专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]立杆自动冲孔设备-CN202321172003.4有效
  • 梁家锋;陈海涛;徐杰;张天洋;王亦飞 - 浙江樾筑科技有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-10-20 - B21D28/34
  • 本实用新型公开了一种立杆自动冲孔设备,一种立杆自动冲孔设备,包括机座以及设置于机座上通过升降装置驱动竖直移动的冲孔刀头,包括限位机构、驱动装置、滑座,所述滑座滑接于机座上可通动所述驱动装置驱动沿机座长度方向间歇移动,滑座上设置有夹持装置;所述限位机构可对立杆多个方向接触使立杆只能沿机座长度移动,所述夹持装置可将立杆夹持使立杆随滑座同步移动。本实用新型提供了一种方便立杆自动精确冲孔的立杆自动冲孔设备。
  • 自动冲孔设备
  • [发明专利]一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法-CN202310822885.2在审
  • 黄永;王亦飞;王东;宁静;陈兴;万坤;杨旭豪 - 西安电子科技大学芜湖研究院
  • 2023-07-05 - 2023-10-03 - H01L29/872
  • 本发明公开了一种双终端氮化镓基二极管及其制备方法,其中的器件包括:衬底以及设置于衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层;P‑GaN双终端层,设置于势垒层上除阴极位置区域和阳极位置区域以外区域;P‑GaN双终端层包括分别设置于第一区域和第二区域的第一终端和第二终端,第一区域为P‑GaN双终端层靠近阳极位置区域的端部中的部分区域,第二区域为除第一区域以外的区域;第二终端为对第二区域的P‑GaN材料进行等离子体处理后得到;阴电极,设置于势垒层上的阴极位置区域;阳电极,设置于势垒层上的阳极位置区域,并与第一终端和第二终端均电接触。本发明中的器件,正向工作时电流密度较高、开启电压较低,反向工作时漏电电流较小、击穿电压较高。
  • 一种终端氮化二极管及其制备方法

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