[发明专利]半导体器件及相关制作方法有效
| 申请号： | 201210028857.5 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102637722B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王培林;陈菁菁;E·D·德弗莱萨特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件结构及相关制作方法。一种示例性的半导体器件结构(100)包括沟槽栅极结构(114)，与沟槽栅极结构(114)相邻的半导体材料的体区(124)，与位于体区(124)之下的沟槽栅极结构(114)相邻的漏区(125)，形成于体区(124)内的源区(130)，以及覆盖在体区(124)的第一部分上的横向栅极结构(118)。体区(124)的第一部分被布置于沟槽栅极结构(114)与源区(130)之间。在一种实施例中，角部区(128)被形成于与沟槽栅极结构(114)相邻的体区(124)内，使得体区(124)的第一部分被布置于角部区与源区(130)之间，以及与沟槽栅极结构(114)相邻的体区(124)的第二部分被布置于角部区(128)与漏区(125)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体器件结构的方法，所述方法包括：形成与具有第一导电类型的半导体材料的第一区相邻的第一栅极结构；形成覆盖在所述第一区上的第二栅极结构；在所述半导体材料的所述第一区内通过将具有第二导电类型的离子注入到第一区并扩散所述离子形成具有第二导电类型的半导体材料的第二区；以及在所述第二区内形成具有所述第一导电类型的半导体材料的第三区，其中位于所述第二栅极结构之下的所述第二区的第一部分被布置于所述第一栅极结构与所述第三区之间。
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