[发明专利]涂布型绝缘膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201580047073.9 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106605293B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赤井泰之;铃木阳二;横尾健 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京坤瑞律师事务所 11494 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂，环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物；溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中，环Z为选自5～6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环，R |
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| 搜索关键词： | 涂布型 绝缘 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种绝缘膜形成用组合物，其含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂，环状烯烃共聚物：环状烯烃和链状烯烃的共聚物；溶剂：包含以下述式(1)表示、且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物，式(1)中，环Z为选自5～6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环，R1为烃基或酰基，环Z至少具有R1O基作为取代基，在具有2个以上取代基的情况下，2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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