[发明专利]IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件在审

申请号：	201610712162.7	申请日：	2016-08-24
公开（公告）号：	CN107785257A	公开（公告）日：	2018-03-09
发明（设计）人：	李永辉;陈湛;王艳春	申请（专利权）人：	比亚迪股份有限公司
主分类号：	H01L21/331	分类号：	H01L21/331;H01L21/02;H01L29/739
代理公司：	北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201	代理人：	李志东
地址：	518118 广东省***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明提供了IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件。该方法包括在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗的步骤。通过该清洗步骤可以有效去除前面工序引入的有机粘污和颗粒，大大降低了背面金属脱落的几率，且增加该清洗步骤后，IGBT饱和电压均匀性也明显改善。
搜索关键词：	igbt 器件背面工艺方法
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【主权项】：

一种IGBT器件背面工艺方法，其特征在于，在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗。

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摘要：本发明提供了一种反向导通场截止型超结IGBT，在第一半导体衬底内注入有第二半导体材料，与之形成逆导结构；在第一半导体衬底的上表面依次层叠设置有场中止层和低掺杂浓度的第二半导体材料外延层；所述低掺杂浓度的第二半导体材料外延层中注入有相同浓度第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料和第二半导体材料沿着外延层所在的平面交替多次形成超结结构。本发明还提供了上述IGBT的制作方法。上述的反向导通场截止型超结IGBT及其制作方法，有效降低IGBT的饱和压降和获得更高的功率密度，可以将IGBT做的更薄更小并在内部集成反向导通二极管，有效降低生产成本。

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摘要：本发明公开了一种HBT制造方法，是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域并制作基极电极，进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极，于发射极的电极形成区域之外沉积介质层，腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔，同时制作集电极电极引出线、基极电极引出线以及发射极电极以及进行电极互联布线。相对于现有技术，本方法将发射极电极、基极电极引出线以及集电极电极引出线于同一工序中同时制作，省却了单独的发射极电极制作这一工序，从而降低了制造成本。

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摘要：一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，先在一第一导电型基板的一正面制作正面元件及正面金属层。于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，于每一凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于多重凹槽结构底部具有一第一导电型杂质植入层。以沉积方式于该多重凹槽结构内填入多层第一导电型多晶硅层，且这些第一导电型多晶硅层分别与这些第一导电型杂质植入层图案对齐。于第一导电型基板底部表面植入一第二导电型杂质层。以激光退火工艺对所得结构的各杂质层退火，以制作多个场截止层。

一种降低输入电容的半导体器件-201822005167.3
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摘要：本实用新型提供了一种降低输入电容的半导体器件；包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设置有第一导电类型深扩散区和第二导电类型深扩散区第二导电类型基区内设置有第二导电类型深扩散区。具有低输入电容的半导体器件结构，将基区之间的部分栅氧层下面生长厚的第二绝缘层，这样增大了绝缘层厚度，减小了输入电容，有利于器件的高频应用。第二绝缘层上方的多晶是不连续的，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用。

用于形成半导体器件的方法和半导体器件-201610428162.4
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申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/331
摘要：提供了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该用于形成半导体器件的方法包括将预定义剂量的质子注入到半导体衬底中。此外，该方法包括在预定义剂量的质子的注入期间控制半导体衬底的温度，从而在多于用于注入预定义剂量的质子的注入处理时间的70％的时间期间，半导体衬底的温度在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限至目标温度上限。此外，目标温度下限等于目标温度减去30℃，并且目标温度上限等于目标温度加上30℃，其中，目标温度高于80℃。

IGBT负阻问题的改善方法-201410307058.0
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摘要：本发明公开了一种IGBT负阻问题的改善方法，包括步骤：选择衬底材料并进行背面减薄。进行背面第一次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行热退火。完成IGBT的正面图形工艺。对衬底背面进行湿法腐蚀。进行背面第二次N型重掺杂离子注入形成第二N型场终止层。进行背面P型重掺杂离子注入形成P型注入层。进行激光退火激活。形成背面金属层。本发明能形成较厚的背面场终止层并能消除IGBT的负阻效应、提高产品的可靠性，能够现有半导体工艺兼容、工艺成本低。

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申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

