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[发明专利]一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法-CN201710826236.4有效
发明人：谭鑫;才智;冯志红;吕元杰;王元刚;宋旭波;周幸叶;房玉龙;顾国栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L41/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法,涉及半导体压力传感器技术领域；包括键合晶圆、键合介质、衬底、缓冲层、势垒层、金属导线、势垒层、空腔和欧姆电极，缓冲层5材料为氮化镓，势垒层6材料为InxAlyGa1‑x‑yN；保证电阻的稳定性，制备方法简单，提高产品制作精度，可用于高温环境。
一种基于惠斯顿电桥结构压力传感器及其制造方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231623.9在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;谭鑫;冯志红;马春雷;徐森峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：衬底；n型氧化镓层，形成在所述衬底上，其中，所述n型氧化镓层形成有斜面结构，所述斜面结构的外边缘和所述n型氧化镓层的外边缘重合，且所述斜面结构对应区域的n型氧化镓层从外边缘向内边缘厚度增加，所述斜面结构下方具有高温退火处理n型氧化镓层形成的热氧化处理区；阳极金属层，形成在所述n型氧化镓层上；其中，所述阳极金属层在n型氧化镓层上的投影覆盖所述斜面结构的内边缘，且该投影的边缘与所述斜面结构的内边缘之间的水平距离小于或等于预设距离；阴极金属层，形成在所述衬底的背面。上述结构可以提高器件的击穿电压。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓器件隔离区的制备方法-CN201811450087.7有效
发明人：吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓器件隔离区的制备方法，包括：在氧化镓材料上淀积掩膜层；去除所述掩膜层的预设部分区域；利用高温氧化技术，在所述氧化镓材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化镓器件的有源区之间；去除所述氧化镓材料上剩余的掩膜层。本发明通过高温氧化技术制备隔离区，避免了隔离区制备过程中对氧化镓器件造成的损伤，实现了氧化镓器件有源区之间的隔离。
一种氧化器件隔离制备方法

[发明专利]一种自动削皮机使用方法-CN201810122391.2有效
发明人： 王元刚;贾卫平;盖欣桐;吴蒙华;王珍;吕鹏翔;李晓鹏 -专利权人：大连大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： A23N7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动削皮机使用方法，该方法具体包括：1、上料：在上料区C，物料放置在顶尖与梅花顶尖之间，在轴向弹性伸缩旋转梅花顶尖轴向弹力的作用下夹紧；2、运输：上下料装置带动物料旋转到削皮区A；3、削皮；4、输出物料；5、重新上料，循环进行。该方法降低劳动强度，提高工作效率，使根、茎、果类的物料去皮工作实现自动化生产。
一种自动削皮使用方法

[发明专利]一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法-CN201610608427.9有效
发明人：吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于纳米栅制备的无损伤自终止刻蚀方法，涉及半导体器件制造技术领域；步骤为：对衬底材料进行清洗，利用热氧设备生长氧化物介质层；在氧化物介质层上设置顶部介质层；悬涂第一光刻胶，烘烤、曝光、显影；采用等离子体进行干法过刻蚀；清洗去除第一光刻胶；悬涂第二光刻胶，进行烘烤；悬涂第三光刻胶，进行烘烤；对已经得到的样品进行曝光、显影；蒸发栅金属；剥离第一光刻胶和第二光刻胶；简单方便，能实现刻蚀自动终止，阻挡刻蚀过程中对GaN的刻蚀损伤。
一种用于纳米制备损伤终止刻蚀方法

[发明专利]斜型栅结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法-CN201911088386.5在审
发明人：吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜型栅结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在所述n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极，获得第一样品；在所述样品上沉积介质层，并在所述介质层中刻蚀出一与所述介质层厚度一致的倒梯形结构，获得第二样品；在所述第二样品上的所述倒梯形结构中制备T型栅电极，从而可以提高斜型栅结构氧化镓场效应晶体管的击穿电压。
斜型栅结构氧化场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种用于膛线加工的数控铣床-CN201711362865.2有效
发明人： 王元刚;吴蒙华;王珍;何利;李晓鹏 -专利权人：大连大学
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B23C3/32 文献下载
摘要：本发明属于铣床装置技术领域，具体涉及一种用于膛线加工的数控铣床，包括用于支撑身管定位和夹紧的身管床身，连接有支撑身管铣削部件的机床主轴床身；所述的身管床身上设置的燕尾槽导轨连接前支架、后支架、前接油箱、后接油箱；所述机床主轴床身上设置的滚柱直线导轨连接有Z轴进给机构、C轴旋转进给机构，C轴旋转进给机构连接有铣刀系统，机床主轴床身上连接有操作台、固定导引架；通过操作台和电控柜组成的控制系统控制进给机构产生膛线轨迹和扭矩，控制铣刀系统输出切削力和扭矩，最终完成火炮身管膛线的铣削加工。本发明的铣床加工精度高，表面质量好，生产率高，安全性高，可靠性好，调整容易，维护成本低。
一种用于膛线加工数控铣床

[发明专利]同质外延氮化镓晶体管器件结构-CN201910906108.X在审
发明人： 王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;房玉龙;顾国栋;敦少博 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种同质外延氮化镓晶体管器件结构，包括：衬底、位于衬底上的沟道层、位于沟道层上的势垒层及位于势垒层上的电极，所述电极包括源电极、漏电极和栅电极；所述源电极和所述漏电极分别位于所述势垒层上表面的两侧，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间的所述势垒层上；所述沟道层厚度范围满足1nm≤d
势垒层沟道层漏电极源电极电极栅电极主沟道衬底半导体技术领域氮化镓晶体管异质结界面器件结构同质外延泄露电流副沟道可控的上表面申请

