[发明专利]雪崩光电二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201810421573.X | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108550652B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 周幸叶;冯志红;吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;李佳;房玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种雪崩光电二极管的制备方法，该方法包括：在晶片上制备台面；在晶片上表面和所述台面的侧面生长牺牲层；去除所述晶片欧姆接触电极区的牺牲层；在晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；去除制备欧姆接触电极后的晶片非台面区和台面的侧面的牺牲层；在去除非台面区和台面的侧面的牺牲层后的晶片上表面和台面的侧面生长钝化层；去除所述晶片台面的上表面的钝化层和所述晶片非台面区与所述欧姆接触电极区对应区域的钝化层；去除所述晶片台面的上表面的牺牲层。本发明能够保护器件的光敏面不受损伤，从而减小器件的漏电流，并提高器件的量子效率和响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 牺牲层 晶片 制备 去除 钝化层 台面区 侧面 雪崩光电二极管 晶片上表面 晶片台 上表面 半导体技术领域 保护器件 量子效率 光敏面 漏电流 响应度 生长 台面 减小 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩光电二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n在晶片上制备台面；/n在所述晶片的上表面、所述台面的上表面和所述台面的侧面生长牺牲层；/n去除所述晶片的欧姆接触电极区的牺牲层；/n在去除欧姆接触电极区牺牲层后的晶片的欧姆接触电极区制备欧姆接触电极；/n去除制备欧姆接触电极后的晶片的非台面区和台面侧面的牺牲层，所述非台面区为所述晶片中除所述台面以外的剩余区域；/n在去除非台面区和台面侧面的牺牲层后的晶片的上表面和台面的侧面生长钝化层；/n去除生长钝化层后的晶片的台面的上表面的钝化层，以及非台面区与所述欧姆接触电极区对应的钝化层；/n去除晶片的台面的上表面的牺牲层。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
