[发明专利]高电压半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810094754.2 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308874A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张德基 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高电压半导体器件及其制造方法。高电压半导体器件包括：半导体衬底；第一高电压N型阱，形成在半导体衬底上；第一高电压P型阱，形成在第一高电压N型阱的内部；第二高电压N型阱，在第一高电压N型阱的内部形成为包围第一高电压P型阱；栅极介电层和栅电极，堆叠形成在第一高电压P型阱的上部上；以及第一N型高浓度杂质区域，在第一高电压P型阱中形成在栅电极的两侧上，其中，基于形成有第一高电压P型阱的部分，第一高电压N型阱的上部区域的浓度低于其下部区域的浓度。因此，本发明可以施加大偏压，简化处理，改进在形成在低浓度深N型阱内部的P型阱中的击穿电压，减小高浓度N型杂质区域的范围，以及降低阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电压半导体器件，包括：半导体衬底；第一高电压N型阱，形成在所述半导体衬底中；第一高电压P型阱，形成在所述第一高电压N型阱中；第二高电压N型阱，形成在所述第一高电压N型阱中并包围所述第一高电压P型阱；栅极介电层和栅电极，堆叠形成在所述第一高电压P型阱上；以及第一N型高浓度杂质区域，在所述第一高电压P型阱中形成在所述栅电极的两侧，其中，基于形成有所述第一高电压P型阱的部分，所述第一高电压N型阱的上部区域的浓度低于所述第一高电压N型阱的下部区域的浓度。
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