[发明专利]一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910442484.8 | 申请日： | 2019-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110246757A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张岩;江钧 | 申请（专利权）人： | 上海浦睿信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海愉腾专利代理事务所(普通合伙) 31306 | 代理人： | 唐海波 |
| 地址： | 200023 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法，包括：单晶晶圆片的离子注入；将单晶晶圆片的离子注入面与媒介晶圆片键合面键合后剥离获得基于媒介晶圆片衬底的单晶薄膜；将媒介晶圆片上单晶薄膜表面与CMOS电路晶圆片键合；腐蚀剥离媒介晶圆片获得基于CMOS电路衬底的单晶薄膜。通过将铌酸锂单晶薄膜在与CMOS电路键合前先键合在第三方衬底上，然后采用转移的方法将铌酸锂单晶薄膜无损地键合在CMOS电路晶圆片上；使用薄膜转移的方式在媒介衬底上提前对铌酸锂单晶薄膜进行高温退火工艺，然后将铌酸锂单晶薄膜转移到目标CMOS电路片晶圆片衬底上，可以减少对CMOS电路的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶圆片 单晶薄膜 铌酸锂单晶 键合 媒介 圆片 薄膜 薄膜转移 制备 剥离 离子注入面 高温退火 第三方 键合面 地键 片晶 无损 离子 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS电路衬底的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：单晶晶圆片的离子注入；将单晶晶圆片的离子注入面与媒介晶圆片键合面键合后剥离获得基于媒介晶圆片衬底的单晶薄膜；将媒介晶圆片上单晶薄膜表面与CMOS电路晶圆片键合；腐蚀剥离媒介晶圆片获得基于CMOS电路衬底的单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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