[发明专利]一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法-CN201910837330.9在审
发明人：周幸叶;谭鑫;吕元杰;王元刚;宋旭波;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种集成增透膜层的紫外探测器及其制备方法，其中，所述增透膜层覆盖于所述紫外探测器的入射面；所述增透膜层具有电极窗口，所述紫外探测器的上电极层穿过所述电极窗口。本申请提供的集成增透膜层的紫外探测器，可以减小入射光在紫外探测器的入射面上的反射，从而可以增加进入紫外探测器的有源区的入射光子量，达到提高紫外探测器的量子效率的目的。
紫外探测器增透膜层电极窗口入射半导体技术领域量子效率电极层光子量入射光入射面减小源区反射申请制备穿过覆盖

[发明专利]一种铣刀系统-CN201711363741.6有效
发明人： 王元刚;吴蒙华;王珍;何利;李晓鹏 -专利权人：大连大学
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B23C3/32 文献下载
摘要：本发明属于铣床装置技术领域，具体涉及一种铣刀系统，包括支撑筒、主轴电机、保持架、主齿轮、铣刀装置；所述支撑筒与刀杆通过柔性联轴器连接，支撑筒两端各固定连接一个保持架，保持架用于保持支撑筒与身管内壁接触并且两者回转中心线同轴，主轴电机的定子与支撑筒内壁固定连接，主齿轮与转子固定连接。通过铣刀保证身管膛线截面形状、尺寸的一致性，不会出现因刀杆受力变形引起膛线深度、形状的变化。
一种铣刀系统

[发明专利]增强型异质结场效应晶体管-CN201910891504.X在审
发明人： 王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;周幸叶;谭鑫;房玉龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型异质结场效应晶体管，自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层和钝化层；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极和栅电极之间及漏电极和栅电极之间；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无二维电子气区、第一浓度的二维电子气区和第二浓度的二维电子气区，第一浓度小于第二浓度，栅电极正下方以外的沟道层中存在无二维电子气区，栅电极正下方的沟道层中存在第二浓度的二维电子气区；第一浓度的二维电子气区位于源电极和栅电极之间的沟道层中，或位于漏电极和栅电极之间的沟道层中。本发明通过形成浓度梯度，引入新的电场峰值，能够提高击穿电压，提高器件可靠性。
沟道层栅电极二维电子气漏电极源电极钝化层势垒层异质结场效应晶体管半导体器件技术器件可靠性电场击穿电压浓度梯度增强型衬底分列引入

[发明专利]增强型异质结场效应晶体管-CN201910891750.5在审
发明人： 王元刚;冯志红;吕元杰;谭鑫;周幸叶;宋旭波;房玉龙;张志荣;郭艳敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型异质结场效应晶体管，增强型异质结场效应晶体管自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。本发明提供的增强型异质结场效应晶体管，通过在势垒层与P型掺杂帽层之间引入介质层，在P型掺杂帽层与栅电极之间引入N型掺杂帽层，能够提高器件的阈值电压，增大器件的电流密度。
帽层异质结场效应晶体管增强型缓冲层介质层势垒层栅电极半导体器件技术阈值电压漏电极源电极引入衬底分列

[发明专利]碳化硅探测器及其制备方法-CN201810421559.X有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;李佳;房玉龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了碳化硅探测器及其制备方法，碳化硅探测器包括：晶片，所述晶片从下至上依次为衬底、碳化硅P
碳化硅探测器晶片插入层上表面吸收层制备掺杂半导体技术领域降低器件量子效率台面刻蚀暗电流倍增层台面区信噪比台面衬底刻蚀递减递增保证

[发明专利]雪崩光电二极管的制备方法-CN201810421573.X有效
发明人：周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;李佳;房玉龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种雪崩光电二极管的制备方法，该方法包括：在晶片上制备台面；在晶片上表面和所述台面的侧面生长牺牲层；去除所述晶片欧姆接触电极区的牺牲层；在晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；去除制备欧姆接触电极后的晶片非台面区和台面的侧面的牺牲层；在去除非台面区和台面的侧面的牺牲层后的晶片上表面和台面的侧面生长钝化层；去除所述晶片台面的上表面的钝化层和所述晶片非台面区与所述欧姆接触电极区对应区域的钝化层；去除所述晶片台面的上表面的牺牲层。本发明能够保护器件的光敏面不受损伤，从而减小器件的漏电流，并提高器件的量子效率和响应度。
欧姆接触电极牺牲层晶片制备去除钝化层台面区侧面雪崩光电二极管晶片上表面晶片台上表面半导体技术领域保护器件量子效率光敏面漏电流响应度生长台面减小损伤

[发明专利]一种基于计算机视觉的刀具刃型检测装置-CN201810143803.0有效
发明人：甄恒洲;王元刚;王建维 -专利权人：大连大学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于计算机视觉的刀具刃型检测装置，包括：高清CCD、CCD支架、检测板、基座、刀具定位块，夹紧装置；所述夹紧装置，包括：压爪连接板、滑轨连接板、圆柱导轨、支架、定位元件链接板、横向圆柱导轨、链接块、压爪、方形滑块、方形滑轨、定位元件链接板支架、横向圆柱导轨滑块；本申请是基于计算机视觉，对各类刀具能准确测量出刀具的尺寸，并能精确反应出刀具轮廓。便于修磨刀具，可以用于精密机械加工中的刀具测量及检测。
计算机视觉横向圆柱导轨定位元件夹紧装置检测装置刀具刃链接板压爪支架刀具精密机械加工刀具定位块滑轨连接板刀具测量刀具轮廓方形滑轨方形滑块圆柱导轨准确测量磨刀检测板连接板高清滑块链接检测申请