[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510278741.0 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105140281A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽;裴轶;张乃千 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体层；位于半导体层之上的源极和漏极，以及位于半导体层之上，且位于源极和漏极之间的栅极；半导体层的下方和/或之内设置有导热和/或耐压层。本发明实施例提供的半导体器件及其制造方法，通过在半导体层的下方和/或之内设置导热和/或耐压层，利用导热层或者导热和耐压层将热量聚集区(源极外边缘和漏极外边缘之间的区域)聚集的热量有效、均匀、及时地散发出去，使得半导体器件内部的温度分布较均匀，能够进一步提高半导体器件的耐压性；通过耐压层或者导热和耐压层提高半导体器件的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体层；位于所述半导体层上的源极和漏极，以及位于所述半导体层上，且位于所述源极和所述漏极之间的栅极；所述半导体层的下方和/或之内设置有导热和/或耐压层。
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