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[发明专利]耐高温的GPP芯片的生产工艺-CN202310866902.2在审
发明人：高宝华;陈宝成 -专利权人：常州银河电器有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及二极管芯片制造技术领域，尤其是涉及一种耐高温GPP芯片的生产工艺，步骤包括一次光刻：腐蚀开槽：SIPOS：二次光刻：电泳钝化：LTO；三次光刻以及表面金属化，划片切割。本发明的工序结合了光阻法和电泳法的优势，相比现有技术的全部钝化然后再根据需要裁切，本发明的工艺中玻璃层是根据需要人为排序然后进行生长钝化的，一方面钝化过程中没有其他杂质，玻璃内部不会产气泡和黑渣点，另一方面玻璃粉融化固化后是致密的，硬特性和耐高温特性都大大提高，有效保证GPP芯片的可靠性。
耐高温 gpp 芯片生产工艺

[发明专利]金属硅化物的形成方法-CN202310809053.7在审
发明人：高玉岐;刘峰松;吴茜 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属硅化物的形成方法。所述方法包括如下步骤：提供一硅衬底，所述硅衬底表面具有金属层；对所述硅衬底进行第一次快速热退火，使得所述金属层与所述硅衬底反应形成金属硅化物层；去除所述硅衬底表面未反应的金属；对所述硅衬底在含氧气氛中进行第二次快速热退火，使得所述金属硅化物层发生相变。上述技术方案将所述衬底放置于含氧气氛中进行第二次热退火，含氧气氛中的氧会与金属硅化物反应生成氧化物覆盖于发生相变的金属硅化物层的表面，避免了快速热退火中金属硅化物表面的离子沾污，通过降低金属硅化物表面的离子沾污，解决了如何改善肖特基二极管的漏电电流的问题。
金属硅形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310728181.9在审
发明人：叶德夫;杜政杰;黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]硬遮罩结构-CN202210592673.5在审
发明人：黄圣富;陈冠华 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种硬遮罩结构包含钨基导电层、碳基硬遮罩层以及氮化物层。碳基硬遮罩层设置在钨基导电层上。氮化物层设置在钨基导电层和碳基硬遮罩层之间，以增强它们之间的附着力。
硬遮罩结构

[发明专利]一种快恢复二极管的制备方法-CN202310981842.9在审
发明人：蒋骞苑;赵德益;吕海凤;张啸;王允;郝壮壮;胡亚莉;李佳豪;张彩霞 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：步骤S1，于衬底上形成外延层；步骤S2，于外延层表面两侧分别形成场氧化区；步骤S3，于外延层中形成多个第一注入区，第一注入区贯穿外延层至衬底中；步骤S4，于外延层中形成多个第二注入区，第二注入区分别位于第一注入区表面；步骤S5，于外延层中形成多个第三注入区，然后快速退火；步骤S6，背面减薄，然后于衬底背面形成第四注入区；步骤S7，于第四注入区中形成多个第五注入区；步骤S8，于第四注入区的下表面形成第六注入区；步骤S9，淀积形成正面金属层和背面金属层。有益效果：器件反向恢复时间短、反向恢复峰值电流小、反向恢复电荷少，且具有较软的反向恢复特性。
一种恢复二极管制备方法

[发明专利]一种快速链式退火设备-CN202310893673.3在审
发明人：刘奇尧;陆凡 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速链式退火设备，用于对硅片进行退火处理，包括前过渡区、升温区、恒温区、降温区、后过渡区、传输轴，所述传输轴延水平方向依次穿过上述各区，硅片在所述传输轴上依次经过上述各区以完成退火处理。所述恒温区内底部设置有第二加热装置，顶部设置有光源装置，所述第二加热装置对硅片进行加热，所述光源装置对硅片提供光照以使硅片进一步升温，所述光源装置下方设置有单向透光隔热材料层，用于减少所述恒温区内的光反射以保持温度稳定。采用上述技术方案后，能够结合使用加热装置与光源装置使硅片快速升温，减少高温工艺时间对硅片的负面影响，并减少恒温区的光反射以保持温度稳定。
一种快速链式退火设备

[发明专利]改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法-CN202310850651.9在审
发明人：王泽玉;李东;汪盼盼 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请提供一种改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法，应用于芯片刻蚀的技术领域，其中，包括，提供一半导体器件，光刻胶涂覆于半导体器件的金属表面上，金属的表面存在晶界；采用惰性气体和Cl2同时对金属表面的光刻胶进行物理轰击和化学刻蚀。本申请通过使用惰性气体对金属表面的光刻胶进行轰击，晶界处的光刻胶远小于其他位置的光刻胶，晶界处的光刻胶在惰性气体和Cl2的轰击与刻蚀下被清除，避免因晶界处存在光刻胶导致晶界处与非晶界处刻蚀进度不同，导致划片槽处产生Ti残留，从而减少Ti对刻刀产生的损伤，晶界处的光刻胶被轰击清除，Cl2刻蚀铝所产生的副产物会和光刻胶混合形成聚合物附着在金属侧壁和光刻胶上对金属和其他位置的光刻胶进行保护。
改善金属刻蚀划片 ti 残留方法

[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体元件-CN202280015300.X在审
发明人：谷内卓;相场健 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：通过对离子注入了掺杂剂而产生了点缺陷的硅基板进行激光退火从而使掺杂剂活化。与掺杂剂的活化同时使点缺陷成长为{311}缺陷或位错环，并将{311}缺陷或位错环作为寿命控制体。本发明提供一种能够在不增加制造工序数的情况下生成寿命控制体的半导体元件的制造方法。
半导体元件制造方法

