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[实用新型]氮化镓晶体管-CN201821240867.4有效
发明人：闻永祥;贾利芳;逯永建;李东昇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管。该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓层上；至少一个第二复合叠层，位于所述势垒层上；以及栅极电极、源极电极与漏极电极，位于所述势垒层上，并且所述栅极电极位于所述源极电极和所述漏极电极之间该氮化镓晶体管中的第二复合叠层使氮化镓层处于导通状态，并在截止状态有效注入空穴，释放被捕获的电子，抑制晶体管动态导通电阻增大，增加动态电阻的稳定性，提高氮化镓晶体管的可靠性。
氮化镓晶体管漏极电极势垒层氮化镓层复合叠层源极电极栅极电极掺杂层衬底空穴导通电阻导通状态动态电阻截止状态插入层晶体管堆叠释放申请

[实用新型]氮化镓晶体管-CN201922471991.2有效
发明人：逯永建;贾利芳;肖金平;闻永祥;李东昇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管，包括：位于衬底上的势垒层；位于所述势垒层上方第一区域的栅叠层，所述栅叠层包括栅极结构层以及位于所述栅极结构层和所述势垒层之间的第一插入层；以及位于所述势垒层上方第二区域的第一空穴注入层，所述第一区域和所述第二区域彼此隔开，其中，所述氮化镓晶体管的漏极电极与所述第一空穴注入层和所述势垒层二者接触。该氮化镓晶体管在形成所述栅极结构层时图案化硬掩膜层，以及将硬掩膜层用于后续图案化工艺，从而可以简化氮化镓晶体管的制造工艺以及提高产品良率。该氮化镓晶体管采用第一空穴注入层向沟道层中注入电荷以释放陷阱能级捕获的电子，因而可以获得稳定的导通电阻。
氮化晶体管

[实用新型]氮化镓晶体管-CN202020536095.X有效
发明人：逯永建;吴贵阳;肖金平;贾利芳;闻永祥;李东昇 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管，该氮化镓晶体管包括：衬底；氮化镓沟道层，位于所述衬底上；势垒层，位于所述氮化镓沟道层上；第一掺杂区与第二掺杂区，位于所述势垒层中；反射层，位于所述势垒层上方，具有暴露所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的开口该氮化镓晶体管通过反射层达到了在激光退火时保护部分势垒层的目的，减小了器件的导通电阻。
氮化晶体管

[发明专利]氮化镓晶体管-CN201780084505.2有效
发明人：焦尔贾·隆戈巴尔迪;弗洛林·乌德雷亚 -专利权人：剑桥氮化镓器件有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文公开了一种III族氮化物半导体基异质结功率器件，包括：衬底(305)；形成在衬底上方的III族氮化物半导体区域；操作性连接到III族氮化物半导体区域的源极(340)；与源极横向间隔开并操作性连接到III族氮化物半导体区域的漏极(320)；形成在III族氮化物半导体区域上方的栅极(335)，栅极形成在源极和漏极之间。III族氮化物半导体区域包括：形成在源极和栅极之间的第一部分。III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一包括：形成在III族氮化物半导体区域内具有竖直侧壁的至少一个沟槽(380)；平台区域(385)，各自从至少一个沟槽的每个竖直侧壁延伸离开。分别与第一部分和第二部分中至少之一接触的源极和漏极中至少之一与沿着III族氮化物半导体区域的第一部分和第二部分中至少之一的至少一个沟槽以及沿着平台区域定位的二维载气接触。
氮化晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201310585132.0有效
发明人：黄济兴;蔡明玮;薛清全;庄博钦 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管。第一氮化镓场效晶体管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管为耗尽型场效晶体管。第二氮化镓场效晶体管置于基板上。第二氮化镓场效晶体管为增强型场效晶体管。氮化镓二极管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管皆置于基板的同一侧并互相电性连接。
半导体装置

