[发明专利]键合装置及键合方法有效
| 申请号： | 201911051463.X | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111199892B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 金度延;李恒林;李忠现;金光燮;金旼永;金度宪;高定奭 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 姜香丹 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种能够在将接合对象(芯片或基板)接合到基板上的过程中提高贯通电极(TSV孔)的对准准确度的键合装置及键合方法。根据本发明的实施例的键合方法为用于将接合对象的第二贯通电极对准并接合到基板上的第一贯通电极的键合方法，包括以下步骤：在所述基板上布置所述接合对象；以及通过将具有已设定的共振频率的振动施加到所述接合对象并使所述第一贯通电极和所述第二贯通电极共振，从而将所述第二贯通电极的位置和所述第一贯通电极对准。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 方法 | ||
【主权项】：
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- 张畅;游海涛 - 上海创贤半导体有限公司
- 2022-09-27 - 2022-12-30 - H01L21/607
- 本发明提供一种功率半导体引线键合机精确标定压力的方法，包含以下步骤：S1：前期准备，将压力传感器放置在焊接头E劈刀的正下方，控制焊接头下降至固定位置；S2：记录，记录当前压力传感器数值，此时数值为焊接头自重值；S3：调整电流，将下压力发生器的线圈中的电流调整为反向电流；S4：增大电流，从小到大逐渐增加电流，同时观察压力传感器的数值，此时压力传感器数值会逐渐减小。本发明所述的一种功率半导体引线键合机精确标定压力的方法，可以通过压力传感器获取电流与压力的直接关系，在控制中通过改变电流精确的控制压力，在焊接过程中可精准的配合超声波完成压力步进输出，提高焊接质量。
- 一种提升引线键合密度的楔形劈刀结构-202110847959.9
- 文泽海;贾斌;王辉;庞婷;董东;潘玉华;李悦;李文;徐榕青;向玮伟;伍泽亮 - 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 2021-07-27 - 2022-12-27 - H01L21/607
- 本发明涉及微电子封装技术领域，具体公开了一种提升引线键合密度的楔形劈刀结构，包括刀柄、与刀柄一端连接的刀头；所述刀头设置有过孔结构，所述过孔结构包括设置在刀头上的引线过孔、以及设置在过孔结构底面上的V型结构。本发明实现线间距小于二分之一劈刀刀头宽度的高密度引线键合，键合密度提升显著。
- 键合劈刀-202222337280.8
- 任玉清 - 杰华特微电子股份有限公司
- 2022-09-02 - 2022-12-27 - H01L21/607
- 本实用新型提供了一种键合劈刀，包括：刀柄以及设置在刀柄末端的刀头；刀柄包括一体连接的上端部、下端部以及位于上端部和下端部之间的夹持部；夹持部具有至少一组夹持面，每组夹持面均包括低于刀柄上端部的侧面且相对设置的两个夹持面；每个夹持面与刀柄的上端部侧面及下端部侧面之间通过限位面连接，其中，每个夹持面与对应的限位面及刀柄侧面均构成台阶结构。本实用新型可以使得劈刀在被夹取时不易掉落，同时也能够改善劈刀安装不到位的问题，确保键合机的超声波的稳定输出，有利于提高产品质量和良率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
