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[发明专利]一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法-CN202011026812.5有效
发明人：张帅;刘阳;包星晨;房立峰;张伟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
一种晶圆级 au 金属膜湿法腐蚀图形方法

[发明专利]一种双向TVS器件的制造方法及结构-CN202211568974.0有效
发明人：杨国江;于世珩;毛嘉云 -专利权人：江苏长晶科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向TVS器件的制造方法及结构，所述方法包括：首先，在一N型衬底上的隔离窗口进行第一无限源注入并进行第一推结，在所述N型衬底中正面与反面扩散后相交形成P+型区，该P+型区与N型衬底之间形成逆向偏压的PN结结构，随后在所述N型衬底的第一表面及第二表面上进行第二无限源注入并进行第二推结，在所述N型衬底中形成P型主结区，该P型主结区与该N型衬底之间形成正向偏压的PN结结构，接着经过台面刻蚀、沉积、刻蚀、电镀形成钝化层及金属层，最后，自所述P+型区和所述N型衬底的交界面与所述弧形凹面的相交线向所述对准金属层处平移预设距离进行切割，得到所述双向TVS器件。
一种双向 tvs 器件制造方法结构

[实用新型]工装及碲镉汞热处理设备-CN202222917255.7有效
发明人：赵倩;王鑫;李想;游阿峰;许军 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供一种工装及碲镉汞热处理设备。工装用于碲镉汞闭管热处理，包括第一保温隔热半体、第二保温隔热半体以及紧固件；第一保温隔热半体具有第一侧面、第一外周面以及第一凹槽，第二保温隔热半体具有第二侧面、第二外周面以及第二凹槽，第一侧面和第二侧面彼此面对，第一外周面和第二外周面形成完整的圆外周面；第一凹槽和第二凹槽彼此配合并形成收容部，收容部用于供碲镉汞热处理设备的测温收容管和样品架支撑管穿设；紧固件用于将第一保温隔热半体和第二保温隔热半体紧固在一起；其中，紧固在一起的第一保温隔热半体和第二保温隔热半体用于置入在碲镉汞热处理设备的石英管的露出在碲镉汞热处理设备的密封阀和退火腔体的端部之间的部分处。
工装碲镉汞热处理设备

[发明专利]一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法-CN202110919419.7在审
发明人：叶联;马兵;彭泰彦;车东晨;胡冬冬;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种IC生产中AlSiCu连接层的干法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：对半导体器件上AlSiCu连接层的待刻蚀区域进行干法刻蚀；所述干法刻蚀的过程中，所采用工艺气体为氯气、氯化硼和氩气的混合气，氯气、氯化硼和氩气的体积比为(10～14)：(6～10)：(3～8)；所述干法刻蚀的过程中，下射频功率为100～260W，上射频功率为800～1200W。本发明提供的方法通过在工艺气体中增加一定比例的氩气以及搭配合适的刻蚀射频功率，能够在保证形貌要求的前提下减少刻蚀残留，从而提高产品的性能和良率。该方法可以运用到大规模量产干法刻蚀AlSiCu产品上，具有良好的市场前景。
一种 ic 生产 alsicu 连接刻蚀方法

[发明专利]完全自对准减材蚀刻-CN202180041099.8在审
发明人：冯立丽;代宇琼;马杜尔·萨坎;里贾娜·弗雷德;浩勇·大卫·黄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：描述了提供完全自对准的第一金属化线、M1、过孔、和第二金属化线、M2的设备与方法。第一金属化线包括在基板上的第一绝缘层上沿第一方向延伸的一组多条第一导线；第二金属化线包括在该第一金属化线上方的蚀刻停止层上的一组多条第二导线，该组多条第二导线沿第二方向延伸，该第二方向以一定角度与该第一方向交叉；以及位于该第一金属化线和该第二金属化线之间的至少一个过孔，该至少一个过孔包括过孔金属化层，其中该至少一个过孔沿该第二方向与第一金属化线的一者自对准，且该至少一个过孔沿该第一方向与第二金属化线的一者自对准，该第二方向以一角度与该第一方向交叉。
完全对准蚀刻

