专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210348728.8在审
  • 崔海波 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2022-04-01 - 2023-10-24 - H01L21/768
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法,该制备方法包括提供衬底并在衬底一侧制备半导体层;在半导体层中制备第一开口,第一开口贯穿半导体层;在第一开口内制备刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层以及半导体层远离衬底的一侧制备电极结构;在衬底中制备连接通孔并去除刻蚀阻挡层,连接通孔在半导体层所在平面上的垂直投影与第一开口至少部分交叠;在连接通孔和第一开口内制备连接结构,连接结构与电极结构电连接。本发明实施例通过在半导体层中制备第一开口和刻蚀阻挡层,刻蚀阻挡层可以避免制备连接通孔时影响电极结构,保证半导体器件性能稳定。
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种剥离方法-CN202210331945.6在审
  • 请求不公布姓名;黄哲强;吴星星 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2022-03-30 - 2023-10-24 - G03F7/42
  • 本发明提供一种剥离方法,先在基底一侧的表面依次旋涂至少两层光刻胶,分别对至少两层光刻胶进行软烘、冷却、曝光、烘烤、冷却、显影、硬烘后显现光刻胶图形,在制备目标材料层后去除剩余的光刻胶同时剥离位于所述光刻胶远离所述衬底一侧的所述目标材料层;其中通过控制至少两层光刻胶的感光正负性相同来实现降低成本,提高分辨率的剥离方法;进一步通过控制相邻层光刻胶的感光度差异实现对小线宽结构的剥离;尤其通过控制相邻层光刻胶分辨率,或经过显影后的相邻层光刻胶图形变化差来实现低成本高分辨率结构稳定的小线宽周期性结构的剥离,可以极大改善现有半导体制造工艺中的多芯片周期性结构金属剥离工艺。
  • 一种剥离方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111651847.2在审
  • 宋晰;张少华 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-11 - H01L29/778
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:衬底,以及位于所述衬底上的外延层和电极层;通孔,所述通孔贯穿所述衬底和所述外延层;背金层,所述背金层位于所述衬底远离所述电极层的一侧,并延伸至所述通孔内,与所述电极层接触;疏焊层,所述疏焊层位于所述通孔内,且位于所述背金层远离所述电极层的一侧。与现有技术相比,本发明实施例改善了封装焊料进入通孔的问题,提升了半导体器件的性能和长期可靠性。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件-CN202111666167.8在审
  • 张乃千;裴轶;孙琳琳;张新川 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H01L29/417
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件,包括位于有源区的多个源极、多个栅极和多个漏极;在有源区内,源极、栅极和漏极沿第一方向交替排列,沿第一方向,包括两个分别最靠近排列端部的源极,任意一个栅极位于一个源极和一个漏极之间;至少位于中心的源极沿第一方向的长度大于位于两端的源极沿第一方向的长度;半导体器件还包括贯穿衬底以及多层半导体层的多排通孔;多排通孔沿第一方向排列,源极在衬底上的正投影与通孔在衬底上的正投影交叠;沿第一方向,至少位于中心的源极对应设置的通孔排数是位于两端的源极对应设置的通孔排数的2倍。本发明实施例的技术方案可以在增强半导体器件中心区域的散热能力的同时,保证半导体器件的射频特性。
  • 一种半导体器件
  • [发明专利]复合电感及其制备方法-CN202111673821.8在审
  • 尹成功;朱若璞 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H10N97/00
  • 本发明公开了一种复合电感及其制备方法。复合电感包括:衬底;外延结构,设置于衬底上,形成有二维电子气,二维电子气为第一平面螺旋状;第一连接金属层,与二维电子气的第一端欧姆接触;电感金属线,设置于外延结构远离衬底的一侧,电感金属线为第二平面螺旋状;第一连接金属,第一连接金属的第一端与第一连接金属层电连接,第一连接金属的第二端与电感金属线的第一端电连接;其中,电感金属线的第一端为对应第二平面螺旋状中心点的一端;二维电子气的第一端为对应第一平面螺旋状的中心点的一端。本发明能够提高器件集成度和电感密度。
  • 复合电感及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111673937.1在审
  • 尹成功;刘晶晶 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H10N97/00
