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[发明专利]半导体器件-CN202310075946.3有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件，包括终端区和设于所述终端区内且包含有若干个元胞单元的有源区，所述有源区上平行排布有若干个相互交错的浅沟槽和沟槽深度大于所述浅沟槽的深沟槽，所述浅沟槽和所述深沟槽内设有第一多晶硅层，所述终端区的顶角对称设有朝向所述有源区延展的终端沟槽组，所述终端沟槽组包括内部结构相同的第一终端沟槽、第二终端沟槽和第三终端沟槽，所述第一终端沟槽和所述第二终端沟槽的两端朝向所述有源区弯折有一定角度。本申请改善了晶圆翘曲，提高了芯片性能和良率。
半导体器件

[发明专利]一种快恢复二极管芯片铂扩散方法-CN202310114224.4在审
发明人：王丕龙;王新强 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管芯片铂扩散方法，涉及快恢复二极管芯片制造技术领域，包括在衬底的表面上生成N+型区域层，在N+型区域层的表面上生成N‑型区域层，在N‑型区域层的表面开设第二凹槽，并在第二凹槽内部生成第一P型区域层，在第一P型区域层的表面开设第三凹槽，在衬底的表面开设第一凹槽，并分别设置铂金属层，在设置第一铂金属层和第二铂金属层完成后，对芯片进行第一次退火，第一次退火完成后，在第二凹槽和第三凹槽内部生成第二P型区域层，并进行第二次退火，通过采用在芯片制造过程中在芯片上的正反面分别设置不同量的铂金属层并进行二次退火，有效降低了芯片正面铂金属浓度，减少芯片出现反向漏电的问题。
一种恢复二极管芯片扩散方法

[发明专利]制备光伏模块二极管的方法和装置、光伏模块-CN202211103780.3在审
发明人：曹孙根;许波春;石小飞 -专利权人：安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开是关于制备光伏模块二极管的方法和装置、光伏模块。该方法包括：向阴极引脚和阳极引脚喷涂胶水，并将焊锡膏粘贴到阴极引脚和阳极引脚的表面；将二极管芯粒放置到阳极引脚的焊锡膏之上，将焊锡膏粘贴到二极管芯粒的表面；将连接片分别放置到二极管芯粒表面的焊锡膏和阴极引脚表面的焊锡膏之上，得到二极管芯片组；按照预设条件对二极管芯片组进行高温焊接；清洗和烘干二极管芯片组并注塑封装，得到封装二极管；将封装二极管置入恒温环境内固化黑胶；清除封装二极管周围残留的黑胶；按照预设形状切割封装二极管并对二极管中裸露的阴极引脚和阳极引脚镀锡，得到光伏模块中的二极管。本实施例各步骤均可实现机械自动化，生产效率高，稳定性高。
制备模块二极管方法装置

[发明专利]制造电子器件的锚固元件的方法、锚固元件和电子器件-CN202211491542.4在审
发明人： V·普利西;G·贝洛基;S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及制造电子器件的锚固元件的方法、锚固元件和电子器件。一种电子器件，包括：碳化硅半导体本体；在所述半导体本体的表面上的绝缘层；金属材料层，其部分地在所述半导体本体的表面上并且部分地在所述绝缘层上延伸；在所述金属材料层和所述绝缘层上的第一SiN界面层；界面层上的钝化层；以及锚固元件，其从所述钝化层朝向所述第一绝缘层突出并且在所述第一绝缘层中在所述界面层下方延伸。
制造电子器件锚固元件方法

[发明专利]一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件-CN202310098585.4在审
发明人：刘厚超;黄宇萍;马一洁;张雨;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种阶梯栅沟槽肖特基势垒二极管器件的制备方法及器件，包括：于衬底上形成外延层；进行垫氧化层的生长和肖特基势垒区的注入，去除垫氧化层；刻蚀沟槽，沟槽包括至少一第一沟槽和第二沟槽，并于外延层中形成浮空注入区；生长厚栅氧层，淀积、回刻厚栅氧多晶硅电极；以有源区光罩为阻挡，对厚栅氧层进行预定高度的湿法腐蚀，形成薄栅氧预置区；于薄栅氧预置区的底部和侧壁生长薄栅氧层，淀积、回刻薄栅氧多晶硅电极。有益效果：通过设置肖特基势垒区，调节肖特基势垒和表面电场，通过薄栅氧层的设置增强横向电场，抑制反向漏电；浮空注入区能够延伸电场分布范围，形成另一个截止反向漏电保护锁，提高器件耐压能力。
一种阶梯沟槽肖特基势垒二极管器件制备方法

[发明专利]一种再生项目去除多层金属膜的方法及清洗设备-CN202310191197.0在审
发明人：昝芳情;王俊豪;林源 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种再生项目去除多层金属膜的方法及清洗设备，其包括如下清洗步骤：S1、Ni/Ag合金金属膜层去除、S2、AL/Cu/Au/Mo金属膜层去除、S3、Ti/W金属膜层去除、S4、稀有金属膜层、金属氮化膜层去除、S5、氮氧化保护层去除；通过清洗设备能够控制目标物与不同的清洗区域内交替移动，实现对目标物的持续高效清洗，满足清洗加工需求。该发明通过使用不同腐蚀药液、固定的清洗流程，从而达到去除多层金属膜的目的，提高了目标物清洗的质量以及效率。
一种再生项目去除多层金属膜方法清洗设备

