[发明专利]使用参考电压产生负电压有效

专利信息
申请号: 98124836.5 申请日: 1998-11-17
公开(公告)号: CN1160861C 公开(公告)日: 2004-08-04
发明(设计)人: 冈本利治 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H03L5/00 分类号: H03L5/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在一负电压发生电路中,一参考电压发生电路产生一第一参考电压。一分压电路对第一参考电压和一负电压之间的电压进行分压,产生一分压。一比较电路比较一第二参考电压和分压。一负电压产生段根据比较电路的比较结果产生负电压,以提供给分压电路。当负电压等于一期望值时,相应于分压的电势等于地电势。
搜索关键词: 使用 参考 电压 产生
【主权项】:
1.负电压发生电路,包括:一个参考电压发生电路,用于产生第一参考电压;一个分压电路,用于对所述第一参考电压和一负电压间的一电压进行分压,产生一分压;一个比较电路,用于比较一第二参考电压和所述分压;和一个负电压产生部分,用于基于所述比较电路的比较结果产生所述负电压,以供给所述分压电路,其中所述参考电压发生电路和所述比较电路互相毗邻放置,其中所述参考电压发生电路的接地图案和所述比较电路的接地图案被连接至一公共地电势焊盘,其中所述分压电路包括一第一电阻部分,连接到所述第一参考电压上,和一第二电阻部分,连接到所述第一电阻部分和所述负电压上,其中所述第一和第二电阻部分形成为具有第一导电类型的第一阱中的第一和第二扩散层,第一阱形成于具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二阱中,所述第二阱形成于所述第一导电类型的半导体区域中,和其中所述第一扩散层的第一端连接到所述第一参考电压上,所述第一扩散层的第二端和所述第二扩散层的第一端连接起来输出所述分压,所述第二扩散层的第二端连接到所述负电压上,所述第一阱连接到所述负电压上,所述第二阱连接到正电源电压上。
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