子迁移率晶体管和一个常闭型金属‑氧化物半导体场效应晶体管并组成共源共栅结构，具有多层氮化镓通道层的D‑HEMT可以承受高电压并具有较高的电流密度，而MOSFET则承担了开关功能，使得开关漏极和开关源极之间可以彻底关断，实现具有多层氮化镓通道层的D‑HEMT和MOSFET的互补。
共源共栅结构多层氮化开关器件芯片

[发明专利]共源共栅的多层氮化镓HEMT器件及芯片-CN202211659001.8在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及一种共源共栅的多层氮化镓HEMT器件及芯片。多层氮化镓HEMT器件包括：半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、鳍片、漏极、源极、第一栅极和第二栅极。本申请通过将第二栅极与源极连接，可以形成共源共栅结构，第二栅极与多层第二氮化镓通道层构造出的类似于常开型HEMT器件的开关结构可以代替鳍片承受部分高电压，由于鳍片的耐高压能力与导通电阻的大小呈正比例关系，因此通过常开型HEMT器件进行分压可以在保持鳍片的低导通电阻的情况下，增大整个器件耐高压能力。
共源共栅多层氮化 hemt 器件芯片

[发明专利]一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片-CN202211641551.7在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法、芯片，通过在半导体衬底的正面依次外延生长N型漂移层以及P型开关隔离层，然后对P型开关隔离层的指定区域进行N型掺杂形成电压信道层，以将P型开关隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成N型连接区，并在N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构，在P型掺杂结构上形成栅极金属层，通过栅极金属层以及鳍状结构的P型掺杂结构感应得到多条电流通道达到源极，由P型掺杂结构上的栅极金属层感应出电流通道即可开启器件，从而可以同时兼顾低成本与器件效能。
一种垂直型鳍状功率器件及其制备方法芯片

[发明专利]低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件-CN202211659360.3在审
发明人： 吴龙江 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及一种低导通电阻的多层氮化镓HEMT器件。多层氮化镓HEMT器件包括：半导体衬底、缓冲层、多层第一氮化镓通道层、多层第二氮化镓通道层、漏极、源极、第一栅极、第二栅极和多个辅助栅极。本申请通过设置辅助栅极并将辅助栅极与第一栅极连接，可以在第一栅极接收到高电压导通时，通过辅助栅极向第二氮化镓通道层提供空穴，通过提高第二氮化镓通道层中的空穴浓度，以降低导通电阻。
通电多层氮化 hemt 器件

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