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括:基底,所述基底中设置有第一开口;位于所述第一开口内的第一电容极板;位于所述第一电容极板远离所述基底一侧以及位于所述基底一侧的第二介质层;位于所述第二介质层远离所述基底一侧的第二电容极板,所述第二电容极板在所述基底所在平面的垂直投影与所述第一电容极板在所述基底所在平面的垂直投影至少部分交叠。本发明实施例提供的半导体器件,可改善第二电容极板因爬坡现象导致电容结构被击穿失效的问题,能够提高半导体器件的稳定性和可靠性。
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202111659290.7在审
  • 张晖;谈科伟 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-30 - 2023-07-11 - H01L29/778
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件,该半导体器件的外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的多层外延层,多层外延层包括叠层设置的缓冲层和沟道层,沟道层中掺杂有硅离子;缓冲层靠近沟道层的一侧掺杂有碳离子,且靠近沟道层一侧的缓冲层中的碳离子掺杂浓度大于沟道层中硅离子的掺杂浓度。本发明实施例提供的半导体器件的外延结构,通过在沟道层中掺杂硅离子可以提高半导体器件的线性度,再在靠近沟道层一侧的缓冲层中掺杂碳离子,并且碳离子的浓度高于沟道层中硅离子浓度,解决因在沟道层中掺杂硅离子而出现势垒低以及半导体器件出现关态漏电和亚阈特性变差的问题。
  • 一种半导体器件外延结构及其制备方法
  • [发明专利]复合电容及其制备方法-CN202111668110.1在审
  • 尹成功;朱若璞 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-31 - 2023-07-11 - H10N97/00
  • 本发明公开了一种复合电容及其制备方法。所述复合电容包括:衬底;外延结构,设置于所述衬底上,所述外延结构形成有二维电子气;金属电容结构,设置于所述外延结构远离所述衬底的一侧,所述金属电容结构包括第一金属极板和第二金属极板,所述第二金属极板位于所述第一金属极板远离所述衬底的一侧,且所述第一金属极板与所述二维电子气绝缘;沿所述复合电容的厚度方向,所述第一金属极板和所述第二金属极板在所述衬底上的总投影,与所述二维电子气在所述衬底上的投影至少部分重叠。本发明能够增加复合电容中电容的集成度。
  • 复合电容及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202111636286.9在审
  • 赵苗苗;王慧琴;张伟 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-29 - 2023-07-11 - H10N97/00
  • 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法,该半导体器件包括:衬底;位于所述衬底一侧的介质层;位于所述介质层远离所述衬底一侧的第一电极层,所述第一电极层包括第一电极分部、第二电极分部以及位于所述第一电极分部和所述第二电极分部之间的第一开口;覆盖所述第一开口并分别与所述第一电极分部和所述第二电极分部接触连接的薄膜电阻层;位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层;所述第二电极层与所述第一电极层接触。本发明实施例提供的半导体器件及其制备方法,可节约生产成本,工艺重复性好,且器件的稳定性更高。
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]包络追踪装置的供电电路及供电方法-CN202111589801.2在审
  • 朱永生;张乃千;裴轶 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-23 - 2023-06-27 - H02J7/00
  • 本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。所述供电电路包括:电池组,所述电池组包括N个电池;电池组管理模块,所述电池组管理模块包括接地端和电源输出端,所述电池组管理模块用于根据控制信号将所述N个电池中的M个电池串联在所述接地端与所述电源输出端之间;其中,所述电源输出端与所述包络追踪装置的供电端电连接;控制模块,所述控制模块用于检测所述包络追踪装置的输入信号,并根据所述输入信号生成所述控制信号;N≥2,1≤M≤N。本发明能够提高包络追踪装置供电的效率。
  • 包络追踪装置供电电路方法
  • [发明专利]包络追踪装置的供电电路及供电方法-CN202111588446.7在审
  • 朱永生;张乃千;裴轶 - 苏州能讯高能半导体有限公司
  • 2021-12-23 - 2023-06-27 - H02J7/00
  • 本发明公开了一种包络追踪装置的供电电路及供电方法。供电电路包括:储能电池,用于输出电源信号;检测模块,用于检测包络追踪装置的输入信号;功率转换模块,包括输入端和N个输出端,输入端与储能电池电连接,用于将储能电池输出的电源信号转换为N个输出电压,并由N个输出端一一对应输出;控制与管理模块,N个输入端与功率转换模块的N个输出端一一对应电连接,用于根据输入信号生成控制信号,并根据控制信号确定N个输出电压中的一个或至少两个预设输出电压,将一个预设输出电压由其输出端输出,或将至少两个预设输出电压的和由其输出端输出;控制与管理模块的输出端与包络追踪装置的供电端电连接。本发明能够提高包络追踪装置供电的效率。
  • 包络追踪装置供电电路方法

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