专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果15个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]改善硅片翘曲度的方法-CN201210287239.2有效
  • 成鑫华;许升高;朱东园 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-08-13 - 2016-11-02 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种改善硅片翘曲度的方法,包括如下步骤:步骤一、在硅衬底上形成金属前介质层,在该金属前介质层中形成贯穿金属前介质层的接触孔;步骤二、在所述金属前介质层上和接触孔中淀积一层金属连接层;步骤三、对所述金属连接层进行快速热退火处理;步骤四、进行等离子体刻蚀,去除位于所述金属连接层表面的自然形成的金属自然氧化层;步骤五、在所述金属连接层的上表面淀积氮化钛阻挡层。本发明能有效改善硅片的翘曲度,降低硅片生产流片的难度。
  • 改善硅片曲度方法
  • [发明专利]半导体器件及制造方法-CN201210004107.4有效
  • 肖胜安;钱文生;朱东园 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2012-01-06 - 2013-07-10 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种半导体器件,器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变区,缓变区位于硅片的背面一侧且缓变区的掺杂浓度大于均匀区的掺杂浓度。较高掺杂的缓变区能保证器件得到较低的导通电阻,同时,缓变区的掺杂浓度的增加速率得到了良好的控制,能消除现有场阻断型半导体器件中存在的场阻断层中的内建电场较大的缺陷,从而能使器件在关断时的电流下降速度得到有效控制,能提高器件的可靠性。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]超高压LDMOS器件结构及制备方法-CN201110441110.8有效
  • 宁开明;董科;马栋;朱东园 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-12-26 - 2013-06-26 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种超高压LDMOS器件结构,包括源端、漏端、高压漂移区和栅极沟道,源端有衬底阱,高压漂移区表面有反型层,该LDMOS中还设计有两个物理上相连的深阱,分别用于放置衬底阱和反型层,两深阱的间隙位于LOCOS鸟嘴附近。本发明还公开了上述结构的LDMOS的制备方法,包括设计深阱的光刻掩膜版、光刻、离子注入、去胶和热推阱等工艺步骤。本发明通过将源端的深阱与高压漂移区的深阱分离,并在离子注入后通过推阱使其连在一起,并使其间隙位于LOCOS鸟嘴下方,从而改善了LOCOS附近的电场分布,降低了其峰值电场,达到了N型和P型电荷平衡,在不增加工艺步骤和成本的基础上,实现了提高器件反向击穿电压的目的。
  • 超高压ldmos器件结构制备方法
  • [发明专利]BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件-CN200910202067.2有效
  • 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁;刘冬华;胡君 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-12-31 - 2011-07-06 - H01L29/732
  • 本发明公开了一种BiCMOS工艺中的寄生垂直型PNP器件,有源区由浅槽场氧隔离,包括:一集电区,由形成于有源区中的一P型杂质离子注入层构成,所述集电区底部连接一P型埋层,所述P型埋层是通过离子注入形成于所述集电区两侧的浅槽底部,通过在所述P型埋层顶部对应的浅槽场氧中制作深孔接触引出集电极;一基区,由形成于所述集电区上部并和所述集电区连接的一N型杂质离子注入层构成;一发射区,由形成于所述基区上部的一P型外延层构成,发射区直接通过一金属接触引出;所述基区上部的P型外延层部分反型为N型,用作所述基区的连接。本发明能用作BiCMOS高频电路中的输出器件,具有较小的面积和传导电阻。
  • bicmos工艺中的寄生垂直pnp器件
  • [发明专利]双极晶体管-CN200910202011.7有效
  • 邱慈云;朱东园;钱文生;范永洁 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-12-21 - 2011-06-22 - H01L29/73
  • 本发明公开了一种双极晶体管,有源区由浅槽场氧隔离,包括:一集电区,由形成于有源区中的第一导电类型的杂质离子注入层构成,底部连接由两个第一导电类型的赝埋层连接而形成的埋层,所述赝埋层通过在有源区两侧的浅槽底部注入第一导电类型杂质离子形成;通过在所述赝埋层上场氧中制作深槽接触引出集电极;一基区,由形成于所述集电区上的第二导电类型的薄膜构成;一发射区,由形成于所述基区上的第一导电类型的多晶硅构成。本发明能缩小器件面积、降低寄生效应、减少光刻层数以及降低工艺成本。
  • 双极晶体管

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top