[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710992137.3 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN108807525A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴俊峰;邓光敏;赵树 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王术兰 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体器件及其制作方法，其中，该半导体器件包括衬底；位于所述衬底一侧的第一半导体层；位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层以及第三半导体层；基于所述第三半导体层制作的源极和栅极；其中，所述第三半导体层为N型掺杂，且该第三半导体层包括P型掺杂体区，所述P型掺杂体区包括N+型掺杂体区和P+型掺杂体区，所述源极与该N+型掺杂体区和P+型掺杂体区接触，其中，所述第二半导体层和所述第一半导体层通过极化可形成二维电子气。本发明给出的半导体器件结构简单，制造方便，具有较高的均匀性和稳定性，且能够通过栅极控制其开启和关闭，实现增强型半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 半导体器件 掺杂体 衬底 源极 制作 半导体器件结构 二维电子气 栅极控制 均匀性 增强型 极化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的第一半导体层；位于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层以及第三半导体层；基于所述第二半导体层制作的漏极；基于所述第三半导体层制作的源极和栅极；其中，所述第三半导体层为N型掺杂，且该第三半导体层包括P型掺杂体区，所述P型掺杂体区包括N+型掺杂体区和P+型掺杂体区，所述源极与该N+型掺杂体区和P+型掺杂体区接触。
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