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[发明专利]具有非化学计量组成的化合物用密封件及其制造方法-CN202280016616.0在审
发明人：竹谷纯一;渡边峻一郎;熊谷翔平;韦潇竹;池田大次;佐藤弘树;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本公开提供一种适合于具有非化学计量组成的化合物的密封件。本公开涉及一种具有非化学计量组成的化合物用密封件，其包括：聚合物层和无机氧化物绝缘体层，所述聚合物层包括：包含有机溶剂可溶性聚合物的第一聚合物层。
具有化学计量组成化合物密封件及其制造方法

[发明专利]无机/有机混合互补型半导体器件及其制造方法-CN202280016632.X在审
发明人：竹谷纯一;渡边峻一郎;熊谷翔平;韦潇竹;池田大次;佐藤弘树;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能廉价地制造，长期稳定性优异，p型晶体管与n型晶体管的动作的平衡良好，以高速进行动作的无机/有机混合互补型半导体器件。本公开涉及一种无机/有机混合互补型半导体器件，其包括：基板；p型有机半导体单晶层；所述基板与所述单晶层之间的n型非晶态金属氧化物无机半导体层；以及所述单晶层与所述无机半导体层之间的保护层，所述单晶层配置为：从与所述单晶层的主面垂直的方向观察时，所述单晶层的至少一部分与所述无机半导体层重叠，或所述单晶层不与所述无机半导体层重叠，所述单晶层与所述无机半导体层之间的距离为1mm以下，所述无机半导体层具有所述单晶层侧的氧缺陷量比所述基板侧的氧缺陷量多的、厚度方向的氧缺陷量的分布。
无机有机混合互补半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机半导体器件制造用组合物-CN201680075383.6有效
发明人：铃木阳二;横尾健;赤井泰之;竹谷纯一 -专利权人：株式会社大赛璐;国立大学法人东京大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、可以在低温环境中利用印刷法而形成具有高载流子迁移率的组合物。本发明的有机半导体器件制造用组合物含有下述有机半导体材料和溶剂(A)，有机半导体材料：N字型稠环π共轭系分子；溶剂(A)：下述式(a)所示的化合物，式中，L表示单键、‑O‑、‑NH‑C(＝O)‑NH‑、‑C(＝O)‑或‑C(＝S)‑，k表示0～2的整数，R1表示C1‑20烷基、C2‑20烯基、C3‑20环烷基、‑ORa基、‑SRa基、‑O(C＝O)Ra基、‑RbO(C＝O)Ra基、或取代或无取代氨基，t表示1以上的整数。
有机半导体器件制造组合

[发明专利]导体材料-CN202180031352.1在审
发明人：冈本敏宏;黑泽忠法;山下侑;竹谷纯一;池田大次;横尾健;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本申请提供一种具有高导电性的导体材料。本公开的导体材料具有将掺杂剂掺杂进在侧链具有含杂原子的电子供给性基团的共轭高分子化合物而成的构成，该掺杂剂包含选自氮阴离子、硼阴离子、磷阴离子、以及锑阴离子中的阴离子和抗衡阳离子。作为所述阴离子，优选下述式(1)所示的阴离子。下述式(1)中，R1、R2相同或不同，表示电子吸引性基团。R1、R2任选地彼此键合而与邻接的氮原子共同形成环。
导体材料

[发明专利]掺杂剂及导体材料-CN202180028713.7在审
发明人：冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;池田大次;横尾健;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C07C211/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能形成具有高导电性的导体材料的掺杂剂。本公开涉及一种包含下述式(1)所示的自由基阳离子和抗衡阴离子的掺杂剂。下述式(1)中，R1～R3相同或不同，表示一价芳香族基团或下述式(r)所示的基团。需要说明的是，R1～R3中的至少一个为下述式(r)所示的基团。n表示自由基阳离子的价数，等于式中的氮原子的个数(n)。下述式(r)中，Ar1、Ar2、Ar3相同或不同，表示二价芳香族基团，Ar4、Ar5、Ar6、Ar7相同或不同，表示任选地具有下述式(sb)所示的取代基的一价芳香族基团。m、n相同或不同，表示0以上的整数。
掺杂导体材料