[发明专利]金属微细结构的制备方法-CN202111406278.5在审
发明人：张永恩 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供一种金属微细结构的制备方法，包括：1)于基底上形成硬掩膜层；2)于硬掩膜层上形成光刻胶图形；3)刻蚀硬掩膜层，以在硬掩膜层中形成凹槽图形，去除光刻胶图形；4)在凹槽图形内和硬掩膜层表面形成金属层；5)对金属层进行平坦化处理，使凹槽图形内的金属层顶面与硬掩膜层顶面齐平，以获得位于凹槽图形内的图形金属层；6)于图形金属层上形成保护图形；7)通过干法刻蚀去除硬掩膜层，并去除保护图形，以获得位于基底上的图形金属层。本发明可以有效改善现有金属剥离工艺中的金属图形侧壁及表面容易出现不规则毛刺的问题以及改善金属图形两侧底部容易出现接触不良的问题。
金属微细结构制备方法

[发明专利]台阶金属结构及硅光子器件结构的制备方法-CN202111404497.X在审
发明人：陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
台阶金属结构光子器件结构制备方法

[发明专利]二极管结构的制造方法-CN202010484919.8有效
发明人：陈介方;罗国丰;林仲汉;朱煜 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种二极管结构的制造方法，包含形成第一堆叠在基板上的硅层上。形成相对的多个第一侧壁间隔物，沿着且覆盖第一堆叠的两侧壁。选择性蚀刻硅层至第一预定深度，从而形成第二堆叠，剩余的硅层包含硅底板。形成相对的多个第二侧壁间隔物，沿着且覆盖第二堆叠的两侧壁。选择性蚀刻硅底板，从而形成第三堆叠在基板上。以第二侧壁间隔物为罩幕，进行侧向电浆离子植入。所述制造方法可以减少两相邻半导体层之间界面上的缺陷的形成。
二极管结构制造方法

[发明专利]双势垒沟槽外延高压PIN芯片及其制造方法-CN201910468427.7有效
发明人：刘国梁;李明;李理 -专利权人：深圳方正微电子有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明供一种双势垒沟槽外延高压PIN芯片及其制造方法，包括以下步骤：对N型衬底的N型外延层进行刻蚀处理，使N型外延层表面形成若干第一沟槽；对第一沟槽进行P型离子注入，形成P型注入区；对N型外延层进行刻蚀处理，使N型外延层表面形成若干第二沟槽；进行P型外延的在第一、第二沟槽上进行P型外延沉积；去除第一、二沟槽外部的P型外延；对第一沟槽内的P型外延进行P型离子注入，形成P型离子注入区；在第一、二沟槽的间隙表面沉积介质层；在第一、二沟槽表面沉积一层过渡层，并在过渡层表面沉积金属层，经退火处理；沉积正面、背面金属层。由此制造方法获得的PIN芯片导通压降为0.6V左右，反向击穿电压达到1200V及以上。
双势垒沟槽外延高压 pin 芯片及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910403443.8有效
发明人：金吉松;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括若干个相互分立的第一区和第二区，第一区和第二区相间排布，第一区与第二区邻接，待刻蚀层表面具有第一掩膜层；在第一区第一掩膜层内形成第一槽，第一槽在待刻蚀层表面具有第一投影；在部分第一槽内和第一掩膜层表面形成图形层，图形层内具有图形开口，图形开口在待刻蚀层表面具有第二投影，第二投影与第一投影部分重叠；以图形层和第一掩膜层为掩膜，在待刻蚀层内形成隔离开口；在隔离开口内形成隔离层；形成隔离开口后，以图形层为掩膜，刻蚀第二区第一掩膜层，形成第二槽。所形成的半导体器件的性能较好。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]导电结构及其制造方法-CN202310197325.2在审
发明人：蔡缘蓁 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种导电结构包含基板、光敏感黏着层以及导电层。光敏感黏着层设置于基板上并具有第一镂空部。导电层设置于光敏感黏着层上并具有第二镂空部。第二镂空部与第一镂空部在垂直于基板的上表面的方向上对齐。第二镂空部于基板的上表面的正射影区域为透光区。本揭露的导电结构可以维持基板的高穿透率以及低雾度的性质。
导电结构及其制造方法

[发明专利]一种去除碳化硅晶片表面金属的方法-CN202211613743.7在审
发明人：陈慧卿;陈秀芳;徐现刚;胡小波;杨祥龙;李晓蒙 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除碳化硅晶片表面金属的方法，本发明通过湿法化学清洗‑干法等离子体清洗‑湿法化学清洗的碳化硅晶片清洗工艺；显著提高去除碳化硅表面金属的效果，经过ICP‑MS测试，碳化硅表面的Ca、Fe、Na、Mg、Al等难去除金属含量均5E10atoms/cm2，大大提高了工作效率。
一种去除碳化硅晶片表面金属方法

[发明专利]一种肖特基二极管的制备方法及器件-CN202310036801.2在审
发明人：黄永;王亦飞;王东;陈兴;吴勇;杨旭豪;龚子刚;薛荣宇;台运涛;邵语嫣 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。本发明中的方法，能够制备得到反向耐压值较高，漏电电流较低，且其结构简，内部各个结构层的结晶质量较高的肖特基二极管。
一种肖特基二极管制备方法器件

[发明专利]退火系统和退火方法-CN201811300275.1有效
发明人： J·德尔马斯;C·T·卡尔森;R·B·沃派特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。
退火系统方法