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[发明专利]具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法-CN202310059658.9在审
发明人：陈建鹏;曾静;石小林;张立明;陆雪;李丹 -专利权人：四川广义微电子股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法，制作方法包括提供一快恢复二极管基体；对快恢复二极管基体的背面依次进行减薄处理和腐蚀处理，减薄厚度为40～80um，腐蚀厚度为1～5um；从快恢复二极管基体的背面进行金属金掺杂；金属金掺杂完成后对快恢复二极管基体的背面依次进行减薄和金属蒸发，形成背垫金属层。通过向基体中掺杂更过有效的金属金，使得到的快恢复二极管具有更低的反向恢复时间和优异的其他性能。
具有反向恢复时间恢复二极管及其制作方法

[发明专利]组成物及其使用方法-CN202280006066.4在审
发明人：黄亭凯;胡斌;梁燕南;朴红 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本公开有关于一种组成物，其包括至少一种第一钌去除率增强剂；至少一种铜去除率抑制剂；至少一种低k去除率抑制剂；及一水性溶剂。
组成及其使用方法

[发明专利]一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法-CN202310269274.X在审
发明人：王宇轩;牛斌;代鲲鹏;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种保留砷化镓衬底的肖特基二极管衬底替换方法，包括以下步骤：生长外延薄膜：在砷化镓衬底上通过分子束外延方法依次沉积非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层、纳米硅高掺杂N型砷化镓N+GaAs层、纳米硅低掺杂N型砷化镓N‑GaAs层形成外延薄膜；制作阴极金属和阳极金属；隔离腐蚀：光刻出二极管图形，并用第一腐蚀液去除二极管图形外的全部N+GaAs和N‑GaAs层，再从露出的In0.48Ga0.52P层上光刻出In0.48Ga0.52P层图形，使In0.48Ga0.52P层易于全部腐蚀去除；使用第二腐蚀液去除In0.48Ga0.52P层图形内全部In0.48Ga0.52P；制作保护氧化硅层和完成空气桥金属连接；衬底分离和替换。通过在砷化镓衬底和纳米硅掺杂砷化镓层间生长非掺杂铟镓磷In0.48Ga0.52P层，实现砷化镓衬底的保留，从而实现资源再利用，节能环保。
一种保留砷化镓衬底肖特基二极管替换方法

[发明专利]一种光刻图案、金属图形连接体及其制备工艺-CN202111346972.2在审
发明人：呂寅準 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻图案、金属图形连接体及其制备工艺，先在基础模板上形成基础图案，所述基础图案由下到上依次为金属层和非金属层，于非金属层的上端面形成多个覆膜图形，所述覆膜图形的两侧均形成氮化硅图形，覆膜图形及其两侧的氮化硅图形为一个单元体，还包括以下步骤：S1、沉积覆膜层，使覆膜覆盖单元体且留出相邻两个单元体之间的间隙，刻蚀该间隙对应的非金属层且不刻蚀该间隙对应的金属层；S2、挥发去除覆膜；S3、在经过刻蚀非金属层上形成的空缺中沉积铷；S4、先刻蚀未被氮化硅图形覆盖的非金属层、金属层，再刻蚀氮化硅图形，再刻蚀剩余非金属层且不刻蚀金属层。本发明解决了现有光刻工艺制备金属图形连接体导致的图形损伤的问题。
一种光刻图案金属图形连接及其制备工艺

[发明专利]用于高深宽比结构的移除方法-CN201780069648.6有效
发明人： L·徐;陈智君;J·黄;王安川 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：示例性清洁或蚀刻方法可包括：使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括：在所述远程等离子体区域内形成等离子体，以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括：使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内，并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括：将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括：移除所述被暴露的氧化物的至少一部分，同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50％。在移除之后，所述方法可包括，将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50％或为约50％。所述方法可进一步包括：移除额外量的所述被暴露的氧化物。
用于高深结构方法

[发明专利]沟槽型双向TVS器件和其制造方法-CN202211675602.8在审
发明人：王震宇;蒋依兵 -专利权人：深圳市芯辰达电子科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本专利申请提供了一种沟槽型双向TVS器件和其制造方法。其中的沟槽型双向TVS器件制造方法是：重掺杂硅衬底上生长外延层，再制作沟槽、沟槽内扩散掺杂层，最后制作电极，获得沟槽型双向TVS器件。本技术方案大幅度缩减了芯片耗用成本，提高了器件IPP性能参数，两PN结电压具有可靠的对称一致性，满足了器件击穿电压一致性和对称性精度要求，其器件性能和成品率大大提高。
沟槽双向 tvs 器件制造方法

