[发明专利]有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置无效

申请号：	200710168156.0	申请日：	2007-11-13
公开（公告）号：	CN101188198A	公开（公告）日：	2008-05-28
发明（设计）人：	泷口宏志;柄泽润一	申请（专利权）人：	精工爱普生株式会社
主分类号：	H01L21/312	分类号：	H01L21/312;H01L21/288;H01L21/336
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	李贵亮
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种有机强电介质膜的形成方法、存储元件的制造方法、存储装置和电子设备。具有：在基板2的一个面上涂布·干燥含有有机强电介质材料的液状材料，形成具有结晶度比有机强电介质膜4还低的结晶度、以有机强电介质材料作为主材料而构成的低结晶度膜4B的第1工序；和通过低结晶度膜4B的加热·加压，在对低结晶度膜4B整形的同时提高低结晶度膜4B的结晶度，形成有机强电介质膜4的第2工序。
搜索关键词：	有机电介质形成存储元件制法装置
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【主权项】：

1.一种有机强电介质膜的形成方法，是以具有结晶性的有机强电介质材料作为主材料构成的有机强电介质膜的形成方法，该方法具有：在基板的一个面上形成结晶度比上述有机强电介质膜还低的结晶度的低结晶度膜的第1工序；和由上述低结晶度膜形成上述有机强电介质膜的第2工序，上述第1工序包括在上述基板的一个面上涂布·干燥含有上述有机强电介质材料的液状材料的工序；上述第2工序包括通过上述低结晶度膜的加热·加压，对上述低结晶度膜进行整形的同时提高上述低结晶度膜中的结晶度的工序。

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发明人：杨宏超;金一诺;张怀东;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/312
摘要：本发明提供了一种光刻胶瓶固持装置，包括：底座；大瓶保持架，与所述底座固定连接，该大瓶保持架具有用于支撑大瓶的第一支撑面，该第一支撑面的形状与该大瓶的侧壁形状适应；小瓶保持架，与所述大瓶保持架的第一支撑面可拆卸地连接，该小瓶保持架具有用于支撑小瓶的第二支撑面以及用于与该第一支撑面接触的第三支撑面，该第二支撑面的形状与该小瓶的侧壁形状适应，该第三支撑面的形状与该第一支撑面的形状适应，该小瓶的尺寸小于大瓶的尺寸。本发明能够适用于不同尺寸的光刻胶瓶。

用于剥离掩模层的牺牲材料-201380079021.0
发明人： S·孙达拉拉詹;N·拉哈尔-乌拉比;L·古勒尔;M·哈珀;R·T·特勒格尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/312
摘要：用于在去除蚀刻掩模期间保护所蚀刻的特征的技术和结构。在实施例中，对掩模图案化并蚀刻衬底层以转移图案。在蚀刻衬底层之后，利用回填蚀刻掩模的牺牲材料覆盖被图案化到衬底中的特征。在由牺牲材料保护衬底特征的情况下，去除掩模的至少顶部部分。然后，去除牺牲材料和掩模的任何剩余部分。在其它实施例中，利用与多层蚀刻掩模的第一材料层具有相同的成分的牺牲材料来保护所蚀刻到衬底层中的栅极接触部开口。在接下来与第一掩模材料层同时去除牺牲材料之前，去除与衬底层具有类似成分的蚀刻掩模的第二材料层。

快速固化半导体聚合物层的两步法-201480051294.9
发明人： W.B.罗杰斯;W.G.M.范登霍克 -专利权人：德卡技术股份有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/312
摘要：本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)或硅氧烷基聚合物。可通过UV烘烤使所述聚合物层的表面交联以在后续固化期间控制所述通孔的倾斜度。所述第二工艺还可包括使用传导加热、对流加热、红外加热或微波加热使所述聚合物层热固化。可通过以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高所述聚合物的温度，使所述聚合物层热固化，并且所述聚合物层可在小于或等于60分钟内完全固化。

改良的旋转涂布制作工艺-201710455942.2
发明人：李瑞珉;张景翔;黄承栩;陈意维;刘玮鑫;邹世芳 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/312
摘要：本发明公开一种改良的旋转涂布制作工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，喷洒一流体材料于基底的一表面上，并同时加热流体材料至高于25℃，以形成一旋转涂布介电层于基底上。

含N取代的二氮烯*二氧化物和/或N’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物-201180053707.3
发明人： B·诺勒;D·弗朗茨;Y·李;S·A·奥斯曼易卜拉欣;H·W·平德尔;S·S·文卡塔拉曼 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/312
摘要：本发明涉及一种含水抛光组合物，其包含：(A)至少一种水溶性或水分散性化合物，其选自N‑取代的二氮烯二氧化物和N′‑羟基‑二氮烯氧化物盐；和(B)至少一种类型的磨料颗粒；化合物(A)在制造电子、机械和光学器件中的用途以及利用所述含水抛光组合物抛光电子、机械和光学器件用基底材料的方法。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置无效

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