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[发明专利]一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法-CN202311018369.0在审
发明人： 王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该器件包括P型衬底和N型漂移区，P型衬底与N型漂移区之间设置有埋氧层，N型漂移区的上层设置有场氧层，场氧层的两端分别设置有P型体区和N型缓冲层，P型体区的上表面设置有发射极P+区和发射极N+区，P型体区的上层设置有栅氧层，栅氧层的上方设置有多晶硅栅极，栅氧层的一端与发射极N+区连接，N型缓冲层的上表面设置有集电阳极区，场氧层的上层设置有隔离层，隔离层的上表面两端分别设置有发射极金属和集电极金属，该器件结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，使用安全可靠。
一种具有辐照结构 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片铂扩散方法-CN202310114224.4在审
发明人： 王丕龙;王新强 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管芯片铂扩散方法，涉及快恢复二极管芯片制造技术领域，包括在衬底的表面上生成N+型区域层，在N+型区域层的表面上生成N‑型区域层，在N‑型区域层的表面开设第二凹槽，并在第二凹槽内部生成第一P型区域层，在第一P型区域层的表面开设第三凹槽，在衬底的表面开设第一凹槽，并分别设置铂金属层，在设置第一铂金属层和第二铂金属层完成后，对芯片进行第一次退火，第一次退火完成后，在第二凹槽和第三凹槽内部生成第二P型区域层，并进行第二次退火，通过采用在芯片制造过程中在芯片上的正反面分别设置不同量的铂金属层并进行二次退火，有效降低了芯片正面铂金属浓度，减少芯片出现反向漏电的问题。
一种恢复二极管芯片扩散方法

[发明专利]一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法-CN202211623294.4在审
发明人： 王丕龙;王新强 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N‑缓冲层、N‑漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层、钝化层和背面金属电极；所述N‑漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，所述P型基区位于每个所述绝缘膜的一侧分别设有N+发射区和P+区域，所述氧化层与所述P型基区、所述绝缘膜、所述栅电极区和所述P+区域接触，所述沉积介质层与所述N+发射区、所述P+区域和所述氧化层接触。通过隔离膜的作用，不仅能够实现导通，而且能够在加反向电压升温时，不易于传递热量，从而能够持续保持较低的热量。
一种内置 frd 芯片结构 igbt 制备方法

[发明专利]一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法-CN202010489233.8有效
发明人：王新强;潘庆波;李娜;杨玉珍;刘文;王丕龙 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法，包括工作台组件、气压控制组件和密封机构，在气压控制组件中设置真空泵、连接管和进气装置组件，在工作台组件中设置密封上盖，在密封机构中设置密封座、密封气囊和第四凹槽，通过开启真空泵，将密封好的密封上盖与密封座内部的空气抽出，第四凹槽内部的空气被抽出，密封气囊内部气压大于密封气囊外部的气压逐渐膨胀，将第四凹槽的缝隙填充，同时密封第六孔位，保持密封上盖与密封座的气密性，防止外部的空气进入到装置内部，从而使封装装置具有了保持焊接过程处于真空环境，防止焊料表面生成氧化物的效果，避免了焊料冷却凝结后形成空洞造成元器件电气性能差，从而导致良品率低的问题。
一种恢复整流二极管封装装置制造方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件和制造方法-CN202310001514.8在审
发明人： 王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种逆导型IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极区、导电掺杂区、n型场截止层、n‑漂移区、p型基区、第一介质层、第二介质层、集电极电极和发射极电极；其中，所述导电掺杂区内设有扩散跑道，所述n型场截止层内设有分散跑道，所述分散跑道上通过若干引流孔与所述n‑漂移区接触，所述分散跑道的两侧均通过分流通道与所述扩散跑道接触。扩散跑道通过分流通道向分散跑道引入电子，并于分散跑道形成分散，再通过引流孔与n‑漂移区的接触作用，可将电子以更快的速度注入n‑漂移区，进而若干个引流孔的设置，能够消除电压折回现象。
一种逆导型 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种FRD器件及其制备方法-CN202211389386.0在审
发明人： 王丕龙;李永;谭文涛 -专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种FRD器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域，该一种FRD器件具有正面金属区和背面金属区，包括衬底，所述背面金属区位于所述衬底的下表面，所述衬底上依次设有外延层和漂移区，所述漂移区内设有P型区，并沿所述P型区形成对称的分布有P+型区，每个所述P+型区与所述P型区上均设有动态截止层，所述动态截止层和所述P型区上设有钝化层，且所述动态截止层整体嵌入所述钝化层内，所述钝化层位于所述正面金属区的上表面。通过设置的动态截止层，在不降低P型区浓度的情况下，避免P型区增大与正面金属区的接触面积，进一步降低FRD器件的导通损耗，从而保障FRD器件的空穴注入效率。
一种 frd 器件及其制备方法

