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[发明专利]用于改善硅片表面平坦度的方法及系统-CN202211575366.2在审
发明人：郭宇轩 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本公开涉及用于改善硅片表面平坦度的方法及系统，该方法包括：检测硅片表面的平坦度以确定包括与平坦度相关联的最低点的低凹区域的位置；使该表面被覆盖特定材料层并去除特定材料层的与该位置对应的部分；在覆盖有特定材料层的该表面上沉积含硅层以在厚度上补偿低凹区域；以及去除特定材料层的其余部分。通过本公开的方法和系统，实现了对硅片表面平坦度的改善。
用于改善硅片表面平坦方法系统

[发明专利]一种半导体脉冲高压二极管的制造方法-CN202310995310.0有效
发明人：王诗雪;董春红;张裕 -专利权人：北京市天润中电高压电子有限公司;鞍山中科恒泰电子科技有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括:采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；按照制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；对所有制造过程信息进行合格分析；依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，保证制造的可靠性。
一种半导体脉冲高压二极管制造方法

[发明专利]具有经改善的形貌的钨大量抛光方法-CN201980007840.1有效
发明人： W.J.沃德;M.E.卡恩斯;崔骥;K.龙 -专利权人： CMC材料股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供化学机械抛光基板的方法，包括：提供基板，该基板包含在该基板表面上的钨层及在该基板表面上的硅氧化物层；提供化学机械抛光组合物，其包含：a)经表面改性的胶体氧化硅颗粒，该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该经表面改性的胶体氧化硅颗粒具有负电荷、约90nm至约350nm的粒径及在约2的pH下约‑20mV至约‑70mV的ζ电位，b)铁化合物，c)稳定剂及d)水性载剂；以及，使该基板与抛光垫及该化学机械抛光组合物接触，从而抛光该基板。
具有改善形貌大量抛光方法

[发明专利]沟槽肖特基二极管的制作方法及沟槽肖特基二极管-CN202311061665.9在审
发明人：贾旭初;吴勐;李大喆 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种沟槽肖特基二极管的制作方法及沟槽肖特基二极管，涉及半导体制造领域。在沟槽肖特基二极管的制作方法中，通过调整合金中的靶材比例来调整势垒层的功函数，得到势垒高度可调的沟槽肖特基二极管，当该势垒高度可调的沟槽肖特基二极管应用于太阳能光伏组件时，可以通过调整势垒高度来控制其正向压降参数的大小，从而实现降低能耗的目的。
沟槽肖特基二极管制作方法

[发明专利]一种用于蚀刻钼的方法-CN202180094163.9在审
发明人： A·帕科;中野哲平 -专利权人： IMEC非营利协会;株式会社斯库林集团
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于蚀刻钼特征物的方法，其包括以下步骤：a)使用热氧化工艺氧化该钼特征物的厚度部分以形成热钼氧化物层，以及b)使用湿化学物溶解该热钼氧化物层。
一种用于蚀刻方法

[发明专利]一种P-GaN高反向耐压终端边缘的制备方法-CN202310499130.3在审
发明人：黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种P‑GaN高反向耐压终端边缘的制备方法，所述制备方法包括：提供衬底，以及所述衬底上的外延层；其中，所述外延层包括漂移层；在所述漂移层的目标区域进行镁离子掺杂；根据镁离子掺杂结果，对所述外延层的表面进行刻蚀。本发明通过在终端边缘底下的飘移区参杂了镁离子让N‑‑GAN转成P‑‑GAN，与现有工艺相比，不仅能够更有效地利用光罩，且更有效地促使N‑‑GAN层/漂移层的电场分布更加均匀，电场集中效应明显改善。
一种 gan 反向耐压终端边缘制备方法

[发明专利]一种图案化金属氧化物层的制备方法-CN202310696108.8在审
发明人：赵俊;吴衍青;邰仁忠 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化金属氧化物层的制备方法，包括步骤：S1：在衬底上旋涂一定厚度的PMMA光刻胶；S2：利用电子束或极紫外光刻获得PMMA光刻胶图形；S3：采用原子层沉积进行金属氧化物层的精确厚度沉积，该可沉积厚度的选定条件为，当沉积厚度小于某阈值时，保证只形成PMMA光刻胶渗入金属氧化物所形成的渗透层，而不形成纯的金属氧化物层；S4：再利用电子束或极紫外光刻对全区域进行曝光，以去除所有的PMMA光刻胶以及渗透层，显影，清洗，即得。根据本发明，可制备纳米尺度的精细图案，同时实现了金属氧化物层膜厚的埃级精确控制，还有效减少了由于刻蚀工艺所造成的过刻蚀和界面损伤等影响，提供了一种新的器件加工思路。
一种图案金属氧化物制备方法