[发明专利]一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台-CN202110550320.4有效
发明人：刘重阳;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请公开了一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台，所示待刻蚀基板的蚀刻方法，包括步骤：设定蚀刻液的初始温度；对多个待刻蚀基板依次进行刻蚀；记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数；根据所述补偿温度参数，本申请通过以上方式调节所述蚀刻液的刻蚀温度使得先后制程的基板的金属走线的宽度一致。
一种刻蚀蚀刻方法机台

[发明专利]热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置-CN202210846835.3在审
发明人：木下盛善 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供能够使装载区域中的氧浓度的管理的精度提高的热处理装置的控制方法和热处理装置的控制装置。热处理装置的控制方法为由热处理装置的控制装置进行的控制方法，所述热处理装置包括：加热炉，其能够对被处理体实施热处理；和装载区域，其能够在将保持所述被处理体的晶舟送入所述加热炉之前或者将所述晶舟从所述加热炉送出之后收纳所述晶舟，所述热处理装置的控制方法的特征在于：当接收到将所述被处理体从所述加热炉送出的指示时，检测所述装载区域内的氧浓度，在所述氧浓度为规定的阈值以上时输出警报。
热处理装置控制方法

[发明专利]一种退火设备及退火方法-CN202110861179.X在审
发明人：张辉;杨晖;金贤胜 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火设备及退火方法，所述退火设备包括用于承载超导量子芯片的承载台，所述超导量子芯片包括至少一个具有约瑟夫森结的量子比特，还包括喷气组件，用于将具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流发射至所述约瑟夫森结以实现对所述约瑟夫森结的退火处理，本发明提供的退火设备设置有可喷射出具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流的喷气组件，所述气流通过喷气组件喷射在约瑟夫森结上，对约瑟夫森结进行加热，从而改变量子比特的频率，本发明提供的退火设备采用具有预设温度且与约瑟夫森结不发生化学反应的气流作为热源，对约瑟夫森结进行退火操作，从而实现对量子比特的频率参数进行调节的目的。
一种退火设备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电力变换装置-CN202080101224.5在审
发明人：佐藤祐司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在半导体装置(1)中，在规定于半导体基板(3)的键合区域(20)中形成有具有第一凹凸部(6)的第一构造体(5)和覆盖第一构造体(5)的具有第二凹凸部(8)的第二构造体(7)。金属布线(13)被接合于第二构造体(7)中的第二凹凸部(8)。第二凹凸部(8)中的凹陷的深度比第一凹凸部(6)中的凹陷的深度浅。规定键合区域(20)的绝缘性构件(11)以到达半导体基板(3)的方式形成。
半导体装置及其制造方法以及电力变换

[发明专利]半导体器件-CN202080101478.7在审
发明人：小池淳一;矢作政隆;山田裕贵 -专利权人：国立大学法人东北大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其具备配线结构，该配线结构具有兼具扩散阻挡功能和衬垫功能的单层的扩散阻挡层。半导体器件具备配线结构，所述配线结构具有绝缘层、导电性配线、以及在绝缘层与导电性配线之间以与绝缘层和导电性配线这两者接触的方式配设的扩散阻挡层，其中，扩散阻挡层由具有包含合计为90质量％以上的第一金属以及第二元素的非晶质结构的合金构成，第一金属为选自Co、Ru以及Mo中的任一种，当第一金属为Co时，第二元素为选自Zr、Al以及Nb中的一种或两种以上，当第一金属为Ru时，第二元素为Zr，当第一金属为Mo时，第二元素为选自Y以及B中的一种或两种。
半导体器件