[发明专利]一种具备多种冷却结构的IGBT模块及其工作方法-CN202310073709.3在审
发明人：王新强;王丕龙;张永利;刘文 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种具备多种冷却结构的IGBT模块及其工作方法，涉及IGBT模块技术领域，包括外壳和设置所述外壳内部的电路模块，以及设置在电路模块两侧的基板，所述外壳的一侧设置有第二冷却装置，在所述外壳的内部还设置有第一冷却装置和调节装置，所述第一冷却装置和所述第二冷却装置分别与基板连接，所述调节装置包括热电偶和控制器，所述热电偶设置在基板上检测所述基板温度的变化，控制器用于根据所述热电偶检测的温度变化状况控制第一冷却装置的运行，解决了现有的IGBT模块的散热结构浪费资源和不能根据温度的变化调整散热模式的问题。
一种具备多种冷却结构 igbt 模块及其工作方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制造方法-CN202310124045.9在审
发明人：王新强;张永利;王丕龙 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种快恢复二极管芯片包括依次设置的背面金属电极、衬底、N+型阴极区、N型缓冲区、N‑型基区、P+型阳极区和正面金属电极，与所述P+型阳极区相对的一侧分别依次间隔设置有多个P型场环区以及N+型沟道截止环，所述N+型阴极区和所述N型缓冲区之间设置有多个P型岛，所述多个P型岛中设置有引流通道，所述多个P型岛与所述衬底和所述N‑型基区之间分别设置有与所述引流通道连接的第一介质通道和第二介质通道。当器件关断的过程中，引流通道、第一介质通道和第二介质通道加快使得N‑型基区区域载流子的抽取速度，缩短关断时间。
一种恢复二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种内绝缘的IGBT器件和制造方法-CN202310060284.2在审
发明人： 王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种内绝缘的IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种内绝缘的IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、衬底、P+集电极层、导电掺杂区、N型场截止层、N‑漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层和发射极电极，所述P型基区和所述N‑漂移层中设有相互平行的栅电极区，每个所述栅电极区的表面均被绝缘膜包围，每个所述绝缘膜的表面被绝缘薄层包围，每个所述绝缘薄层的一侧均设有N+发射区和P+区域，且所述N+发射区和所述P+区域均位于所述P型基区中。在绝缘薄层和绝缘膜的配合下，由于绝缘膜得到绝缘薄层的保护，绝缘膜不会因高温损坏，从而能够保证IGBT器件的正常使用。
一种绝缘 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种带有保护结构的SiC MOSFET器件和制备方法-CN202211479695.7在审
发明人：杨玉珍;王丕龙;秦鹏海 -专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有保护结构的SiCMOSFET器件和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种带有保护结构的SiCMOSFET器件包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、外延层、薄膜、JFET掺杂区和钝化层，所述薄膜的两侧均设有P区、P+区和N+区，且，所述N+区靠近所述薄膜，所述N+区和所述P区与所述薄膜之间设有保护层；其中，所述薄膜具有第一表面，所述P区分别具有第四表面和第五表面，所述N+区具有第七表面，通过在N+区和P区之间与JFET掺杂区设置屏障，可在此减弱形成电容作用，进而实现降压的作用；尤其基于以下的保护层的厚度以及掺杂浓度，从而可以增强器件的反向耐压能力，使得器件耐压能力进一步提升。
一种带有保护结构 sic mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT芯片及其制备方法-CN202211527870.5在审
发明人：王新强;王丕龙;谭文涛 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型IGBT芯片及其制备方法，属于IGBT芯片技术领域，该一种沟槽型IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N‑缓冲层、N‑漂移层和P型基区；所述N‑漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，且，所述栅电极区位于所述绝缘膜之中；芯片在导通的情况下，介质层引入自由电子，并使自由电子沿分流跑道加速运动，可使分流跑道提高自由电子的迁移率，可将自由电子经过分流通道引入P型基区，使其在P型基区产生浮动形成空穴；同时通过截流层在此时起到导通电阻的作用，避免电压瞬时速度将栅电极区击穿，从而提高了芯片的短路能力。
一种沟槽 igbt 芯片及其制备方法

