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- [发明专利]半导体器件及制造方法-CN201810731422.4有效
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裴风丽
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2018-07-05
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2023-08-08
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H01L29/778
- 本申请实施例提供的半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体层；设置于所述半导体层远离所述衬底一侧的隔离层；设置于隔离层上的源极和漏极，所述源极和漏极与所述隔离层欧姆接触；以及设置在所述隔离层上的栅极和至少一个接地或经过接地处理的接地浮栅。通过在源极与漏极之间设置至少一个接地或经过接地处理的接地浮栅，避免浮栅中的漏电流对浮栅产生的电场尖峰峰值的影响，从而使基于电场尖峰的电场积分增大，提高半导体器件的工作电压，从而提高半导体器件的整体可靠性。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件及制造方法-CN201810559316.2有效
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裴风丽
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苏州捷芯威半导体有限公司
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2018-06-01
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2023-07-18
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H01L29/778
- 本申请实施例提供的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的半导体层；半导体层上设置有源极、栅极和漏极，其中源极和漏极与半导体层欧姆接触；栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置有介质层，所述介质层位于所述半导体层之上；栅极与半导体层及栅极与介质层之间设置有隔离层。通过在栅极与漏极之间，及栅极与源极之间设置介质层，并在栅极与半导体层，及栅极与介质层之间设置隔离层。通过上述设置的隔离层将在制造半导体器件过程中残留在所述介质层表面的污染物或空隙与所述栅极隔离开，大大增强了栅极能承受的电压和器件承受的击穿电压，提高半导体器件的整体可靠性。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610387453.3有效
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许建华;潘盼;李海滨;张乃千;裴风丽
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2016-06-02
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2020-05-05
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H01L23/48
- 本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：制备在一种衬底的其中一个表面上的半导体层，所述半导体层包括有源区和位于有源区之外的无源区；位于所述有源区内的多个源极、多个栅极和多个漏极；与所述源极连接的源极焊盘；与所述栅极连接的栅极焊盘；与所述漏极连接的漏极焊盘；位于所述无源区且贯穿所述衬底、半导体层，并使接地电极与所述源极焊盘电学连接的第一通孔；以及位于所述有源区且贯穿所述衬底、半导体层，并使接地电极与所述源极电学连接的第二通孔。本发明实施例可减小器件整体寄生电感、减轻现有半导体器件集中开孔对器件散热产生的不良影响，有利于提高器件的增益和输出功率。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310331682.X有效
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张乃千;裴风丽
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2013-08-01
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2019-10-08
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H01L29/40
- 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；位于所述衬底上的多层半导体层；位于所述多层半导体层上的源极、漏极、以及位于源极和漏极之间的栅极；位于所述栅极与漏极之间的多层半导体层至少一部分表面上的介质层，所述介质层上存在凹槽；位于所述介质层上的源场板，所述源场板通过至少一条导电路径电连接至所述源极，所述源场板全部或部分覆盖介质层上的凹槽。本发明半导体器件及其制造方法既能充分发挥源场板的作用，又能减小栅源电容Cgs，降低了栅极边缘的峰值电场，提高了器件的击穿电压，减小了器件的栅极泄漏电流，提高了器件的频率特性，充分发挥出了器件输出功率高的优势。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]氮化镓芯片及其制备方法-CN201610301799.7在审
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裴风丽
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2016-05-09
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2017-01-04
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H01L33/38
- 本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法，所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间，所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极。本发明提供的氮化镓芯片及其制备方法通过将高质量的氮化物半导体层转移到热导率较高的散热衬底上，使得氮化镓芯片内部的热量通过散热衬底快速散发出去，保证了氮化镓芯片性能的正常发挥，提高了氮化镓芯片的稳定性和可靠性，以此解决氮化镓芯片自热的问题。同时在转移的过程中，将缺陷与位错较高的部位去除掉，进一步提高了氮化镓芯片的性能，提高了氮化镓芯片的寿命和可靠性。
- 氮化芯片及其制备方法
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310682785.0有效
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张乃千;裴风丽
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苏州能讯高能半导体有限公司
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2013-12-13
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2014-03-12
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H01L23/485
- 发明公开了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底背面设有接地电极；位于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和无源区，有源区为封闭形式，有源区之外的区域为无源区；位于半导体层上的源极和漏极；位于半导体层上的栅极，栅极在源极和漏极间呈叉指状分布；与有源区内的每个源极直接连接且相互对应的源极焊盘，源极焊盘位于半导体层上的无源区内，源极焊盘对称分布在栅极之间或两侧；位于接地电极和源极焊盘间的通孔，通孔贯穿衬底和半导体层，直至源极焊盘。本发明解决了目前半导体器件的通孔位置分布带来的问题，同时又利用了其优点，最大程度地减小了器件源极的接地电感，提高了器件的增益和功率等性能。
- 半导体器件及其制造方法
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