[发明专利]晶圆刻蚀方法-CN202310012370.6在审
发明人：李勇;杜闫;王永辉;余鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆刻蚀方法，包括：通过静电卡盘吸附晶圆；形成对准标记；将工艺腔室内的压力控制以及将参与刻蚀的气体的流量控制在一定范围内；进行等离子体点火，对晶圆进行释放电荷的预处理；加热静电卡盘，同时将热传导气体的流量增加至预设的流量阈值区间内；对晶圆进行释放电荷处理并将晶圆顶起。本申请通过稳定工艺腔室内的压力以及气体流量，并在等离子体点火之后，通过加热静电卡盘以及增加热传导气体的流量，将静电卡盘表面的温度升高至预设的温度阈值区间内，最后对晶圆进行释放电荷处理，可以去除静电卡盘表面堆积的大量聚合物，避免了因静电释放不充分而造成晶圆位置发生偏移、晶圆正面划伤、晶圆碎片、机台宕机等问题的情况。
刻蚀方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210277578.6在审
发明人：何乃龙;张森;赵景川 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有第二导电类型区域的晶圆；通过光刻使光刻胶露出注入窗口；通过离子注入向所述注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第二导电类型的离子，形成第二导电类型的埋层；对所述光刻胶进行回刻，所述光刻胶被去除一定厚度从而所述注入窗口扩大；通过离子注入向扩大后的注入窗口下方的所述第二导电类型区域中注入第一导电类型的离子，形成第一导电类型掺杂区；所述埋层位于所述第一导电类型掺杂区下方。本发明无需使用额外的光刻版即可形成齐纳二极管的第一导电类型掺杂区，且第一导电类型掺杂区的注入工艺参数可以独立设定，易于满足齐纳二极管的性能需求。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]蚀刻液-CN201810269618.6有效
发明人：吉崎了 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。
蚀刻

[发明专利]一种Mo基金属薄膜的刻蚀方法-CN202310880515.4有效
发明人：鞠小晶;方志勇;叶联;车东晨;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mo基金属薄膜的刻蚀方法，包括以下步骤：S1）在半导体衬底上依次形成停止层与Mo基金属层；S2）在Mo基金属层上方制备掩膜层；S3）然后通过干法刻蚀工艺基于上述掩膜层对Mo基金属层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明提供的刻蚀方法使用常规工艺参数获得高角度的Mo，对光刻胶层具有较高的选择性，因此对光刻胶厚度及形貌要求较低且容易去胶，从而降低了生产成本；另外由于Mo基金属对停止层也具有较高的选择比，因此也可获得较高的刻蚀均匀性。
一种 mo 基金薄膜刻蚀方法

[发明专利]单晶硅基板的分选方法以及单晶硅基板-CN201880075449.0有效
发明人：竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明是一种控制载流子的复合寿命的单晶硅基板的分选方法，其特征在于，具有：准备工序，由利用悬浮区熔法生长的单晶硅锭制作并准备作为单晶硅基板的候补的单晶硅基板；粒子束照射工序，向准备的单晶硅基板照射粒子束；测量工序，在粒子束照射工序后的单晶硅基板中，注入过剩载流子，并测量过剩载流子浓度相对于注入了过剩载流子后的经过时间的衰减曲线；判定工序，在测量的过剩载流子衰减曲线中，求出该衰减曲线中的去除衰减速度快的前半部分的尾部中剩余过剩载流子浓度衰减到注入时的过剩载流子浓度的规定比例的衰减时间，在该衰减时间的值为预先确定的判定值以下的情况下，判定单晶硅基板合格；以及分选工序，将由与制作出通过判定而判定为合格的单晶硅基板的单晶硅锭相同的单晶硅锭制作的单晶硅基板分选为控制载流子的复合寿命的单晶硅基板。由此，提供一种单晶硅基板的分选方法，该方法为了抑制微弱的尾电流，而在通过控制载流子的复合寿命来抑制尾电流的功率器件中分选低浓度的过剩载流子的衰减变快的单晶硅基板。
单晶硅分选方法以及

[发明专利]半导体刻蚀方法-CN202010206328.4有效
发明人：杨蕾 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀方法，其包括：提供待刻蚀材料层；于所述待刻蚀材料层上依次形成第一掩膜层及覆盖所述第一掩膜层的第二掩膜层；图形化所述第二掩膜层，以形成不同尺寸的开口图形，所述开口图形使得所述第一掩膜层暴露出具有不同尺寸的区域；基于所述开口图形对被暴露出的所述区域进行离子注入，各所述区域内的离子注入浓度与所述区域的宽度成正比，且离子注入后的所述区域的材料刻蚀去除速率与所述区域内的离子注入浓度成反比；基于所述开口图形刻蚀经离子注入后的所述区域至所述待刻蚀材料层内形成与所述开口图形尺寸一致的沟槽，各所述沟槽的深度近似或相同。
半导体刻蚀方法

[发明专利]一种基于电源管理系统的肖特基二极管制备方法-CN202210485334.7在审
发明人：张定英;杨素;刘高平 -专利权人：南通电发新能源科技有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电源管理系统的肖特基二极管制备方法，包括衬底、形成在衬底上表面的第一外延层、间隔排列在第一外延层内的至少三个沟槽，沟槽内填充有第二外延层，形成在两个沟槽之间的第一注入区、位于第一注入区上并与第一外延层上表面齐平的第二注入区、形成在第二注入区上表面的第一金属层、形成在第二外延层上表面与第一金属层连接的第二金属层、以及形成在衬底下表面的第三金属层。起到了抑制器件漏电流的作用，改善了器件的反向阻断能力，提高了器件的工作性能，也提升了电源管理系统的工作效率。
一种基于电源管理系统肖特基二极管制备方法

[发明专利]集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法-CN202310249036.2在审
发明人：陈毅帆;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火；及在p型井区及n型井区中制造多个场效晶体管(FET)。
集成退火系统及其制造集成电路晶体管方法