“H01L21/32”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果2718个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[其他]半导体密封磁力传动快速退火装置-CN88211587无效
发明人：史常忻;忻尚衡;李晓明 -专利权人：上海市交通大学
申请日： 1988-04-01 - 公布日： 1988-12-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：半导体密封磁力传动快速退火装置，属于半导体器件制造的工艺技术。采用高频加热石墨板来对半导体材料进行退火，特点是采用全密封系统，退火前可预抽真空，采用磁力传动来驱动加工样品。经本装置退火的半导体材料具有电激活率高，杂质再分布小等优点，本装置不仅适于浅结，短沟道的超大规模集成电路的加工工艺，特别适于砷化镓(GaAs)等多元化合物半导体和其他对痕量氧、水汽极其敏感材料的退火。
半导体密封磁力传动快速退火装置

[其他]半导体快速热处理系统的石英腔-CN87202679无效
发明人：钱佩信;侯东彦;陈必贤;马腾阁;林惠旺;李志坚 -专利权人：清华大学
申请日： 1987-03-05 - 公布日： 1988-01-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：半导体快速热处理系统的石英腔属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。其要点是采用了双层石墨板作红外辐射源，并解决了双层石墨板加热半导体片测温问题，双层石墨板外加装了涂有介质膜的红外反射板，使半导体片的升温速率加快，并使能耗降低了70％以上。
半导体快速热处理系统石英

[其他]离子注入半导体瞬时退火设备-CN85100131无效
发明人：钱佩信;侯东彦;陈必贤;马腾阁;林惠旺;李志坚 -专利权人：清华大学
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1987-02-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅PN结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅PN结的欧姆结制作。
离子注入半导体瞬时退火设备