[发明专利]氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法-CN202310619783.0在审
发明人：孙海定;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法，氮化镓基晶体管的钝化方法包括：使用旋涂工艺将稀释的非晶氟树脂旋涂在氮化镓基晶体管的表面，以在氮化镓基晶体管的表面形成钝化层；以及通过在依次升高的阶梯温度下在依次递增的时间内，对形成钝化层的氮化镓基晶体管进行烘烤，使非晶氟树脂固定于氮化镓基晶体管的表面。
氮化晶体管以及钝化方法

[发明专利]一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法-CN200610053869.8无效
发明人：程知群;孙玲玲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2006-10-17 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高氮化镓功率晶体管散热性能的方法。目前氮化镓功率晶体管不能同时保证低成本和高散热性。本发明该方法步骤为：在蓝宝石基底上外延生长氮化镓功率晶体管材料，研制成蓝宝石衬底氮化镓功率晶体管；把研制好的氮化镓功率晶体管正面粘贴在另一个基底载体上，采用溶剂可以溶解的粘结剂；用激光从氮化镓晶体管的背面蓝宝石上照射，使得蓝宝石与氮化镓功率晶体管脱离；分离后的氮化镓功率晶体管粘结在导热性好的材料上；将氮化镓功率晶体管置于溶剂里，粘结剂将被溶剂溶解，基底载体与氮化镓功率晶体管脱离。本发明在保证良好的外延氮化镓材料和低成本的前提下提高了器件的散热效果。
一种改善氮化功率晶体管散热性能方法

[发明专利]使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路-CN201480082938.0有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;R·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：CMOS电路可以使用p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管来形成，其中，p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管两者都形成在单个分层结构上，该单个分层结构包括沉积在第一氮化镓层上的极化层和沉积在极化层上的第二氮化镓层在同一层结构上具有n沟道氮化镓晶体管和p沟道氮化镓晶体管两者可以实现电路包括从低电源电压跨越到高电源电压的逻辑、数字、和模拟电路的“全氮化镓晶体管”的实施方式。
使用沟道氮化晶体管 cmos 电路

[发明专利]氮化镓集成功率芯片及其制造方法-CN202310232589.7在审
发明人：黎杰;庞振江;洪海敏;温雷;卜小松;葛俊雄 -专利权人：深圳市国电科技通信有限公司;深圳智芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓集成功率芯片及其制造方法。氮化镓集成功率芯片包括基板、设置在基板上的共源共栅级联结构、金属片和塑封料。共源共栅级联结构包括氮化镓晶体管和硅晶体管，氮化镓晶体管的源极与硅晶体管的漏极连接，氮化镓晶体管的栅极与硅晶体管的源极连接。金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接。本发明的技术方案中，金属片与氮化镓晶体管和/或硅晶体管连接，通过金属片暴露于塑封料外可以进行散热，减少传热路径，使得氮化镓集成功率芯片的散热能力极大地提高，增强氮化镓集成功率芯片的可靠性。
氮化集成功率芯片及其制造方法

[实用新型]一种防爆的氮化镓微波功率晶体管-CN202121458864.X有效
发明人：仇亮 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防爆的氮化镓微波功率晶体管，涉及到微波晶体管领域，包括晶体管安装板，所述晶体管安装板上设有氮化镓微波功率晶体管本体，氮化镓微波功率晶体管本体上设有晶体引脚，所述晶体管安装板的顶侧固定安装有两个防爆贴片，两个防爆贴片均贴在氮化镓微波功率晶体管本体上。本实用新型中，氮化镓微波功率晶体管本体在晶体管安装板上，晶体管安装板上固定安装有两个防爆贴片，防爆贴片能够压在氮化镓微波功率晶体管本体上，在遇到爆裂的过程中，防爆贴片能够对其进行起到保护作用，避免爆裂较强引发安全事故，也不会对其他设备造成损坏，防爆贴片较薄，也有利于氮化镓微波功率晶体管本体进行撒热。
一种防爆氮化微波功率晶体管