一种功率半导体器件的制备方法-201910335673.5
发明人：白玉明;杨飞;吴凯;杜丽娜;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明涉及一种功率半导体器件的制备方法，其终端区的第二导电类型体区与衬底终端沟槽配合形成所需的终端区结构，而得到第二导电类型体区时不需要掩模版，与现有工艺相比，使得沟槽型功率半导体器件在正面结构制备时能少用一块掩模版，有效降低了功率半导体器件的制备成本。由于衬底阻挡层与元胞绝缘氧化层具有不同的刻蚀选择比，在去除衬底阻挡层时，避免对元胞绝缘氧化层过刻蚀，确保得到功率半导体器件的可靠性。有源区内存在衬底第二导电类型基区，保证了所制备得到功率半导体器件终端区的击穿特性以及有源区的导通特性，整个工艺过程与现有工艺兼容，安全可靠。

绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法-201610782990.8
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申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明公开了一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：在FZ衬底上生长N‑外延层;在N‑外延层上生长氧化层;通过ring mask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。本发明通过ring注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AA mask和ring注入的对位标记，节省了zero mask及相关的工艺费用。

用于制造晶体管的方法-201610138270.8
发明人： C.达尔;D.A.楚马科夫 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/331
摘要：提供了一种用于制造晶体管的方法。该方法包括在半导体衬底上布置堆叠，该堆叠包括牺牲层和绝缘层。绝缘层至少部分地布置在半导体衬底与牺牲层之间。凹槽形成在堆叠内，其中凹槽通过堆叠延伸到半导体衬底使得凹槽至少部分地与半导体衬底的集电极区的表面重叠。集电极区从半导体衬底的主表面延伸到衬底材料中。该方法还包括在集电极区处并且在凹槽中生成基极结构。基极结构接触并且覆盖牺牲层的凹槽内的集电极区。该方法还包括在基极结构处生成发射极结构，其中发射极结构接触并且至少部分地覆盖牺牲层的凹槽内的基极结构。

一种三极管压板机构-201920006998.4
发明人：周雄军 -专利权人：艾尼克斯电子（苏州）有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本实用新型公开了一种三极管压板机构，包括底座板、模具、下压板、连接杆、连接块、固定块和把手，所述底座板上侧模具，所述模具上侧设有下压板，所述模具后侧设有支撑架，所述支撑架之间安装有挡板，所述挡板前侧安装有固定板，所述下压板顶部安装有连接杆，所述连接杆上侧设有连接块，所述连接块与连接杆之间设有铆钉，所述连接块上侧设有固定块，所述固定块和连接块通过铆钉固定在固定板上，所述固定块上侧设有把手，所述把手与固定块之间设有铆钉，所述模具内侧分布有模腔。对三极管进行加工，使得对三极管进行压板加工工艺方便快捷，且省时省力，从而增加了装置工作效率，提高了装置的实用性，适合推广使用。

半导体装置的制造方法-201510270864.X
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摘要：本发明提供在实现并列pn层的微细化的同时，能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。首先，重复地进行n^‑型外延层的沉积、成为并列pn层5的n型区3和p型区4的n型杂质区和p型杂质区的形成，直到沉积的多层n^‑型外延层20a～20c的总厚度成为并列pn层5的预定厚度。在成为并列pn层5的最上层的n^‑型外延层20c，进一步在p型杂质区附近形成n^‑型抑制区。然后，在n^‑型外延层20c上沉积n^‑型外延层20d。接着，在n^‑型外延层20d形成MOS栅结构。此时，在p型基区的扩散处理时，使n型杂质区22a～22c和p型杂质区21a～21c扩散，形成并列pn层5的n型区3和p型区4。

Trench-fs型IEGT结构及制造方法-201910380467.6
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摘要：本发明涉及Trench‑fs型IEGT结构及其制造方法，将集电极分两次进行注入，做成结深不一样的分段集电极，背面形成p++区采用的光刻板与正面p dummy区采用同一张版，获得能对开关与短路进行折中的Trench‑fs型IEGT结构。本发明涉及的新型Trench‑fs型IEGT结构，小电压下，集电极空穴注入效率低于常规结构，大电压下，集电极空穴注入效率高于常规结构，在不增加损耗的同时，能够抑制短路期间的栅电压峰值，对IEGT的开关与短路能够进行折中。

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摘要：本发明属于半导体三极管生产技术领域，具体涉及一种三极管生产工艺。所述生产工艺具体步骤如下：芯片焊接、焊线焊接、注塑、打印章、切中筋、工艺处理、分粒、测试包装步骤，制得成品三极管。本发明采用的工艺生产的三极管不仅成品率高、品质好、生产效率快，而且保证了三极管的质量，生产后期测试通过优良率高，解决了企业一直存在的难题，并极大的提高了企业的生产效率，降低了企业原来和财力的浪费。

