[发明专利]有序的有机-有机多层生长有效

专利信息
申请号: 201180049657.1 申请日: 2011-10-10
公开(公告)号: CN103384926A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: S·R·弗雷斯特;R·R·伦特 申请(专利权)人: 密执安州立大学董事会
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王海宁
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种有序多层晶体有机薄膜结构,其通过相继沉积至少两层薄膜晶体有机材料来形成,其中选择所述至少两个薄膜层以使其表面能在彼此的±50%内,且优选在彼此的±15%内,由此所述多层晶体有机薄膜结构内的每个薄膜层均表现出与相邻的晶体有机薄膜的准外延关系。
搜索关键词: 有序 有机 多层 生长
【主权项】:
一种形成有序多层晶体有机薄膜结构的方法,该方法包括:相继沉积至少两层薄膜晶体有机材料,形成多层晶体有机薄膜结构,其中所述至少两层薄膜晶体层的表面能在彼此的±50%内,由此,该多层晶体有机薄膜结构内的所述至少两层薄膜晶体有机材料均表现出与相邻晶体有机薄膜的准外延关系。
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