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[发明专利]改善在氧化硅上的超薄非晶硅膜的连续性的预处理方法-CN201880036516.8有效
发明人：程睿;Y·杨;陈一宏;K·嘉纳基拉曼;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
改善氧化超薄非晶硅膜连续性预处理方法

[发明专利]一种半导体辅助元件的制作方法和半导体辅助元件-CN201810930424.6有效
发明人：陈儒 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体辅助元件的制作方法，包括：获取若干个半导体辅助元件，对每一所述半导体辅助元件进行开槽，从而在所述半导体辅助元件的表面上形成若干个特定尺寸的应力释放槽；根据沉积法对所述应力释放槽填充应力释放材料，以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽，形成应力释放层；在预设时间内对填充应力释放材料后的所述半导体辅助元件进行退火操作，以使所述应力释放层受热而流变，从而释放所述半导体辅助元件中的内应力；其中，所述退火操作的温度大于600℃。本发明实施例还公开了一种半导体辅助元件。采用本发明实施例，能有效减少辅助元件的内应力。
一种半导体辅助元件制作方法

[发明专利]一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法-CN202310859127.8在审
发明人：王小周;张梦龙;韩理想;郑筌升;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体公开了一种基于碳化硅同质外延的PIN二极管及其制备方法，包括：沉淀薄膜、旋涂正光刻胶、刻蚀、去除光刻胶、去除残余SiO2、旋涂负光刻胶、电极蒸镀、退火和蒸镀；本发明中PIN二极管通过复合同质外延制备材料，可避免由离子注入或物理气相沉积导致的晶格损伤和污染；P型SiC复合接触电极结构可通过短时间(3min以内)，低温(700‑850℃)快速退火实现欧姆接触，降低生产成本；PIN二极管外延层总厚度为6μm，可在2.5V左右达到1A的开启电流，且在3.5V左右达到36A的大电流，同时在650V正向电压下，漏电流仍在30nA以内，具有良好的耐压能力。
一种基于碳化硅同质外延 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]固态摄像装置及其制造方法-CN202180085150.5在审
发明人：山元纯平 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：[问题]提供一种能够在像素分离槽中适当地形成像素分离部的固态摄像装置以及该固态摄像装置的制造方法。[方案]该固态摄像装置包括：第一基板；多个光电转换部，其设置在所述第一基板中；和像素分离部，其设置在所述第一基板中的所述光电转换部之间，所述像素分离部设置在作为{100}面的所述第一基板的侧表面上。
固态摄像装置及其制造方法

[发明专利]固态成像设备、其制造方法，及电子设备-CN202180086505.2在审
发明人：丸山俊介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：灵敏度得到改善。一种固态成像设备包括：第一半导体层，第一半导体层包含第一光电转换元件和电荷保持区域，第一光电转换元件对从第二表面侧入射的光进行光电转换，并且电荷保持区域保持被第一光电转换元件光电转换的信号电荷；第二半导体层，第二半导体层隔着第一绝缘层部署在第一半导体层的第一表面侧，并且包括对从第一半导体层的第二表面侧入射的光进行光电转换的第二光电转换元件；电路基板单元，电路基板单元隔着第二绝缘层部署在第二半导体层的与第一绝缘层的一侧相对的一侧，并且包括读出由第一光电转换元件光电转换的信号电荷的读出电路；元件侧第一金属焊盘，元件侧第一金属焊盘设置在第二绝缘层的与第二半导体层的一侧相对的一侧；电路侧第一金属焊盘，电路侧第一金属焊盘设置在电路基板单元上并且电连接到读出电路且接合到元件侧第一金属焊盘；以及第一接触电极，第一接触电极穿透第一绝缘层和第二绝缘层并且将电荷保持区域和元件侧第一金属焊盘电连接。
固态成像设备制造方法电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201880005672.8有效
发明人：岩水守生 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：分散接合有导线的导电膜的应力，而防止导电膜剥离。提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；第一导电膜，在半导体基板的上方，以隔着未设置有第一导电膜的非形成区的方式至少设置于非形成区的两侧；层间绝缘膜，包括设置于非形成区的第一部分、在隔着非形成区的两侧设置于第一导电膜的上方的第二部分、以及将第一部分与第二部分连结的阶梯部；第二导电膜，设置于层间绝缘膜的上方；多个贯通端子部，贯通层间绝缘膜的第二部分而将第一导电膜与第二导电膜电连结；以及导线，在层间绝缘膜的第一部分的上方，与第二导电膜接合，多个贯通端子部至少包括一个以上的第一贯通端子部和一个以上的第二贯通端子部，一个以上的第一贯通端子部与一个以上的第二贯通端子部设置于隔着导线的接合部而彼此对置的位置。
半导体装置