[发明专利]一种氮化镓功率晶体管驱动电路-CN202111308670.6在审
发明人：杜旭;夏令 -专利权人：顶诺微电子（北京）有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请涉及一种氮化镓功率晶体管驱动电路，包括驱动模块，配置为对所述氮化镓功率晶体管的控制极充电或者放电，并且控制所述氮化镓功率晶体管(Q1)栅极电压水平；其中所述驱动模块包括第一驱动晶体管(Q2)，其控制极配置为接收固定的参考电压，其第一极配置为接收周期性的驱动信号，其第二极耦合到所述氮化镓功率晶体管的控制极，其中所述第一驱动晶体管为氮化镓晶体管；其中所述驱动信号的高电平值大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压；并且所述第一驱动晶体管的控制极最大耐受电压与其阈值电压之差大于等于所述氮化镓功率晶体管的目标工作电压
一种氮化功率晶体管驱动电路

[发明专利]氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法-CN202110275812.7在审
发明人：赖昱安;陈建宏;黄若榕;杨钧沂;陈昆龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种氮化镓场效应晶体管的可靠性内置自测装置、电路和方法。所述装置包括：高端氮化镓场效应晶体管；低端氮化镓场效应晶体管；高端驱动器，耦合到所述高端氮化镓场效应晶体管的栅极；低端驱动器，耦合到所述低端氮化镓场效应晶体管的栅极；以及驱动器电路，耦合到所述高端驱动器和所述低端驱动器并被配置成产生能够驱动所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管的驱动信号，其中在所述高端驱动器和所述低端驱动器及所述驱动器电路内，所述高端氮化镓场效应晶体管和所述低端氮化镓场效应晶体管及所述晶体管在前道(FEOL)工艺期间在同一半导体器件层上被图案化。
氮化场效应晶体管可靠性内置自测装置电路方法

[发明专利]提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法-CN200910303939.4无效
发明人：赵妙;王鑫华;刘新宇;李诚瞻;魏珂;郑英奎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，属于半导体材料器件制作技术领域。所述方法包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。通过本发明，提高了氮化镓基场效应晶体管的肖特基势垒高度，降低了氮化镓基场效应晶体管肖特基的反向漏电，提高了氮化镓基场效应晶体管的功率特性和击穿特性，解决了氮化镓基场效应晶体管在工作中参数漂移的问题，提高了氮化镓基场效应晶体管的稳定性和可靠性
提高氮化场效应晶体管肖特基势垒方法

[发明专利]一种驱动电路、数字逻辑电路及其相关装置-CN201980093550.3在审
发明人：侯惠淇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种驱动电路、数字逻辑电路及相关装置，可用于设计氮化镓工艺的驱动电路以及数字逻辑电路，实现与其他氮化镓工艺器件的集成，并可降低驱动电路以及数字逻辑电路的静态电流。该驱动电路包括：耗尽型氮化镓晶体管(101)、第一增强型氮化镓晶体管(102)和电阻(103)，电阻(103)连接于耗尽型氮化镓晶体管(101)的栅极与源极之间，耗尽型氮化镓晶体管(101)的栅极与第一增强型氮化镓晶体管
一种驱动电路数字逻辑电路及其相关装置

[实用新型]一种氮化镓器件的驱动电路-CN202122614350.5有效
发明人：陈毅东;雷子健;张蒙蒙;季传坤 -专利权人：东莞市兆威机电有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化镓器件的驱动电路，驱动电路用于驱动相互并联的第一氮化镓晶体管、第二氮化镓晶体管、第三氮化镓晶体管和第四氮化镓晶体管，驱动电路包括第一保护支路、第二保护支路、第三保护支路和第四保护支路，其中，第一保护支路、第二保护支路、第三保护支路和第四保护支路均包括反向并联的电阻和二极管；各个保护支路的一端外接电压控制器件，各个保护支路的另一端与一个氮化镓晶体管连接，每个氮化镓晶体管的源极均接地。本实用新型通过并联的多个氮化镓晶体管，可实现外接变换器输出功率的最大化，同时，通过调节各个保护支路可以调节与各个保护支路连接的氮化镓晶体管的通断速度，减少PCB布线对氮化镓的影响。
一种氮化器件驱动电路

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