[发明专利]包括整流结分流器的功率开关半导体器件有效
申请号: | 200780040976.X | 申请日: | 2007-11-02 |
公开(公告)号: | CN101536194A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | A·赫夫纳;柳世衡;A·阿加瓦尔 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
主分类号: | H01L29/76 | 分类号: | H01L29/76 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;李家麟 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种半导体器件,包含具有第一导电类型的漂移层以及邻近漂移层的体区。该体区具有与第一导电类型相反的第二导电类型并与漂移层形成p-n结。该器件还包括在体区中并具有第一导电类型的接触器区,以及从接触器区延伸通过体区到达漂移层的分流器沟道区。该分流器沟道区具有第一导电类型。该器件还包括与体区和接触器区电接触的第一端子,以及与漂移层电接触的第二端子。 | ||
搜索关键词: | 包括 整流 分流器 功率 开关 半导体器件 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包含:具有第一导电类型的漂移层;邻近该漂移层的第一体区,该第一体区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并与该漂移层形成p-n结;在该第一体区上的具有所述第二导电类型的第二体区;邻近该第一和第二体区的接触器区,该接触器区具有所述第一导电类型;从该接触器区到漂移层在第一和第二体区之间延伸的分流器沟道区,该分流器沟道区具有所述第一导电类型;与该第一和第二体区以及该接触器区电接触的第一端子;以及与该漂移层电接触的第二端子。
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- 一种集成电路(200),包括NMOS和PMOS晶体管(220,230)。NMOS(220)具有应变沟道,该应变沟道具有分别沿第一和第二轴的第一和第二应力值。PMOS(230)具有应变沟道,该应变沟道具有分别沿第一和第二轴的第三和第四应力值。第一应力值不同于第三应力值,并且第二值不同于第四值。NMOS(220)和PMOS(230)具有共同的长度(L)和有效宽度(W),但是扩散长度(SA)和/或源/漏宽度(WS)不同。NMOS WS可以超过PMOS WS。NMOS(220)在栅下方的有源层中可以包括多个介电结构。PMOS(230)的SA可以小于NMOS(220)的SA。该集成电路可以包括在NMOS(220)上的氮化硅的拉伸应力器以及在PMOS(230)上的氮化硅的压缩应力器。
- 在宽度方向中具有应力修正和电容降低特征的晶体管结构及其方法-200580024276.2
- 陈建;迈克尔·A·门迪奇诺;万司·H·亚当斯;叶祖飞;文卡塔·R·科拉甘塔 - 飞思卡尔半导体公司
- 2005-07-15 - 2009-05-13 - H01L29/76
- 晶体管(50)包括位于有源区(52)中的源区(72)和漏区(74)。栅极(54)位于有源区的沟道区域之上,其中沟道区域分开源区和漏区。晶体管进一步包括在栅极之下并从源区到漏区延伸的至少一个应力修正器和电容降低特征(58,60),用于降低与栅极、源区和漏区关联的电容。该至少一个应力修正器和电容降低特征包括介质并且包括至少部分通过有源区限定的形状。
- 专利分类