[发明专利]具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法-CN202211412721.4在审
发明人： 王丕龙;杨玉珍;秦鹏海 -专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了具有高沟道迁移率的SiCMOSFET及其制备方法，涉及SiCMOSFET器件技术领域，包括衬底，所述衬底上方依次设有N‑漂移层、N+漂移层和p+源区层，N‑漂移层、所述N+漂移层和所述p+源区层的内部由内至外依次设有栅极、氧化层、N型块和P型块，所述N+源区层的顶部设有源极金属层，所述衬底下方设有漏极金属层，通过在SiCMOSFET内部形成由N型块和P型块组成的隔离层对氧化层进行阻挡，减少沟道受到的界面粗糙散射的影响，同时还可以在沟道处形成一电子通道，达到提升沟道迁移率的效果。
具有沟道迁移率 sicmosfet 及其制备方法

[发明专利]一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法-CN202211130128.0在审
发明人：杨玉珍;王丕龙;秦鹏海 -专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗浪涌SiC MOSFET器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种抗浪涌SiC MOSFET器件包括衬底，所述衬底的上表面自下而上依次具有外延层、P+源区、N+源区、钝化层和氧化硅，所述N+源区、所述P+源区和所述外延层中具有沟槽，且所述沟槽依次贯通所述N+源区和所述P+源区并延伸至所述外延层中，所述沟槽的侧壁自外而内依次具有栅介质层和栅极，所述钝化层位于所述栅极和所述N+源区的上表面，所述氧化硅位于所述钝化层、所述N+源区和所述P+源区的上表面，所述衬底的上表面和所述氧化硅的下表面分别具有漏极电极和源极电极；本发明通过保护结构与欧姆接触金属和肖特基接触金属之间的配合下，从而有效的提高器件的抗浪涌能力。
一种浪涌 sic mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种高性能超结结构IGBT的结构及其方法-CN202010452420.9有效
发明人：潘庆波;王新强;李娜;王丕龙;杨玉珍 -专利权人：青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能超结结构IGBT的结构及其方法，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲区，p型缓冲区的上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区的上方设置有n+型飘移区，n+型飘移区的内部设置有p型块，n+型飘移区的顶部设置有第一蚀刻沟槽，第一蚀刻沟槽的底部设置有第二蚀刻沟槽，第二蚀刻沟槽的内部设置有p型漏网格块，第一蚀刻沟槽的内部设置有p型区，p型区的顶部设置有第三蚀刻沟槽，通过在飘移区设置p型块和p型漏网格块，将漂移区分割成三部分，p型块和p型漏网格块均起到阻挡空穴的作用，增强了电导调制效应，使器件在大电流下具有较小的导通压降，能保证相同耐压的同时提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻及正向压降，降低功耗。
一种性能结构 igbt 及其方法

[实用新型]一种异型槽分离栅IGBT结构-CN202121671940.5有效
发明人：张永利;王新强;王丕龙;刘文 -专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异型槽分离栅IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域。集电极的上方设置有n型衬底，n型衬底的内部设置有规律排布的竖向沟槽，竖向沟槽包括相连的上沟槽和下沟槽，上沟槽和下沟槽内部分别有氧化层和多晶层，在相邻的沟槽间设有p型阱，p型阱内置n+发射区和p+型短路区，n+发射区位于p型阱上方边部，p+型短路区位于n+发射区中间，沟槽顶部设有保护氧化层和发射极金属，保护氧化层中设置金属层形成发射极和栅极。本实用新型中IGBT器件中分离栅采用上下结构，设计精巧，IGBT器件内部结构紧凑、无缝隙，能够降低IGBT器件米勒电容，提高IGBT开关速度，有效地降低开关损耗，安全可靠。
一种异型分离 igbt 结构

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