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[发明专利]量子效率测量装置以及量子效率测量方法-CN200980000111.X有效
发明人：大久保和明 -专利权人：大塚电子株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：将作为量子效率的测量对象部的试样(OBJ1)以及具有已知的反射率特性的标准体(REF1)分别安装到设置于平面镜(5)的试样窗(2)上。根据在分别安装了试样(OBJ1)以及标准体(REF1)的情况下由光谱仪测量到的各个光谱来测量试样(OBJ1)的量子效率。
量子效率测量装置以及测量方法

[发明专利]量子效率测试系统-CN201811600833.6在审
发明人：李俊霖;杨永强;赵宇;金辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子效率测试系统，包括：第一光源、第二光源、成像装置、反射元件以及驱动装置；所述第一光源、第二光源分别与反射元件间隔设置；所述驱动装置与所述反射元件连接用于带动所述反射元件运动以使所述第一光源或第二光源的光投射至所述成像装置
量子效率测试系统

[发明专利]量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器-CN201110069976.0有效
发明人：大泽祥宏;大久保和明 -专利权人：大*电子株式会社
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01J3/443 文献下载
摘要：本发明提供一种量子效率测量方法、量子效率测量装置和积分器。该量子效率测量方法包括以下步骤：步骤(S10)，将试样配置在具有积分空间的积分器内的规定位置；步骤(S12)，向试样照射激发光，并且经由第2窗将积分空间内的光谱作为第1光谱进行测量；步骤(S20)，将激发光入射部分构成为使透过试样后的激发光不向积分空间内反射2窗将积分空间内的光谱作为第2光谱进行测量；步骤(S40、S42、S46)，基于第1光谱中的与激发光的波长范围相对应的成分和第2光谱中的与试样受到激发光的照射而发出的光的波长范围相对应的成分算出试样的量子效率
量子效率测量方法测量装置积分器

[发明专利]一种量子计算任务调度方法、装置及量子计算机操作系统-CN202110172741.8在审
发明人：王晶 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本申请属于量子计算领域，公开了一种量子计算任务调度方法、装置及量子计算机操作系统，方法包括：获取量子芯片的当前拓扑结构；获取多个量子计算任务，其中：各所述量子计算任务需要的量子比特数之和小于等于所述量当前拓扑结构包含的量子比特数；将各所述量子计算任务对应的量子线路处理为一个第一量子线路，其中，所述第一量线路为可在所述量子芯片上执行的可执行量子线路；发送所述第一量子线路至量子计算机硬件实现各所述量子计算任务的计算，并根据计算结果获得各所述量子计算任务的调度结果本申请能够提高量子芯片计算资源的利用效率，提高任务调度效率，提高量子计算效率。
一种量子计算任务调度方法装置计算机操作系统

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管-CN201710820457.0有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;臧雅姝;徐宸科;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;陈松岩;康俊勇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，多量子阱的阱层两侧具有局域量子态量子限制层，该局域量子态量子限制层至少由4组子局域量子态层和子垒层构成，分别包括第一、二、三、四子局域量子态层和第一、二、三、四子垒层。每一周期量子阱的子阱层两侧的局域量子态量子限制层形成局域量子态，从而提升量子阱的电子和空穴的注入效率、限制效应、量子尺寸效应和复合效率，提升发光效率和量子效率。
量子态多量子阱量子限制垒层氮化物半导体发光二极管量子阱子局阱层量子尺寸效应空穴发光效率复合效率量子效率周期结构注入效率子阱

[发明专利]一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置-CN202111444952.9在审
发明人：高阳 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。其中，量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色
一种量子发光及其制备方法显示装置

