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[发明专利]改善套刻精度面内均匀性的方法-CN201210567590.7有效
发明人： 孟鸿林;郭晓波;刘尧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善套刻精度面内均匀性的方法，该方法在离子注入工艺之后，用激光退火工艺推阱，然后在氧化层生长后，多晶硅生长前，再进行有选择的激光退火工艺。本发明利用激光退火抑制硅单晶热氧化过程中引入的氧化层错，同时通过实际的量测数据对硅片翘曲度进行补偿，从而提高了套刻精度的面内均匀性。
改善精度均匀方法

[发明专利]应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法-CN201210473216.0有效
发明人：郭晓波;孟鸿林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，包括以下步骤：(1)在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；(2)第一栅氧化层的生长；(3)光刻胶的涂布和烘烤；(4)用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形；(5)用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形；(6)第二栅氧化层的生长；(7)多晶硅的填充；(8)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。本发明解决了传统方法中由于在沟槽顶角处电场集中而导致的击穿电压降低的问题。
应用于沟槽 mos 器件制备方法

[发明专利]两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法-CN201210344778.5有效
发明人：郭晓波;李伟峰;孟鸿林 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种两次刻蚀成型图形的关键尺寸的控制方法，包括步骤如下：(1)在硅片上生长薄膜层；(2)第一图形层的光刻，CD（关键尺寸）和overlay（套刻精度）的测量；(3)第一图形层的刻蚀；(4)第二图形层的光刻，CD和overlay的测量；(5)第二图形层的刻蚀，形成对称结构的图形；(6)对称结构图形CD的测量；(7)将上述对称图形的CD差异折算成第二图形层的overlay；(8)将上述折算后的第二图形层的overlay反馈到光刻机，以修正下一批次硅片的第二图形层的overlay，实现对上述对称图形刻蚀后CD的控制。本发明同时解决了因为光刻overlay不佳和刻蚀速率不同导致的刻蚀后对称图形CD不一致的问题。
两次刻蚀成型图形关键尺寸控制方法

[发明专利]功率MOSFET芯片保护结构制造方法-CN201210296876.6有效
发明人： 孟鸿林;周正良;郭晓波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：发明公开了一种功率MOSFET芯片保护结构制造方法，在硅片上刻蚀出一个凹槽，在硅片上常温淀积第二层二氧化硅，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀，在所述凹槽底部进行硅线条结构的光刻和刻蚀时，其光刻图形呈网格状，然后经二氧化硅去除、场氧化、二氧化硅填充等工艺过程，形成功率MOSFET芯片保护结构。本发明的功率MOSFET 芯片保护结构制造方法，能保证芯片保护结构的性能，而且不易导致硅片翘曲变形，降低了工艺难度，增加了工艺容忍度，有利于生产控制。
功率 mosfet 芯片保护结构制造方法

[发明专利]薄硅片的制备方法-CN201210145549.0有效
发明人： 孟鸿林;郭晓波;刘尧 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅片的制备方法，包括步骤：1）在传统厚度的硅片上生长氮化硅或氮氧化硅；2）在硅片背面涂光刻胶，硅片周边曝光、显影，使光刻胶只保留在硅片背面的周边；3）在硅片背面无光刻胶的地方刻蚀沟槽；4）在沟槽内填充导电导热材料；5）在导电导热材料上再封一层绝缘材料，后续按照传统工艺流程完成薄硅片的制备。本发明通过在硅片背面挖沟槽填充金属材料或者绝缘材料，有效降低了硅片减薄后带来的大翘曲度问题，使硅片的厚度得以降低到20～500mm；另外，本发明以现有工艺为基础，可以充分利用现有生产线，从而减少了设备开支，降低了生产成本。
硅片制备方法

[发明专利]MOS器件及其制造方法-CN201110412701.2有效
发明人：邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;徐向明;肖胜安;陈帆;刘鹏;陈雄斌;潘嘉;刘冬华;孙娟;袁媛;吴智勇;黄志刚;王雷;郭晓波;孟鸿林;苏波;季伟;程晓华;钱志刚;陈福成;刘继全;孙勤;金锋;刘梅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。本发明能减少源漏区和衬底间的寄生电容，能更适合的应用在RF领域。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制造方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题；能减少金属层数，能降低整个BICMOS工艺的成本。
mos 器件及其制造方法

[发明专利]MOS器件及制造方法-CN201110412694.6有效
发明人：邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;徐向明;肖胜安;陈帆;刘鹏;陈雄斌;潘嘉;刘冬华;孙娟;袁媛;吴智勇;黄志刚;王雷;郭晓波;孟鸿林;苏波;季伟;程晓华;钱志刚;陈福成;刘继全;孙勤;金锋;刘梅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层上形成金属接触引出源漏极。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。本发明能减少源漏区和衬底间的寄生电容，能更适合的应用在RF领域。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制造方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题；能减少金属层数，能降低整个BICMOS工艺的成本。
mos 器件制造方法

