[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置在审
| 申请号： | 201911118500.4 | 申请日： | 2015-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN110777359A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/448;H01L21/365;H01L21/368;H01L29/04;H01L29/24;H01L21/34;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/8 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶性半导体膜 板状体 半导体装置 氧化物半导体 半导体结构 半导体特性 半导体膜 放热性 漏电流 耐压性 氧化物 刚玉 膜厚 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种结晶性半导体膜，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分，所述结晶性半导体膜的膜厚为1μm以上，且表面积为9mm2以上。
2.根据权利要求1所述的结晶性半导体膜，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性半导体膜，其特征在于，膜厚为7.6μm以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的结晶性半导体膜，其特征在于，表面积为25mm2以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的结晶性半导体膜，其特征在于，其为自支撑膜。
6.一种板状体，其特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，所述氧化物半导体含有选自镓、铟和铝中的一种或两种以上的氧化物作为主成分，所述结晶性半导体膜的表面积为9mm2以上。
7.根据权利要求6所述的板状体，其特征在于，所述氧化物半导体至少含有镓。
8.根据权利要求6或7所述的板状体，其特征在于，厚度为50μm以上。
9.一种半导体结构，其特征在于，含有权利要求1～5中任一项所述的结晶性半导体膜或权利要求6～8中任一项所述的板状体。
10.一种半导体装置，其特征在于，具备权利要求9所述的半导体结构。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，其为立式设备。
12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，其为功率设备。
13.根据权利要求10～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为肖特基势垒二极管SBD；金属半导体场效应晶体管MESFET；高电子迁移率晶体管HEMT；金属氧化膜半导体场效应晶体管MOSFET；静电感应晶体管SIT；结型场效应晶体管JFET；绝缘栅双极晶体管IGBT；或发光二极管LED。
14.根据权利要求10～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，其为肖特基势垒二极管SBD。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