[实用新型]一种晶圆结构-CN202222502354.9有效
发明人：江为团;周琼琼;范大祥 -专利权人：厦门士兰集科微电子有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆结构，包括晶圆和覆膜结构，所述晶圆包括相对设置的晶圆正面和晶圆背面，连接晶圆正面和晶圆背面的晶圆侧面，晶圆正面具有中心区域和位于中心区域外围的边缘区域，覆膜结构覆盖晶圆背面、晶圆正面的边缘区域和晶圆侧面，并暴露出晶圆正面的中心区域，使得在化学镀时覆膜结构在物理上隔离晶圆背面、晶圆侧面和晶圆正面的边缘区域与化学溶液接触，从而使得晶圆被所述覆膜结构保护起来的部分不会与化学溶液发生化学反应避免了在晶圆正面的边缘区域发生金属镀层剥落的现象，提高了化学镀品质，也避免了因金属镀层剥落引起的沾污化学溶液的情况发生，从而延长了化学镀时化学溶液的使用周期，降低了工艺成本。
一种结构

[发明专利]一种半导体处理用的成膜方法-CN202211405913.2在审
发明人：翁晓升 -专利权人：南通捷晶半导体技术有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理用的成膜方法，包括以下步骤：S1、对半导体基板进行超声波清洗处理；S2、将半导体基板放置在腔室内，对腔室内进行预升温至60‑80℃；S3、对内部进行二次升温处理，同时通入气体将半导体基板上进行初步镀膜处理，本发明的有益效果是：通过加入了一次成膜处理，实现了通过靶材进行加热，并对半导体基板的表面橡胶靶材加热成膜处理，提高了成膜处理的效率，通过加入了二次成膜处理，实现了通入惰性气体的同时，加热的二氧化硅材料对半导体基板表面进行二次覆膜处理，提高了半导体的稳定性。
一种半导体处理方法

[发明专利]无阻挡金属的金属配线构造及其制造方法-CN202180034939.8在审
发明人：饭泉健;小篠谅太;大田真朗 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及一种不含阻挡金属的金属配线构造及其制造方法。该方法通过在形成有第一配线槽(1)和宽度大于第一配线槽(1)的第二配线槽(2)的绝缘层(3)上堆积金属间化合物(6)，而以金属间化合物(6)至少填满第一配线槽(1)，并进行平坦化工序，该平坦化工序将金属间化合物(6)研磨至绝缘层(3)露出为止，之后，进行高度调整工序，该高度调整工序将金属间化合物(6)和绝缘层(3)研磨至第一配线槽(1)内的金属间化合物(6)的高度达到规定的高度为止。
阻挡金属构造及其制造方法

[发明专利]一种晶圆控片的快速热处理方法-CN201910511285.8有效
发明人：温育杰;叶李欣;吴小贤;蒋磊 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆控片的快速热处理方法，涉及半导体器件制造技术领域。本方法至少包括以下步骤：提供第一晶圆控片；对所述第一晶圆控片进行第一次快速热处理；对经过第一次快速热处理后的所述第一晶圆控片进行第二次快速热处理，以取得第一电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线，取得所述预设电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线及预设电阻值趋势曲线，取得所述第一晶圆控片的标准快速热处理温度条件。本发明通过对晶圆控片进行两阶段的快速热处理，解决了现有技术所导致的晶圆控片表面边缘区域的电阻值再现性差、晶圆控片表面电阻值偏离目标值的问题。
一种晶圆控片快速热处理方法

[发明专利]一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法-CN202211213031.6在审
发明人：崔丹丹;游佩武;王跃;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法。涉及半导体器件。本发明通过在高电阻率CZ硅衬底上选择性扩散制造出低阻P+衬底，通过对高电阻率原片衬底和高掺杂的低阻P+衬底进行脱氧处理，降低器件衬底氧含量降低产品IR，衬底中氧含量高，容易产生较多的负荷中心，在生产过程中会产生更多的缺陷，造成产品反向漏电流大，氧含量要小于1x1017个/cm3，同时结合阱工艺，改变大电流时二极管结的击穿点，由边缘转移至中央区域，提升产品整体耐压能力，提升产品可靠性，提升产品可靠性。
一种电阻率扩散低压二极管制备方法