[发明专利]电子器件制造用溶剂组合物-CN201880024340.4有效
发明人：藤井宽之;赤井泰之;铃木阳二 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09D11/03 文献下载
摘要：本发明提供一种溶剂组合物，其是用于通过印刷法制造电子器件的油墨中使用的溶剂组合物，其中，所述溶剂组合物可以提高油墨的印刷精度，可以在低温下进行烧制，可以将烧制后残存的灰分量抑制到非常低的水平。本发明的电子器件制造用溶剂组合物是用于通过印刷法制造电子器件的油墨中使用的溶剂组合物，其中，所述溶剂组合物包含溶剂与下述式(1)所示的化合物的相容物。式(1)中，R相同或不同，表示碳原子数为1以上的脂肪族烃基。
电子器件制造溶剂组合

[发明专利]新型化合物及其用途-CN202080096972.9在审
发明人：池田大次;横尾健;赤井泰之;冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;岑鼎海 -专利权人：株式会社大赛璐;国立大学法人东京大学
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C07D307/77 文献下载
摘要：本发明提供化学稳定性优异、对溶剂具有高溶解性、且显示出优异的载流子迁移率的化合物。所述化合物为下述式(1)表示的化合物。[式(1)中，X1、X2、X3、R1～R10如说明书中所定义。]
新型化合物及其用途

[发明专利]掺杂物以及导电性组合物及其制造方法-CN202080059299.1在审
发明人：冈本敏宏;黑泽忠法;竹谷纯一;池田大次;赤井泰之 -专利权人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C07C311/48 文献下载
摘要：本公开的新型掺杂物包含下述式(1)所示的阴离子和抗衡阳离子。在该式(1)中，R1和R2可以为选自硝基、氰基、酰基、羧基、烷氧基羰基、卤代烷基、磺基、烷基磺酰基、卤代磺酰基、卤代烷基磺酰基中的至少一种基团，或者也可以为R1与R2彼此键合而形成的基团[‑SO2‑L‑SO2‑](式中，L表示卤代亚烷基)。该抗衡阳离子也可以为下述式(2)所示的自由基阳离子。(式中，R1和R2为任选地彼此键合而形成杂环的吸电子性基团，R3～R5表示氢原子氢原子、任选地具有取代基的烃基或任选地具有取代基的杂环基)。该掺杂物能形成显现高传导率的导电性组合物。
掺杂以及导电性组合及其制造方法

[发明专利]接合性导体糊-CN202080055959.9在审
发明人：小畑贵慎;江川智哉;赤井泰之 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01B1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够在印刷温度下抑制粘度的变动而实现没有不均的印刷、即使在氮气等不活泼气体气氛中也会迅速烧结而形成接合强度优异的高精度的导体布线、接合结构体的糊。本发明提供包含导电性粒子和溶剂的、用于形成用以连接电子元件的导体布线和/或接合结构体的接合性导体糊。所述接合性导体糊包含平均粒径为1nm以上且小于100nm的银粒子(A)及平均粒径为0.1μm以上且10μm以下的银粒子(B)作为导电性粒子，上述银粒子(A)是具有表面被包含胺的保护剂包覆了的构成的银纳米粒子，上述接合性导体糊包含下述式(I)表示的化合物(C)作为溶剂：Ra‑O‑(X‑O)n‑Rb(I)(式中，Ra表示选自碳原子数1～6的烃基及酰基中的1价基团。X表示选自碳原子数2～6的烃基中的2价基团。Rb表示氢原子、或选自碳原子数1～6的烃基及酰基中的1价基团。Ra与Rb任选为相同基团。n表示1～3的整数)。
接合导体