[发明专利]一种量子点膜及制备方法、背光模组、显示设备-CN201810043111.9有效
发明人：刘振国;宋志成 -专利权人：海信视像科技股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点膜及制备方法、背光模组及显示设备。量子点膜中，宽带隙半导体壳体能填补量子点核表面的缺陷，提高量子点的发光效率；还能减少裸量子点表面态对荧光的影响，改善量子点的荧光特性。刚性无机气凝胶与宽带隙半导体壳体之间的结合强度远高于有机分子配体与量子点之间的结合强度，使量子点膜具有较高的稳定性。刚性无机气凝胶能在核壳式量子点表面形成刚性外延的骨架，增加量子点的分散性，使其在环氧树脂聚合物中不发生团聚，提高量子点的发光效率。刚性外延的骨架还能够提高量子点的表面钝化效果、降低缺陷密度、减小非辐射表复合的几率以及增强量子点中激子的迁移率，以提高量子点的发光效率，最终提高量子点膜的发光效率。
一种量子制备方法背光模组显示设备

[发明专利]一种可调控能带的LED量子阱结构-CN201310244179.0有效
发明人：张连;曾建平;路红喜;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
一种调控能带 led 量子结构

[发明专利]评测发光二极管内量子效率的方法-CN201811156093.1有效
发明人：汪莱;糜陈子仪;金杰;郝智彪;罗毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管内量子效率测量方法，包括测量发光二极管在小电流区域的伏安特性曲线；利用发光二极管在该小电流区域的伏安特性曲线及该发光二极管发光特性，针对发光二极管的材料类型确定相应的模型及其载流子输运规律，对伏安特性曲线进行曲线拟合，得到辐射复合与非辐射复合的参数，进而得到该小电流区域上发光二极管的内量子效率；测量该发光二极管全电流区间的外量子效率，根据小电流区域的外量子效率和内量子效率，确定外量子效率和内量子效率的比值；根据全电流区间的外量子效率，除以光提取效率，得到全电流区间的内量子效率。通过本发明的小电流区域测量的光提取效率，可扩展在全电流区间，容易求出全电流区间的内量子效率。
评测发光二极管量子效率方法

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202310703498.7在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;张江勇;刘紫涵;陈婉君 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、电子尖峰层、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，其特征在于，浅量子阱的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度；电子尖峰层的Si掺杂浓度大于量子阱的Si掺杂浓度；电子尖峰层的Si掺杂浓度呈倒V型曲线或倒U型曲线分布。采用本发明实施例，通过对浅量子阱与量子阱之间的禁带宽度、电子尖峰层的Si掺杂浓度及其分布趋势的设计，使浅量子阱、电子尖峰层和量子阱形成量子自旋轨道光耦合结构，从而降低量子阱的极化效应和Stark效应，提升空穴注入效率、增强量子阱中电子空穴辐合效率、提升量子阱的光提取效率和半导体发光元件的发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种量子点组合物及其制备方法-CN201711363561.8在审
发明人：杨一行;聂志文 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点组合物及其制备方法，所述量子点组合物包括量子点和介质，所述量子点包括量子点核，包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、本发明提供了一种具有金属层的半导体核壳量子点作为量子点组合物中的量子点发光材料；所述金属层能够增强量子点的发光效率；所述金属层还能够提升量子点的发光效率和尺寸均匀性；所述量子点由于具有更高效的量子点材料发光效率，能够实现量子点组合物良好的性能，因而更能满足半导体应用对量子点材料的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。
量子点金属层量子点组合物发光效率量子点发光材料量子点材料包覆制备综合性能要求半导体器件尺寸均匀性半导体核半导体壳金属元素壳量子点半导体应用

[发明专利]一种量子计算任务调度方法、装置及量子计算机操作系统-CN202110169289.X在审
发明人：窦猛汉 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本申请属于量子计算领域，公开了一种量子计算任务调度方法、装置及量子计算机操作系统，方法包括：获取量子芯片当前拓扑结构；针对截止当前时刻接收的以量子线路表示的量子计算任务，根据所述量子线路包含的量子比特数获得匹配所述量子芯片当前拓扑结构的量子线路作为待处理量子线路；编译各所述待处理量子线路以得到可在所述量子芯片上执行的可执行量子线路；根据所述可执行量子线路的时序确定所述可执行量子线路的执行时间；根据各所述可执行量子线路的优先级确定待调度量子计算任务。本申请整体大大提高了量子芯片的计算资源的利用率，提高量子计算任务被调度的效率，共同提高了量子计算的计算效率。
一种量子计算任务调度方法装置计算机操作系统

