“郑镛席”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法-CN201710811888.0有效
发明人： 郑镛席;权星元;金熙范;李东根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
调整用于制造半导体器件标线图案特征尺寸方法

[发明专利]保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件-CN201610623699.6有效
发明人： 郑镛席;全桓徹;金炳局;崔在爀;权星元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。
保护膜以及包括模组

[发明专利]形成图案的方法和制造半导体器件的方法-CN202010586599.7在审
发明人：李炳勋;郑镛席;方珠美;安秉燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：公开了形成图案的方法和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法可以包括：提供衬底，衬底在其上包括抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上涂覆化合物以形成电荷消散层。电荷消散层可以包括导电聚合物和金属络合物。
形成图案方法制造半导体器件

[发明专利]用于防止热积累的保护膜和具有其的极紫外线光刻装置-CN201610290516.3有效
发明人：全桓彻;金文子;权星元;金炳局;R.查利克;郑镛席;崔在爀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。
用于防止积累保护膜具有紫外线光刻装置

[发明专利]使用电子束的图案化方法和配置为执行该方法的曝光系统-CN201410418906.5有效
发明人： 郑镛席;李祥熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用电子束的图案化方法和被配置为执行所述方法的曝光系统。所述图案化方法可采用诸如电子束(E‑束)的粒子束以及曝光系统，所述图案化方法可包括：准备限定E‑束的空间分布的曝光布置；基于曝光布置对掩模层执行E‑束曝光工艺；对掩模层执行显影工艺，以形成包括第一图案的掩模图案。第一图案可以是单个固体图案，曝光布置可包括与针对与第一图案对应的第一区域限定的多个E‑束条件关联的第一数据。
使用电子束图案方法配置执行曝光系统

[发明专利]设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法-CN201811060653.3在审
发明人： 郑镛席;朴成训;金钟洙;裵硕钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。
光掩模设计数据校正设计布局位置数据光学邻近校正位置误差数据基于位置曝光光束曝光设备误差数据校正图案掩模图案曝光光衬底掩模制造图案曝光

[发明专利]石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法-CN201310124248.4有效
发明人：李周浩;郑镛席;金容诚;李昌承;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
石墨器件制造装置使用方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201310073946.6有效
发明人：李昌承;金容诚;李周浩;郑镛席 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
晶体管及其制造方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top