[发明专利]一种真空烧结炉固定芯片的方法-CN202310081094.9在审
发明人：山贵叶;贾哲 -专利权人：西安华芯微半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及芯片烧结技术领域，尤其涉及一种真空烧结炉固定芯片的方法，包括如下步骤：S1：根据芯片尺寸在镀金层上开设矩形槽；S2：将焊料片摆放至镀金层上，且焊料片位于矩形槽围成的区域内；S3：将芯片放置于焊料片上形成待烧结物料；S4：将待烧结物料转移至烧结设备内进行烧结固定；本申请具有通过在镀金层上开设矩形槽，可以限制焊料片熔融后的流动范围，进而实现烧结时芯片位置的固定，并且，由于未设置配重块，所以焊料片烧结后不会溢出，外观良好，并且芯片的表面干净，无取放配重块时可能造成的划伤、崩坏等不良现象，有利于提高后续管壳键合的效率的效果。
一种真空烧结炉固定芯片方法

[发明专利]一种SiC晶圆的金属化层剥离方法-CN202110169376.5有效
发明人：侯斌;王怡鑫;何静博;李照;鲁红玲 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC晶圆的金属化层剥离方法，先采用腐蚀或刻蚀的方法，将已报废SiC晶圆上表面和下表面的金属层去除，SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层裸露出来；再对SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层在1100℃～1400℃下进行氧化处理，所述的金属化层最外侧的一部分厚度形成氧化层，之后去除该氧化层；最后重复步骤2若干次，直至SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层去净为止，完成SiC晶圆的金属化层剥离，有效解决目前SiC器件在金属化层加工不理想时，SiC晶圆报废的问题。
一种 sic 金属化剥离方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211621183.X有效
发明人：张祥平;林士程;古哲安;李海峰 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。在光刻胶层内形成凹槽使得凹槽底部的光刻胶被保留，此时，被保留的光刻胶可以有效保护金属层不与显影液反应，进而保护金属垫不产生杂质残渣。因此，本实施例中的半导体结构可以改善光电二极管的响应时间，从而提高图像传感器工艺的良率，改善器件的性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件、制造方法和固态成像器件-CN201780063625.4有效
发明人：平田瑛子;木村忠之;三好康史;平松克规 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本技术涉及一种能够在将两个基板接合时，抑制接合强度降低且防止电气连接不良或剥离的半导体器件、制造方法和固态成像器件。提出一种半导体器件，其包括：第一基板，具有由金属形成的第一电极；和第二基板接合，接合至第一基板且具有由金属形成的第二电极。锐角凹凸部形成在形成有第一电极的凹槽的侧面和形成有与第一电极金属接合的第二电极的凹槽的侧面。本技术例如能够应用于诸如CMOS图像传感器等固态成像器件。
半导体器件制造方法固态成像器件

[发明专利]显示面板制备方法及显示装置-CN202010669329.2有效
发明人：胡小波 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示面板的制备方法及显示装置。所述显示面板制备方法中包括以下步骤：提供一基板。在所述基板上形成阻挡层。在所述阻挡层上电极层。在所述电极层上形成光阻层。在所述基板上形成保护层，所述保护层覆盖所述阻挡层和所述电极层的裸露面。利用剥离液将所述光阻层剥离。去除所述保护层。
显示面板制备方法显示装置

[发明专利]钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质-CN201910126852.8有效
发明人：鲛岛崇;前川浩治;山口克昌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序。
方法系统以及存储介质

[发明专利]一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法-CN202211342034.X在审
发明人：李文翰;廖启超;潘结斌;陈婧瑶;史一明;李泽瑞;王文婧;郁兆华 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。
一种毫米波宽带 impatt 超薄材料制备方法

[发明专利]一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法-CN202211569243.8在审
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，包括：通过第一无限源注入、第一扩散，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区；进行第二无限源注入、第二扩散，在所述N型衬底内形成沿第二方向贯穿所述N型衬底的正向P型主结区、反向P型主结区，所述正向P型主结区、所述反向P型主结区均与所述P+型区接触；通过第一湿刻，在相邻N型衬底中形成一类U型凹槽，其中，所述类U型凹槽两端具有鸟嘴状可刻蚀结构；随后在所述正向P型主结区的上表面及所述U型凹槽表面进行第二湿刻，以去除所述类U型凹槽两端的鸟嘴状可刻蚀结构，经过后道工艺得到所述双向TVS器件。
一种包括两步湿刻双向 tvs 器件制造方法

[发明专利]亚分辨率衬底图案化的方法-CN201780070924.0有效
发明人：安东·J·德维利耶;尼哈尔·莫汉蒂;杰弗里·史密斯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本文中公开的技术提供了一种用于衬底图案化的方法，该方法得到非均匀间距(混合间距)的线。技术还可以通过选择性地替换多线层中的材料线来实现高级图案化选项。形成具有三种不同材料的交替线的多线层。使用一个或更多个蚀刻掩模来选择性地去除至少一条未被覆盖的线而不去除其他未被覆盖的线。利用填充材料来替换去除材料。使用蚀刻掩模以及使不同材料线的抗蚀刻性不同来执行选择性去除。
分辨率衬底图案方法