[发明专利]一种可反射蓝光的高效率量子点薄膜及其制备方法和应用-CN201810265373.X在审
发明人：张彦;孙书政;徐良霞;李培源;刘伟;陈冲;徐雍捷;唐海江;李刚 -专利权人：宁波江北激智新材料有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明涉及光学薄膜，具体涉及一种量子点薄膜。为了解决目前量子点显示中的高能蓝光对眼睛的伤害大且量子点薄膜发光效率一般的问题，本发明提供一种可反射蓝光的高效率量子点薄膜及其制备方法和应用。本发明将量子点薄膜和防蓝光膜(反射型)合二为一，该高效率量子点薄膜包括量子点胶层以及涂布于量子点胶层上下表面的水氧阻隔层，以及贴合于上水氧阻隔层的功能防蓝光层或膜。所述功能防蓝光层或膜能够反射蓝光，将反射回去的蓝光来二次激发量子点，提高蓝光的利用率，量子点薄膜的发光效率得到质的提升。该高效率量子点薄膜除了能够节省量子点的用量，起到很好的节省成本的作用之外，还能过滤掉部分蓝光，起到减少视觉疲劳和保护眼睛的作用。
量子点蓝光薄膜高效率反射制备方法和应用发光效率蓝光层胶层水氧阻隔层光学薄膜上下表面视觉疲劳氧阻隔层反射型贴合过滤激发伤害

[实用新型]量子探测效率的测量装置-CN201820071216.0有效
发明人：井元庆;王风雷;周余良;夏远祥;伍龙霖 -专利权人：深圳市安健科技股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子探测效率的测量装置，该测量装置包括：电机支座、电机、丝杆、丝杆螺母、丝杆支座、钨板托盘、钨板、承接板、上碳纤维板和盒体，电机支座和丝杆支座固定在承接板上，电机固定在电机支座上，丝杆的一端与电机连接使钨板托盘安装在丝杆上，且具有安装孔的弯折部与丝杆螺母固定在一起，将钨板固定在钨板托盘上，承接板固定在盒体内，上碳纤维板固定在盒体外部的上表面，可使线扩散函数数据、噪声功率谱数据和线性数据的获取更为简便，提高测量效率
丝杆钨板托盘丝杆螺母测量装置电机支座丝杆支座安装孔承接板碳纤维板探测效率弯折部量子本实用新型线扩散函数噪声功率谱测量效率电机固定电机连接盒体外部线性数据上表面盒体电机穿过体内

[发明专利]一种量子点背光模组-CN201711363010.1在审
发明人：杨一行;聂志文 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点背光模组，包括量子点膜片，所述量子点膜片的材料包括量子点和分散所述量子点的基质，其中，所述量子点包括量子点核、包覆所述量子点核的金属层，包覆所述金属层的半导体壳层，其中，所述金属层中的金属元素选自所述金属层能够有效地钝化量子点核表面从而减少表面缺陷，进而增强量子点的发光效率；同时，所述金属层还能够有效地减小核壳之间的晶格失配，从而进一步提升量子点的发光效率和尺寸均匀性。将所述量子点用于量子点背光模组中，能够实现量子点背光模组优良的发光效率、发光色域和功耗，从而满足半导体器件应用对量子点的综合性能要求。
量子点金属层背光模组发光效率有效地包覆膜片半导体器件应用综合性能要求尺寸均匀性半导体壳表面缺陷发光色域金属元素晶格失配核表面钝化功耗核壳基质减小

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