专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]硅-玻璃混合插入电路-CN201510086780.0有效
  • M·沈 - 阿尔特拉公司
  • 2015-02-25 - 2018-09-25 - H01L23/48
  • 本发明涉及硅‑玻璃混合插入电路。提供了一种插入。该插入包括硅基板层、玻璃基板层和至少一个贯通插入通孔。在玻璃基板层的顶部上形成硅基板层。插入也可以被称为混合插入,因为它包括两种不同类型的基板层,它们形成了一个插入。贯通插入通孔被形成为穿过硅基板层和玻璃基板层。插入可以用于形成集成电路封装。集成电路封装包括安装在插入上的多个集成电路。
  • 玻璃混合插入电路
  • [实用新型]间绝缘纸成型插入装置-CN201420479862.2有效
  • 章日平;杜琪 - 浙江巨力电机成套设备有限公司
  • 2014-08-25 - 2014-12-17 - H02K15/10
  • 本实用新型提供一种间绝缘纸成型插入装置,包括面板、支架、绝缘纸成型装置和绝缘纸插入装置,面板上设有进料开口,绝缘纸成型装置包括伺服电机、刚性传动轴、弹性传动轴、轴承座、成型轮、从动轮、成型气缸和成型模,绝缘纸插入装置包括双作用气缸、推料块、推料连杆、推料盘、推料夹头和推杆,支架的下端固定安装在面板上,支架上端设有托板,伺服电机和双作用气缸固定在托板上。本实用新型利用纯机械的结构和原理,通过相对简单的结构在相对紧凑和复杂的环境下实现对柔性件的精确成型和插入的连贯过程,节省了制造成本,节约了生产工序,以相对低廉的成本实现高效率的回报。
  • 绝缘纸成型插入装置
  • [发明专利]本体帘布插入件组装方法-CN201080045896.5无效
  • 金杰;M·凯瑞诺 - 普利司通美国轮胎运营有限责任公司
  • 2010-10-12 - 2012-07-11 - B29D30/32
  • 一种具有胎面的轮胎,该轮胎包括第一和第二加强帘布,该第一和第二加强帘布布置在至少一个轮胎本体帘布与胎面和轮胎的侧壁中的至少一个侧壁之间。也描述了一种用来制造轮胎本体帘布的方法。该方法包括将第一橡胶涂层、至少一个插入件、本体织物和第二橡胶涂层递送到由至少两个压延辊形成的辊隙。该方法还包括通过辊隙并且随后在至少两个压延辊之间挤压第一橡胶涂层、本体织物、至少一个插入件和第二橡胶涂层,以形成轮胎本体帘布。在另一实施例中,该方法包括使第一插入件与轮胎本体帘布的中心间隔第一距离并且使第二插入件与轮胎本体帘布的中心间隔第二距离。
  • 本体帘布插入组装方法
  • [发明专利]虚拟软件子的动态插入和去除-CN200910133020.5有效
  • 兰德尔·R·库克 - 赛门铁克公司
  • 2009-03-31 - 2009-10-07 - G06F9/445
  • 本发明涉及虚拟软件子的动态插入和去除。在一个示例中,在计算装置中虚拟地安装和激活与软件应用相关联的虚拟。在所述虚拟中动态地插入与所述软件应用的部件相关联的虚拟子。所述虚拟在所述虚拟子的动态插入期间保持活动的。在特定的实施例中,从所述虚拟执行过程,确定是否在所述虚拟子的所述插入之前或者之后启动了所述过程,并且根据所述确定来选择性地使得所述被插入的虚拟子对于所述过程可见或者不可见。
  • 虚拟软件动态插入去除
  • [发明专利]具有纳米结构插入的GaN基LED-CN201010183393.6无效
  • 朱继红;张书明;朱建军 - 中国科学院半导体研究所
  • 2010-05-19 - 2010-10-27 - H01L33/20
  • 一种具有纳米结构插入的GaN基LED,其中包括:一衬底;一纳米结构模板,该纳米结构模板外延生长在衬底上,该纳米结构模板的表面为凹凸形状;一插入,该插入外延生长在纳米结构模板的表面上;一N型欧姆接触,该欧姆接触外延生长在插入上,该欧姆接触上面的一侧形成有一台面;一有源,该有源外延生长在N型欧姆接触的台面的另一侧上;一P型,P型外延生长在有源上;一透明电极,该透明电极制作在P型上;一P压焊电极,该压焊电极通过光刻制作在透明电极上;一N欧姆接触电极,该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触的台面上。
  • 具有纳米结构插入ganled
  • [发明专利]一种光电器件的插入结构-CN201510014462.3无效
  • 李淼 - 西安神光皓瑞光电科技有限公司
  • 2015-01-12 - 2015-05-13 - H01L31/0735
  • 基于对现有InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡结构之间的插入(LB)的研究,本发明提供了一种新的光电器件的插入结构设计方案。本发明中的插入采用AlInGaN或者AlInGaN/InGaN超晶格结构生长,其中In组分<10%,Al组分<15%;在插入中存在In和Al组分的渐变分布,In与Al组分的渐变规律相互独立。本发明既解决了Mg向量子阱的扩散而导致效率降低的问题,同时解决了InGaN/GaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡结构之间由于晶格失配导致的应力和极化电场甚至负电荷区存在的问题;且尽可能阻挡电子向P扩散并保证空穴能够高效注入量子阱
  • 一种光电器件插入结构

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