[发明专利]晶圆处理方法和制造半导体器件的方法-CN202110793117.X有效
发明人：孙璐 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆处理方法和制造半导体器件的方法。该晶圆处理方法包括：在晶圆的边缘或附件设置具有至少一个通孔的保护件，该至少一个通孔至少与晶圆的边缘部分对应；利用加热设备辐射的热量对晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过至少一个通孔对晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。根据本申请的晶圆处理方法，可以通过保护件调节晶圆边缘部分接收到的热量，从而调节应力，调节晶圆的中心/中部/边缘区域的弯曲，从而平衡整片晶圆的弯曲，也有益于后续的处理工艺，减小晶圆边缘产生裂纹的可能性，提高晶圆的良率。
处理方法制造半导体器件

[发明专利]一种TVS二极管PN结的优化方法-CN202211092643.4在审
发明人：徐远 -专利权人：苏州矽航半导体有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种TVS二极管PN结的优化方法，包括以下步骤：S1：将单一图形的PN结进行分割成若干个单元PN结；S2：在所述单元PN结对应的氧化层位置开设接触孔；S3：在正面淀积金属，并通过接触孔将拆分后的若干所述单元PN结并联，若干所述单元PN结的总面积与拆分前单一图形的PN结面积相同，本发明在确保PN结面积足够的同时，通过并联关系，大大降低了PN结总的体电阻，从而获得更低的钳位电压，本发明在确保TVS过流特性的同时能够将TVS的钳位电压控制的足够低。
一种 tvs 二极管 pn 优化方法

[发明专利]等离子体蚀刻技术-CN202280017300.3在审
发明人：栾平山;艾兰·莫斯登 -专利权人：东京毅力科创株式会社;东京毅力科创美国控股有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：在某些实施例中，用于处理半导体衬底的方法包括接收包括膜堆叠体的半导体衬底。该膜堆叠体包括第一和第二含锗层以及位于该第一与第二含锗层之间的第一硅层。该方法包括通过将该膜堆叠体暴露于包括氟剂和氮剂的等离子体来选择性地蚀刻该第一硅层。该等离子体蚀刻该第一硅层，并且使得在该第一和第二含锗层的暴露表面上形成钝化层以在该膜堆叠体暴露于该等离子体期间抑制该第一和第二含锗层的蚀刻。
等离子体蚀刻技术

[发明专利]一种AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体-CN202310834469.4在审
发明人：刘明睿;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科;吕顺鹏;臧行;贾玉萍 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体，在氮气氛围下，对AlScN薄膜进行热退火处理，通过在氮气氛围下的热退火处理后的AlScN薄膜结晶质量有所提升，漏电流相比于退火之前降低了4个数量级，铁电性能得到明显增强。该方法退火温度低、操作流程简单，具有广阔应用前景，对基于AlScN的半导体器件性能提升及大规模应用具有重要意义。
一种 alscn 薄膜处理方法改性氮化物铁电体

[发明专利]一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管-CN202310892312.7在审
发明人：张鹏;冯尹 -专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种碳化硅二极管制备方法及碳化硅二极管，所述方法包括，在碳化硅外延片的P型外延层制备一类N型注入区和二类N型注入区；在外延层上制备二氧化硅层覆盖一类N型注入区、二类N型注入区以及两者之间的部分型外延层；在二氧化硅层上制备多晶硅层，刻蚀多晶硅层、二氧化硅层，露出碳化硅P型外延层；在多晶硅层及露出的外延层上制备第一金属层；在衬底远离外延层的一面制备第二金属层。本发明提供的方法相比于传统的二极管结构，增加了导电通道，从而降低导通电阻，能够降低器件的开关损耗，从而提高碳化硅二极管的整体性能；无需进行铝离子注入，能够简化器件制造工艺，有效降低生产成本。
一种碳化硅二极管制备方法

[发明专利]单向平面TVS芯片及其制备方法-CN202311078728.1在审
发明人：吴同同;管国栋 -专利权人：马鞍山市槟城电子有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种单向平面TVS芯片及其制备方法。单向平面TVS芯片的制备方法包括：提供P型衬底，在P型衬底的双面生长氧化层；图案化第一表面的氧化层，形成第一图案区，图案化第二表面的氧化层，形成第二图案区，第二图案区包括至少一个柱状的氧化层结构；对第一图案区进行掺杂，形成第一N型掺杂区，对第二图案区进行N型掺杂，形成第二N型掺杂区。在P型衬底双面掺杂形成N+‑P‑N+结构，提高TVS芯片的通流能力。图案化第二表面的氧化层时，选择性刻蚀，保留至少一个柱状的氧化层结构不被刻蚀，使后续形成的第二N型掺杂区中包括P型衬底，降低单向平面TVS芯片的正向压降。
单向平面 tvs 芯片及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202210816846.7在审
发明人：李承哲;唐树澍;庄智强 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成场截止缓冲层；对背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤寿命控制区域以形成缺陷层，其中，第二退火温度低于第一退火温度；以及在背侧形成金属层。该方案不仅可以增加半导体装置切换性能的可控性，还可以使半导体装置具有更快的切换速度，并且可以降低半导体装置的制造成本及制程的变异性。
半导体装置制造方法

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