[发明专利]有机半导体组合物以及有机薄膜和具有该有机薄膜的有机薄膜元件有效
| 申请号： | 200980111498.6 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101981722B | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 小广健司;山手信一;中园明子 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供能够形成具有高载流子传输性的有机薄膜的有机半导体组合物。适合的有机半导体组合物包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物，高分子化合物的溶解度参数与低分子化合物的溶解度参数相差0.6～1.5。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 组合 以及 有机 薄膜 具有 元件 | ||
【主权项】：
一种有机半导体组合物，其特征在于：包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物，所述高分子化合物的溶解度参数与所述低分子化合物的溶解度参数相差0.6～1.5，低分子化合物的比例在载流子传输性高分子化合物和低分子化合物的总量中，为10～90质量％。
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- 本发明提供一种以式I所示的化合物为有机半导体层的有机场效应晶体管及其制备方法与应用。式I中，R1和R2相同或不同，均选自氢、取代或未取代的C1‑C50的烷基、取代或未取代的C6‑C50的芳基中的至少一种；X为C＝C或C≡C。本发明的有机场效应晶体管表现出了非常好的器件稳定性，且对于不同波长入射光的传感响应差异显著，对于光强仅为37μW cm‑2的波长为365‑420nm的UVA波段紫外光能够表现出非常灵敏的传感响应，光响应度(R)超过6000A/W，感光灵敏度(P)最高可以达到6.75×105，因而所述有机场效应晶体管可用于制备紫外光传感器，制得的紫外光传感器对UVA波段紫外光表现出的感光灵敏度基本不随光强度变化而变化，在反向检测入射光分布区间方面具有极大优势。
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- 蔡一茂;刘业帆;方亦陈;王宗巍;李强;余牧溪;潘越;黄如 - 北京大学
- 2014-02-11 - 2017-01-04 - H01L51/30
- 本发明涉及一种多值非易失性有机阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的中间功能层，中间功能层为至少两层聚对二甲苯。该方法包括：采用PVD方法在衬底上生长底电极材料，并采用标准光刻技术使底电极图形化；采用聚合物化学气相淀积方法在底电极上依次生长多层聚对二甲苯材料；通过光刻和刻蚀定义底层电极的引出通孔；采用PVD方法在聚对二甲苯材料上生长顶电极材料，通过光刻、剥离定义顶层电极，并将底电极引出。本发明能够在不改变器件基本结构的条件下，通过采用两侧均为较惰性电极以及多层聚对二甲苯的淀积来实现具有自限流效果的多值存储功能。
- 一种改性的聚噻吩类有机磁阻薄膜材料及其制备方法、应用-201610164579.4
- 谷航;赵亮 - 新疆金风科技股份有限公司
- 2016-03-22 - 2016-07-20 - H01L51/30
- 本发明提供了一种有机磁阻薄膜材料，由聚噻吩类化合物和稠环芳烃类衍生物复合后得到。本发明利用稠环芳烃类的有机小分子化合物与聚噻吩类有机高分子聚合物混合，实现对聚噻吩类有机高分子掺杂改性。掺杂物能带的最高被占据轨道能级高于被掺杂物的最高被占据轨道，因此空穴类载流子在被掺杂物的传输过程中会被掺杂物阻挡，从而形成“载流子陷阱”，而“载流子陷阱”的引入能够产生更灵敏的磁阻效应；同时稠环芳烃类掺杂物比聚噻吩类被掺杂物具有更高的载流子迁移率，因此掺杂物的引入还增强了被掺杂物的导电性。
- 一种单栅柔性有机存储器件及其制备方法-201510393421.X
- 马力超;唐莹;彭应全;韦一 - 中国计量学院
- 2015-07-01 - 2016-06-22 - H01L51/30
- 本发明涉及一种单栅柔性有机存储器件及其制备方法，主要由衬底、栅电极、介质层、有机半导体层、源电极和漏电极构成。本发明以柔性材料聚酰亚胺作为柔性衬底，制备的存储器件具有良好的柔性和机械强度。有机驻极体材料作为介质层，利用有机驻极体在外加电场下可以俘获和释放电荷的性质，调控阈值电压实现存储器件的功能，提高了存储器件的存储时间和使用寿命，同时本发明采用旋涂、磁控溅射和真空热蒸发的方法制备，工艺简单，可大面积制备，可有效降低生产成本。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
