[发明专利]提高存储性能有效
| 申请号： | 200910126210.4 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101539889A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·彭特科维克西;岑玲;维韦克·加尔格;迪普·布什;戴维·赵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储操作的体系结构，其改善了存储操作延迟，并提高了专有读取(RFO)的吞吐率。本发明的实施例涉及通过实现RFO操作的乱序发射和更有效地使用存储缓冲器延迟周期来改善微处理器的存储性能的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 存储 性能 | ||
【主权项】：
1.一种具有强有序指令体系结构的处理器，包括：存储缓冲器，不论先于第二数据值从所述存储缓冲器中被读取的第一数据值是否已经变为可被全局观测，所述第二数据值都从所述存储缓冲器中被读取并被存储到缓存中；以及全局观测存储缓冲器，用于当所述第一和第二数据值变为可被全局观测之后，仅存储所述第一和第二数据值，其中所述全局观测存储缓冲器包括对应于每个将要被存储在所述全局观测存储缓冲器中的数据值的索引字段。
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