[发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880084042.4有效
发明人：竹野博 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。
复合寿命控制方法

[发明专利]半导体器件-CN202180086924.6在审
发明人：吉村贤一 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：具有主面的半导体层；第一导电型的阱区，其形成在所述半导体层的所述主面的表层部；第一导电型的第一杂质区域，其形成在所述阱区的表层部，且具有内壁部；和第二导电型的环状的第二杂质区域，其以与所述阱区之间形成pn结部的方式，在比所述内壁部靠内侧的位置形成在所述阱区的表层部。
半导体器件

[发明专利]半导体结构的温度补偿方法及半导体设备-CN202210143062.2在审
发明人：左敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的温度补偿方法及半导体设备，涉及半导体技术领域。该半导体结构的温度补偿方法应用于对半导体结构的热处理制程中，其中，温度补偿方法包括：检测半导体结构的背面薄膜参数；获取半导体结构的中心区域的第一温度值；获取半导体结构的边缘区域的第二温度值；根据第一温度值、第二温度值和背面薄膜参数，获得温度补偿值；基于温度补偿值，对边缘区域加热，以进行温度补偿。使用本公开中定义的温度补偿方法，确保半导体结构的边缘区域与中心区域的温度均一性，提高了半导体结构的电性和良率。
半导体结构温度补偿方法半导体设备

[发明专利]处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法-CN202210138588.1在审
发明人：王晓;于源源;温雅楠;汪军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请的实施例提供处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法。该外延片包括衬底和外延层。该方法包括：在第一工艺下，对外延片衬底进行退火达第一时间，以控制该衬底的体微缺陷密度。方法还包括：在第二工艺下，使衬底生长外延层，第二工艺的温度高于第一工艺的温度。此外，处理外延片的另一种方法包括：在第一时间内对该外延片进行退火，退火的温度为第一温度，在第二时间内对该外延片进行退火，退火的温度为高于该第一温度的第二温度，第一温度、第二温度、第一时间和第二时间基于调节函数来确定，该调节函数指示退火的该温度和时间的关联性。利用本申请的实施例，可以调节体微缺陷密度和均匀性。
处理外延方法装置以及检测

[发明专利]用于由微波固化调整聚合物的热膨胀系数(CTE)的方法-CN201780038110.9有效
发明人：欧岳生;王瑞;塔克·丰·孔;王欣 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文提供固化聚酰亚胺以调整热膨胀系数的方法。一些实施方式中，于基板上固化聚合物层的方法包括：(a)施加可变频率的微波能量至该基板，以将该聚合物层及该基板加热至第一温度；和(b)调整该可变频率的微波能量，以将该聚合物层及该基板的温度增加至第二温度，用以固化该聚合物层。
用于微波固化调整聚合物热膨胀系数 cte 方法

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN202310649955.9在审
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特•巴苏•马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]一种新型沟槽肖特基二极管的制备方法-CN202310449929.1在审
发明人：徐显修;刘斌凯;张恒源;陈越;龚妮娜 -专利权人：浙江广芯微电子有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种新型沟槽肖特基二极管的制备方法，包括：提供衬底，在该衬底上依次生长外延层、第一介质层、第二介质层，再通过光刻胶在介质层定义出沟槽位置，后刻蚀出直达外延层的沟槽；横向腐蚀沟槽开口处两侧的第一介质层，使露出开口处两侧外延层的台面；去除第二介质层，对所述台面及沟槽底部进行离子注入形成掺杂区域；去除第一介质层，在整体结构生长栅氧化层，再沉积多晶硅并填满沟槽；在栅氧化层上生长隔离层并刻蚀形成势垒区，后对势垒区注入离子形成轻掺杂区域；在所述隔离层和势垒区上依次沉积肖特基势垒金属层、阳极金属层；最后在衬底底面沉积阴极金属层。本发明有效提高了器件的反向击穿电压，降低反向漏电流及正向压降。
一种新型沟槽肖特基二极管制备方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180084886.0在审
发明人：朴镇雨;赵炯信 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理方法。所述方法包括：基板装载步骤，将基板装载到腔室的处理空间中；膜去除步骤，去除基板上设置的膜；保护膜形成步骤，在基板上形成含氧保护膜；以及基板卸载步骤，从处理空间卸载基板。
处理方法装置

[发明专利]具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法-CN202310293807.8在审
发明人：白俊春;程斌;平加峰;汪福进 -专利权人：江苏芯港半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、电极制作。其能降低漂移层的等效电阻，提高单位面积的电流密度和面积使用率，从而提高了二极管的正向电流密度。
具有垂直 algan gan 异质结基肖特基二极管及其制备方法