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一种场阻型IGBT的制备方法-201410304747.6
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摘要：本发明公开了一种场阻型IGBT的制备方法，包括如下步骤：将含有场阻层和漂移层的第一晶圆与单侧表面具有多孔硅氧化层的第二晶圆粘在一起，使第一晶圆的场阻层与第二晶圆的多孔硅氧化层结合；将第一晶圆的漂移层的厚度减薄；将减薄后的第一晶圆的漂移层表面进行加工；将第一晶圆和第二晶圆剥离；在第一晶圆的场阻层表面加工出集电极。本发明的优点在于：1、不需要厚外延，不需要高能离子注入；2、场阻层的厚度可以得到精确地保证。

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包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法-201811443365.6
发明人： O.J.施普尔伯;M.屈恩勒;W.勒斯纳;C.P.桑多;C.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明涉及包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法。实施例涉及一种在半导体主体中制造绝缘栅双极型晶体管的方法。在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场截止区部分。在所述第一场截止区部分上形成所述第一导电类型的第二场截止区部分。在所述第二场截止区部分上形成所述第一导电类型的漂移区。在完成所述绝缘栅双极型晶体管时，沿所述半导体主体的厚度的多于30%的垂直延伸，所述漂移区中的掺杂浓度小于10¹³ cm^‑3。

鳍式场效晶体管装置结构的制造方法-201811258691.X
发明人：陈健源;李振铭;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/331
摘要：提供一种鳍式场效晶体管装置结构的制造方法。此方法包含在鳍片结构上方形成栅极结构。此方法也包含在源极/漏极结构上方形成源极/漏极接触结构并且在源极/漏极接触结构上方沉积保护层。保护层和源极/漏极接触结构是由不同材料形成。此方法还包含在保护层上方形成蚀刻停止层并且在蚀刻停止层上方形成介电层。此方法包含形成穿过介电层和蚀刻停止层的第一凹槽以露出保护层，并且在第一凹槽中形成源极/漏极导电插塞。源极/漏极导电插塞包含在保护层正上方的阻障层，且保护层和阻障层是由不同材料形成。

双极晶体管及其制备方法-201811518023.6
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明提供一种双极晶体管的制备方法，其包括S101：衬底上形成埋层；S102：在埋层上形成外延层，自外延层延伸至埋层内间隔形成第一沟槽；S103：在第一沟槽内填充饱和原位掺杂多晶硅层；S104：在外延层上形成第一氧化层，贯穿氧化层并位于外延层的上表面的第一开口，在第一氧化层上和第一开口内形成第一多晶硅层；S105：在第一多晶硅层上形成第二氧化层，形成第二开口；S106：外延层内形成第一注入区和第二注入区；S107：在第二开口的侧壁形成第三氧化层，之后在第三氧化层之间形成第二多晶硅层。本发明还提供一种双极晶体管，提高了工作频率和可靠性。

一种特高压IGBT的制造方法-201910042253.8
发明人：鄢细根;黄种德;陈晓静 -专利权人：厦门中能微电子有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明公开了一种特高压IGBT的制造方法，包括以下步骤：硅片背面采用磷杂质注入，注入剂量为5E12，并在1200‑1250度进行300分钟以上的高温推进，形成背面N型缓冲层；形成正面分压环；打开有源区并进行JFET注入与退火；形成栅氧与多晶栅；P‑BODY注入退火；源N+注入退火；去除硅片背面氧化层并进行背面硼杂质注入与退火，注入剂量在1E13，退火温度为900度，形成集电区PN结，保证硼杂质能够激活；形成引线孔；形成正面金属化；形成钝化层；形成背面金属化，避免减薄处理。本发明提供的特高压IGBT的制造方法避免了金属化后必须使用激光退火的加工步骤，减少对昂贵激光退火机台的采购，周期短、成本低、效率高，具有推广价值与实用价值。

锗硅HBT选择性外基区的注入方法-201910034192.0
发明人：陈曦;黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/331
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，在外基区注入之前，先淀积一层氧化膜，然后进行回刻，在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，填充外基区与外侧墙之间的不规则间隙，然后进行外基区注入。在外基区注入时，保护住外基区与外侧墙之间区域的下层不被注入，降低基极‑集电极电容。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件在审

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