[发明专利]MOS器件及其制备方法-CN201110412663.0有效
发明人：邱慈云;朱东园;范永洁;钱文生;徐向明;肖胜安;陈帆;刘鹏;陈雄斌;潘嘉;刘冬华;孙娟;袁媛;吴智勇;黄志刚;王雷;郭晓波;孟鸿林;苏波;季伟;程晓华;钱志刚;陈福成;刘继全;孙勤;金锋;刘梅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件，源漏区包括位于有源区中的源漏掺杂区和位于有源区上方的源漏多晶硅层，通过在源漏多晶硅层外侧的锗硅多晶硅层上形成金属接触来引出源漏极的。位于有源区中的源漏掺杂区的面积不必要包容金属接触的面积，故能使有源区的面积能做到最小，从而能提高器件的性能和集成度。栅极为蜿蜒型结构能最大程度的降低器件的寄生电容，能更适合的应用在RF领域、且能作为开关器件的最佳选择。本发明的源漏掺杂区的结深较浅，能够降低短沟道效应和缓解较严重的LOD效应。本发明还公开了一种MOS器件的制备方法，能充分解决工艺中的刻蚀停止方面的难题和优化栅极和源漏间的隔离问题。
mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体双层保护层的制作工艺方法-CN201110359989.1有效
发明人：郭晓波;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体保护层的制作工艺方法，包括步骤如下：1)提供一已制作好顶层金属连线的硅片；2)在硅片上生长介质保护层；3)非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；4)光刻胶的旋涂、烘烤；5)使用具有介质保护层开口图形的掩膜版进行曝光；6)显影去除曝光区域的光刻胶和非感光性聚酰亚胺，形成非感光性聚酰亚胺开口；7)刻蚀去除曝光区域的介质保护层，形成介质保护层开口，使顶层金属连线露出；8)进一步显影，使非感光性聚酰亚胺开口尺寸变大，大于介质保护层开口的尺寸；9)用光刻胶剥离液去除光刻胶；10)非感光性聚酰亚胺的固化。本发明能简化传统的使用两次光刻方法制作双层保护层的工艺流程，降低成本。
一种半导体双层保护层制作工艺方法

[发明专利]一种应用于高压器件的聚酰亚胺钝化层制造工艺方法-CN201110323906.3无效
发明人：郭晓波;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于高压器件的聚酰亚胺钝化层制造工艺方法，包括如下步骤：(1)常规顶层金属布线和介质钝化膜图形的形成；(2)非感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(3)感光性聚酰亚胺的旋涂烘烤；(4)曝光显影去除曝光区域的感光性聚酰亚胺，曝光区域的非感光性聚酰亚胺同时也被显影去除(5)感光性聚酰亚胺和非感光性聚酰亚胺图形同时固化。采用本发明方法可以获得厚度在15微米以上的聚酰亚胺钝化层，可应用于高压半导体器件，同时简化传统的两步聚酰亚胺旋涂钝化层工艺，以降低生产成本。
一种应用于高压器件聚酰亚胺钝化制造工艺方法

[发明专利]RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构及制作方法-CN201210297005.6有效
发明人：吴智勇;肖胜安;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-08-20 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种RFLDMOS厚场氧隔离介质层的结构，其场氧所需单晶硅以短棒状长方形单晶硅硅柱的形式周期性等间距排列或错位排列，硅柱之间以深沟槽分隔。本发明还公开了上述结构的RFLDMOS厚场氧隔离介质层的制作方法。本发明通过优化场氧所需单晶硅的排列方式，缩短单晶硅在同一方向的长度，有效地改善了热氧化后硅片受到的应力，同时还缩小了场氧内的孔洞，增大了孔洞在后续工艺中不会暴露的工艺窗口。
rfldmos 厚场氧隔离介质结构制作方法

[发明专利]锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法-CN201110242329.5有效
发明人： 孟鸿林;郭晓波;王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-23 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、第二光刻胶层位于下地图形的台阶结构外的其它区域；第一光刻胶层在涂布于平坦结构上；第一光刻胶层为正性光刻胶、第二光刻胶层为负性光刻胶。本发明能够改善光刻胶形貌，提高对关键尺寸的控制能力，有利于获得更小尺寸的光刻图形。
锗硅双极 cmos 多晶制备方法

[发明专利]一种硅片薄膜的生长方法-CN201110172057.6有效
发明人：郭晓波;王雷;孟鸿林 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片薄膜的生长方法，包括：测得一控制硅片中央位置与周边位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长；在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂；利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将部分光刻胶去除；通过刻蚀将硅片部分薄膜去除；去除剩余的光刻胶后，利用所述厚度比进行第二次薄膜生长，通过两次薄膜生长使薄膜达到要求的厚度。本发明所述硅片薄膜的生长方法，能使硅片上生长的薄膜其中央位置和周边位置的薄膜厚度一致，减少硅片周边芯片的失效率，提高产品的成品率。
一种硅片薄膜生长方法

[发明专利]提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法-CN201110059728.8有效
发明人：苏波;李敦然;叶果;孟鸿林;王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其为在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。本发明的方法，使光刻对准区域的锗硅薄膜直接生长在硅衬底上，以提高光刻对准精度。
提高工艺光刻对准精度方法

[发明专利]一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法-CN201110021322.0无效
发明人： 孟鸿林;王雷;郭晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅片周边光刻胶形貌的方法，包括如下步骤：步骤1，光刻胶的旋涂、烘烤；步骤2，通过掩模版挡板定义出单个曝光区域的大小，再通过光刻机的曝光系统对硅片周边进行曝光，此次曝光无需掩模版；步骤3，常规的带掩模版的图形区域曝光；步骤4，显影，形成光刻胶图形并去除硅片周边光刻胶。该方法能提高后续刻蚀工艺的均一性，减少硅尖刺(Silicon Grass)等缺陷的产生。
一种改善硅片周边光刻形貌方法