[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210374590.5 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102867857A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·俄依恩扎 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该器件包括第一半导体层，形成于一半导体衬底之上，具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于第一半导体层上，形成一肖特基窗口，具有第二导电类型，并与一保护环接触相连，其中保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环界面；肖特基二极管金属接触，连接到第一半导体层，其与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，其中，肖特基二极管界面位于所述肖特基窗口内部，并与保护环隔开；以及电阻模块，耦接于肖特基二极管金属接触和保护环之间。此半导体器件在提升肖特基二极管正向电流的同时，不会牺牲低漏电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：第一半导体层，具有第一导电类型，其中所述第一半导体层形成于一半导体衬底之上，所述半导体衬底具有第二导电类型；阴极接触区，形成于第一半导体层上，其中所述阴极接触区为重掺杂，具有第一导电类型；保护环，形成于所述第一半导体层上，形成一肖特基窗口，其中所述保护环与所述第一半导体层的交界处为保护环界面，所述保护环具有第二导电类型，所述保护环与一保护环接触相连；肖特基二极管金属接触，连接到所述第一半导体层，所述肖特基二极管金属接触与所述第一半导体层交界处为肖特基二极管界面，其中，所述肖特基二极管界面位于所述肖特基窗口内部，并与所述保护环隔开；以及电阻模块，耦接于所述肖特基二极管金属接触和所述保护环之间。
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