[发明专利]有机半导体器件制造用油墨组合物-CN202080028862.9在审
发明人： 赤井泰之;横尾健;菱田真广 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供能够将具有刚性的主链骨架的有机半导体材料以最适于单晶形成工艺的溶质浓度进行油墨化的有机半导体器件制造用油墨组合物。该有机半导体器件制造用油墨组合物含有选自下述2,3‑二氢苯并呋喃化合物(A)中的至少一种溶剂、和至少一种溶质。2,3‑二氢苯并呋喃化合物(A)为下述式(a)表示的化合物。式(a)中，R1、R2、R3、R4、R5及R6参见说明书中的定义。
有机半导体器件制造油墨组合

[发明专利]有机半导体器件制造用油墨组合物-CN201980061317.7在审
发明人： 赤井泰之;横尾健 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够将具有刚性的主链骨架的有机半导体材料以最适于单晶形成工艺的溶质浓度进行油墨化的有机半导体器件制造用油墨组合物。本发明的有机半导体器件制造用油墨组合物含有选自下述萘化合物(A)中的至少一种溶剂、和至少一种溶质。相对于萘化合物(A)(100％)，萘化合物(A)的异构体的含量以通过气相色谱法得到的峰面积的比例计优选为2％以下。萘化合物(A)：下述式(a)表示的化合物[式(a)中，R的定义参见说明书]。
有机半导体器件制造油墨组合

[发明专利]涂布型绝缘膜形成用组合物-CN201580047073.9有效
发明人： 赤井泰之;铃木阳二;横尾健 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂，环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物；溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中，环Z为选自5～6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环，R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基，在具有2个以上取代基的情况下，2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。
涂布型绝缘形成组合

[发明专利]咪唑化合物、金属表面处理液、金属的表面处理方法、及层合体的制造方法-CN201710787383.5有效
发明人：石川达郎;野田国宏;大内康秀;千坂博树;盐田大;前田幸嗣;井本隆文;藤田浩平;赤井泰之 -专利权人：东京应化工业株式会社;株式会社大赛璐
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C07D233/60 文献下载
摘要：本申请涉及咪唑化合物、金属表面处理液、金属的表面处理方法、及层合体的制造方法。本发明提供：新型的咪唑化合物，所述咪唑化合物可提供对迁移、布线表面的氧化具有优异抑制效果的表面处理液；含有该咪唑化合物的金属表面处理液；使用该金属表面处理液的金属的表面处理方法、及使用该表面处理液的层合体的制造方法。本发明使用含有特定结构的饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯的表面处理液对金属进行表面处理，所述饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯的规定位置被规定结构的芳香族基团和可具有取代基的咪唑基取代。
咪唑化合物金属表面处理金属表面方法合体制造

[发明专利]咪唑化合物、金属表面处理液、金属的表面处理方法、及层合体的制造方法-CN201580046344.9有效
发明人：石川达郎;野田国宏;大内康秀;千坂博树;盐田大;前田幸嗣;井本隆文;藤田浩平;赤井泰之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C07D233/60 文献下载
摘要：本发明提供：新型的咪唑化合物，所述咪唑化合物可提供对迁移、布线表面的氧化具有优异抑制效果的表面处理液；含有该咪唑化合物的金属表面处理液；使用该金属表面处理液的金属的表面处理方法、及使用该表面处理液的层合体的制造方法。本发明使用含有特定结构的饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯的表面处理液对金属进行表面处理，所述饱和脂肪酸或饱和脂肪酸酯的规定位置被规定结构的芳香族基团和可具有取代基的咪唑基取代。
咪唑化合物金属表面处理金属表面方法合体制造

[发明专利]有机晶体管制造用溶剂-CN201480057473.3有效
发明人：铃木阳二;横尾健;赤井泰之 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体材料的溶解性优异、能够形成结晶性高的有机晶体管的有机晶体管制造用溶剂。本发明的有机晶体管制造用溶剂包含1种或2种以上的下述式(a)所示的溶剂A。式中，环Z表示选自芳香族碳环、5～7元脂环式碳环及5～7元杂环中的环。R
有机晶体管制造溶剂

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